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AP4439GMT-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
SO- 8兼容
▼
低栅极电荷
▼
符合RoHS &无卤
G
P沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
10mΩ
-58A
S
描述
AP4439系列从高级电源创新的设计和硅
工艺技术，实现最低的导通电阻和快速
开关性能。它为设计者提供了一个极端的高效率
装置，用于在一个宽范围的功率应用中使用。
该PMPAK
5×6包是专门为电压转换应用
使用标准的红外线回流技术与背面的散热片，以
实现了良好的散热性能。
S
S
D
D
D
D
S
G
PMPAK
5x6
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（芯片） ，V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
-30
+25
-58
-18.5
-14.8
-200
50
5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
3
价值
2.5
25
单位
℃/W
℃/W
1
201205211
数据和规格如有变更，恕不另行通知
AP4439GMT-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-12A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-20A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=-20A
V
DS
=-15V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-20A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=-10V
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
-30
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
8
11
-1.4
28
-
-
30
6
15
11
7
100
65
490
420
5.3
MAX 。单位
-
10
15
-3
-
-10
+100
48
-
-
-
-
-
-
-
-
10.6
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
2750 4400
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -20A ，V
GS
=0V
I
S
=-10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
30
24
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP4439GMT-HF
200
120
160
-I
D
，漏电流（ A）
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
T
C
=25 C
-7.0V
-6.0V
-5.0V
V
G
= -4.0V
o
T
C
= 150
o
C
100
80
-10V
-7.0V
-6.0V
-5.0V
V
G
= -4.0V
120
60
80
40
40
20
0
0
4
8
12
16
0
0
2
4
6
8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
12
1.6
I
D
= -12 A
T
C
=25
o
C
11
I
D
= -20A
V
G
= -10V
1.4
10
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
9
1.0
8
0.8
7
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
20
I
D
= -250uA
16
1.6
12
归-V
GS （ TH）
-I
S
(A)
1.2
T
j
=150 C
8
o
T
j
=25 C
o
0.8
4
0.4
2.01E+09
0
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP4439GMT-HF
10
5000
f=1.0MHz
I
D
= -20 A
V
DS
= -15V
-V
GS
，门源电压（ V）
8
4000
6
C（ pF）的
3000
C
国际空间站
2000
4
2
1000
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
在这一领域
限于由R
DS （ ON）
0.2
-I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
P
DM
10
1ms
T
C
=25 C
单脉冲
o
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
c
10ms
100ms
DC
10
100
0.01
单脉冲
1
0.1
1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
100
80
V
DS
=-5V
80
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
60
-I
D
，漏电流（ A）
60
40
40
20
20
2.01E+09
0
0
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
TC，外壳温度（ C）
o
图11.传输特性
图12.最大连续漏极电流
V.S.外壳温度
4
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AA-5285
AT24C04A-10TC-2.5
ASPI-4118LS-R80
AP130-18R
ASTC-01-2
ACT-PD1M16X-070L4T
AD402M46VSA-5
ACT-E128K32C-250P3M
AM27PS191A30BJA
AT27C1024-20KC
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