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AP4435GM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
SO-8
S
S
D
D
D
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
S
G
-30V
20mΩ
-9A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
3
等级
- 30
+ 20
-9
-7.3
-50
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200811216
AP4435GM-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
分钟。
-30
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
16
-
-
-
18
3
10
8
6.6
44
34
195
190
MAX 。单位
-
20
32
-3
-
-1
-25
+100
29
-
-
-
-
-
-
-
-
V
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-7A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V
I
D
=-7A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
1175 1690
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -2.1A ，V
GS
=0V
I
S
= -7A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
28
18
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 125
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP4435GM-HF
50
50
T
A
=25 C
40
o
-I
D
，漏电流（ A）
30
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
V
G
= -3.0V
T
A
=150 C
40
o
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
30
V
G
= -3.0V
20
20
10
10
0
0
1
2
3
4
0
0
2
4
6
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
32
1.6
I
D
= -5A
28
T
A
=25 C
归一化
DS （ ON）
o
1.4
I
D
= -7A
V
G
= -10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
24
1.2
20
1.0
16
0.8
12
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2
10
1.8
8
-I
S
(A)
6
-V
GS （ TH）
(V)
1.3
T
j
=150
o
C
T
j
=25 C
o
1.6
1.4
4
1.2
2
1
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.8
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP4435GM-HF
f=1.0MHz
12
10000
-V
GS
，门源电压（ V）
10
8
I
D
= -7A
V
DS
= -24V
C（ pF）的
6
1000
C
国际空间站
4
2
C
OSS
C
RSS
100
0
10
20
30
40
1
5
9
13
17
21
25
29
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100.00
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
10.00
100us
1ms
-I
D
(A)
1.00
0.2
10ms
100ms
1s
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
0.02
0.01
单脉冲
0.10
T
o
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 125℃/W
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
40
V
DS
= -5V
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
30
-I
D
，漏电流（ A）
20
10
收费
0
Q
0
1
2
3
4
5
6
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷电路
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
MILLIMETERS
符号
民
喃
最大
8
7
6
5
E1
E
A
A1
B
c
D
E
E1
e
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
5.80
3.80
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
6.15
3.90
1.27 （典型值）
0.254 TYP
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
6.50
4.00
1
2
3
4
e
B
G
L
α
0.38
0.00
－
4.00
0.90
8.00
A
A1
G
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
4435GM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
如果最后"S"是数字字母： ROHS产品
如果最后"S"是英文字母： HF & RoHS产品
5
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推荐型号
ADM825TYKS-R7
AME8500CEFVAF40
ACTR980
AKN62308BP
AME5170
AD404M42VQA-5
ACT-S128K32N-025F2Q
AM29LV641DL121REIN
AZ2100-1C-18DE
AR253
AT49BV040T-20TI
AME8500AEFVBE26
AIC1721D-5CX
A-0709P12AWF
AD8542ARMZ-R21
AFL2824DW-CH
AP1302J-SP
ASCELL3912
AMS1084CD-2.85
AM29LV640DL90RWHIN
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP4435GM-HF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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APEC/富鼎
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SOP-8
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AP4435GM-HF
APEC
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全新原装正品/质量有保证
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电话：0755-82704952/28227524/89202071/82704952/13528737027
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电话：13528893675
联系人：朱先生
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AP4435GM-HF
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2405+
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SOIC-8150mil
十年芯路！只有原装！优势MOS场效应管
深圳市鑫远鹏科技有限公司
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电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
AP4435GM-HF
APEC/富鼎
2018+
99000
SOP-8
全新原装15818663367
深圳市格雷迪电子有限公司
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电话：15914072177
联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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24+
32883
SOP8
公司现货，全新原厂原装正品！
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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电话：0755-83223003
联系人：朱
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APEC/富鼎
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SOP8
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APEC
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10000
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