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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第32页 > AP4418GH
AP4418GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
35V
20mΩ
33A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP4418GJ ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
35
±20
33
21
100
34.7
0.28
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.6
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200511051-1/4
AP4418GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
35
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
23
-
-
-
10
3
6
8
56
16
3
840
145
100
1.3
MAX 。单位
-
-
20
40
3
-
1
25
±100
16
-
-
-
-
-
-
1340
-
-
2.1
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=16A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=12A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=16A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=16A
V
DS
=30V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=16A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.94Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 16A ，V
GS
=0V
I
S
=16A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
22
11
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
AP4418GH/J
100
90
T
C
=25 C
80
o
10V
7.0V
T
C
= 150 C
7.0V
o
10V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
60
40
5.0V
4.5V
5.0V
30
4.5V
V
G
=3.0V
20
V
G
=3.0V
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
70
1.8
I
D
= 12 A
o
T
C
=25 C
50
I
D
= 16 A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
30
1.0
10
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
20
15
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
I
S
(A)
10
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1
5
0.6
0
0.2
0
0.4
0.8
1.2
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP4418GH/J
f=1.0MHz
16
1000
I
D
= 16 A
V
GS
，门源电压（ V）
12
C
国际空间站
8
C（ pF）的
V
DS
= 20 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 30 V
C
OSS
100
C
RSS
4
0
0
10
20
30
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000.0
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100.0
0.2
100us
I
D
(A)
10.0
0.1
0.1
0.05
1.0
T
c
=25
o
C
单脉冲
1ms
10ms
100ms
DC
P
DM
0.02
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.1
0.1
1
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
80
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
60
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
T
j
=25
o
C
40
T
j
=150
o
C
20
收费
0
0
2
4
6
8
10
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
AP4418GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
35V
20mΩ
33A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP4418GJ ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
35
±20
33
21
100
34.7
0.28
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.6
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200511051-1/4
AP4418GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
35
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
23
-
-
-
10
3
6
8
56
16
3
840
145
100
1.3
MAX 。单位
-
-
20
40
3
-
1
25
±100
16
-
-
-
-
-
-
1340
-
-
2.1
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=16A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=12A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=16A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=16A
V
DS
=30V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=16A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.94Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 16A ，V
GS
=0V
I
S
=16A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
22
11
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
AP4418GH/J
100
90
T
C
=25 C
80
o
10V
7.0V
T
C
= 150 C
7.0V
o
10V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
60
40
5.0V
4.5V
5.0V
30
4.5V
V
G
=3.0V
20
V
G
=3.0V
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
70
1.8
I
D
= 12 A
o
T
C
=25 C
50
I
D
= 16 A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
30
1.0
10
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
20
15
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
I
S
(A)
10
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1
5
0.6
0
0.2
0
0.4
0.8
1.2
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP4418GH/J
f=1.0MHz
16
1000
I
D
= 16 A
V
GS
，门源电压（ V）
12
C
国际空间站
8
C（ pF）的
V
DS
= 20 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 30 V
C
OSS
100
C
RSS
4
0
0
10
20
30
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000.0
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100.0
0.2
100us
I
D
(A)
10.0
0.1
0.1
0.05
1.0
T
c
=25
o
C
单脉冲
1ms
10ms
100ms
DC
P
DM
0.02
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.1
0.1
1
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
80
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
60
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
T
j
=25
o
C
40
T
j
=150
o
C
20
收费
0
0
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10
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
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AB-167
ASD50-24S24
ACS00DMSR
ADC128S102CIMTX
ADM8697ARW
AT28HC256E-12TI
AME385DEHSL
Am29LV800BT80WBCB
AVA0200
AD812AR-8
供货商
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厂家
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP4418GH
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    -
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更多配单专家
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电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
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