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AP4430GEM
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
低导通电阻
D
G
D
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
SO-8
S
S
S
30V
4mΩ
20A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供设计师
与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备
设计，超低导通电阻和成本效益。
在SO -8封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G
D
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±12
20
16
80
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200806053
AP4430GEM
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=16A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=12A
分钟。
30
-
-
-
0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
20
-
-
-
63
6
26
13
8
100
45
745
750
1
MAX 。单位
-
-
4
5
8
1.2
-
1
25
±30
100
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
V
V/℃
mΩ
m
m
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
=±12V
I
D
=20A
V
DS
=25V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
4600 7360
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 2A ，V
GS
=0V
I
S
=20A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
46
54
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 125
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP4430GEM
80
80
T
A
= 25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
60
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
= 2 .0V
T
A
= 150
o
C
60
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
= 2 .0V
40
40
20
20
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
8
图2.典型的输出特性
1.8
I
D
=16A
T
A
=25
o
C
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
I
D
= 20 A
V
G
=10V
1.4
6
4
1.0
2
0.6
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
6.0
16
12
R
DS （ ON）
(m)
T
j
=150
o
C
I
S
(A)
T
j
=25
o
C
4.0
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
8
2.0
4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
0
20
40
60
80
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
I
D
，漏电流（ A）
图5.正向特性
反向二极管
图6.导通电阻与
漏电流
3
AP4430GEM
f=1.0MHz
12
10000
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
C（ pF）的
I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V
V
DS
= 20 V
V
DS
= 25 V
C
国际空间站
6
1000
C
OSS
C
RSS
4
2
0
0
40
80
120
160
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
10
100us
1ms
归热响应（R
thJA
)
0.2
0.1
0.1
I
D
(A)
10ms
1
0.05
P
DM
0.02
0.01
0.01
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 125℃/W
100ms
0.1
1s
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
DC
1
10
100
0.001
0.01
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
80
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
60
V
G
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
40
20
收费
0
Q
0
1
2
3
4
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A
8
7
6
5
E1
1
E
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
3.80
5.80
0.38
0
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
3.90
6.15
0.71
4.00
1.27 （典型值）
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
4.00
6.50
1.27
8.00
A1
B
C
D
E1
E
L
θ
2
3
4
e
B
e
A
A1
细节A
L
θ
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
c
细节A
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
4430GEM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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AD402M96VBB-5
AS2850YT-X
AS2810AU-3.0
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AK632128Z
AAT3216IJS-2.5-T1
AT49LV002-12JI
APA2613
AT49F020-90TI
AP1186T518
AV882
AEE02A48
APT10050JLC
AM29SL800DB100
ADG508ATCHIPS
ATF22V10C-10SU
AD6643-200EBZ
AT24C02N-10SU-2.7
AP1009
AM49DL32XBGT70IS
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
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    AP4430GEM
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地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
AP4430GEM
VB
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AP4430GEM
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联系人：销售部
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APEC/富鼎
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