AP4415GH/J
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-35V
36mΩ
-24A
描述
在TO- 252封装，广泛首选的所有商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP4415GJ ）是
适用于薄型应用。
G
D
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-35
±25
-24
-15
-80
31.25
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
4
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200805263
AP4415GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-35
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.02
-
-
-
18
-
-
-
11
2
4
10
52
20
7
990
220
150
MAX 。单位
-
-
36
60
-3
-
-1
-25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1580
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-16A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-12A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-16A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=-16A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-16A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=0.94Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -16A ，V
GS
=0V
I
S
=-16A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
25
16
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
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