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AP4433GH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅极电荷
简单的驱动要求
快速开关特性
符合RoHS &无卤
G
P沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
30mΩ
-21.5A
S
描述
AP4433系列从高级电源创新的设计和
硅制程技术,以实现尽可能低的导通
电阻和快速开关的性能。它提供设计师
以在宽范围功率的极端有效的装置,用于使用
应用程序。
在TO- 252封装,广泛首选的所有商业,工业
表面贴装采用红外回流焊技术的应用和
适合于大电流的应用由于较低的连接
性。
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
3
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
+20
-21.5
-13.6
-80
20.8
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
3
价值
6
62.5
单位
℃/W
℃/W
1
201211281
数据和规格如有变更,恕不另行通知
AP4433GH-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-16A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-12A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-16A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=-16A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-16A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=-10V
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
-30
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
16
-
-
11
2.7
6
10
43
28
41
110
90
7
MAX 。单位
-
30
50
-3
-
-10
+100
17.6
-
-
-
-
-
-
-
-
14
V
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
1200 1920
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -16A ,V
GS
=0V
I
S
=-10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
15
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
2
AP4433GH-HF
80
50
T
C
= 25 C
-I
D
,漏电流( A)
o
-10V
-7.0 V
-6.0 V
-5.0 V
-I
D
,漏电流( A)
T
C
= 150
o
C
40
60
-10V
-7.0V
-6.0V
-5.0V
V
G
= - 4.0 V
30
40
V
G
= - 4.0 V
20
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
40
2.0
I
D
= -12 A
T
C
=25
o
C
36
1.8
I
D
= -16A
V
G
= -10V
1.6
归一化
DS ( ON)
2
4
6
8
10
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.4
32
1.2
28
1.0
0.8
24
0.6
20
0.4
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2
20
I
D
= -250uA
16
1.6
归V
GS ( TH)
-I
S
(A)
12
1.2
T
j
=150
o
C
8
T
j
=25
o
C
0.8
4
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP4433GH-HF
8
2000
f=1.0MHz
V
DS
= -24V
I
D
= -16A
-V
GS
,门源电压( V)
1600
6
C( pF)的
1200
C
国际空间站
4
800
2
400
0
0
4
8
12
16
20
0
C
OSS
C
RSS
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
在这一领域
限于由R
DS ( ON)
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
100us
0.2
-I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
1
1ms
10ms
100ms
DC
T
C
=25 C
单脉冲
o
P
DM
0.02
0.01
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
40
40
V
DS
= -5V
-I
D
,漏电流( A)
30
-I
D
,漏电流( A)
T
j
=150
o
C
o
T
j
=25 C
30
20
20
10
10
T
j
= -40 C
0
0
1
2
3
4
5
6
o
0
25
50
75
100
125
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
C
,外壳温度( C)
o
图11.传输特性
图12.最大连续漏极电流
V.S.外壳温度
4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP4433GH-HF
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
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地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AP4433GH-HF
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联系人:刘经理
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