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AP4412M
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
D
D
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G
S
25V
33mΩ
7A
SO-8
S
S
描述
D
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±
20
7
5.8
30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
20020318
AP4412M
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
12
-
-
-
7
1.5
5
7
22
14.5
6
218
155
63
MAX 。单位
-
-
33
60
3
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=7A
V
DS
=16V
V
GS
=5V
V
DS
=16V
I
D
=7A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=2.3Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 2.3A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
2.08
1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当125 ℃ / W 。铜垫。
AP4412M
30
25
T
C
=25 C
25
o
10V
8.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
=150 C
20
o
10V
8.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
20
15
15
10
10
V
GS
=4.0V
5
V
GS
=4.0V
5
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
60
1.8
55
I
D
=7A
T
C
=25
℃
1.6
I
D
=7A
V
GS
=10V
50
45
归一化
DS （ ON）
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
40
1.2
35
1
30
0.8
25
20
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP4412M
8
3
7
6
I
D
，漏电流（ A）
2
5
4
3
1
2
1
0
25
50
75
100
125
150
P
D
(W)
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（ C）
o
T
c ,
外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
10
0.2
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1
0.02
0.01
100ms
1s
0.1
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
10s
T
C
=25
o
C
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=125
o
C / W
DC
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP4412M
16
f=1.0MHz
1000
14
I
D
=7A
V
DS
=16V
V
GS
，门源电压（ V）
12
西塞
10
科斯
8
C（ pF）的
100
CRSS
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
10
2
Tj=150
o
C
Tj=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1
0
1.3
1.5
-50
I
S
(A)
1
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
AP4412M
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
D
D
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G
S
25V
33mΩ
7A
SO-8
S
S
描述
D
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±
20
7
5.8
30
2.5
0.02
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
50
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
20020318
AP4412M
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
12
-
-
-
7
1.5
5
7
22
14.5
6
218
155
63
MAX 。单位
-
-
33
60
3
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=7A
V
DS
=16V
V
GS
=5V
V
DS
=16V
I
D
=7A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=2.3Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 2.3A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
典型值。
-
-
MAX 。单位
2.08
1.2
A
V
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当125 ℃ / W 。铜垫。
AP4412M
30
25
T
C
=25 C
25
o
10V
8.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
=150 C
20
o
10V
8.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
20
15
15
10
10
V
GS
=4.0V
5
V
GS
=4.0V
5
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0
1
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0
0
1
2
3
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5
6
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
60
1.8
55
I
D
=7A
T
C
=25
℃
1.6
I
D
=7A
V
GS
=10V
50
45
归一化
DS （ ON）
3
4
5
6
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8
9
10
11
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
40
1.2
35
1
30
0.8
25
20
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP4412M
8
3
7
6
I
D
，漏电流（ A）
2
5
4
3
1
2
1
0
25
50
75
100
125
150
P
D
(W)
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（ C）
o
T
c ,
外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
占空比= 0.5
归热响应（R
thJA
)
10
0.2
1ms
10ms
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1
0.02
0.01
100ms
1s
0.1
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
10s
T
C
=25
o
C
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=125
o
C / W
DC
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP4412M
16
f=1.0MHz
1000
14
I
D
=7A
V
DS
=16V
V
GS
，门源电压（ V）
12
西塞
10
科斯
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C（ pF）的
100
CRSS
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4
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Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
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2
Tj=150
o
C
Tj=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1
0
1.3
1.5
-50
I
S
(A)
1
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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AM27X040-200JI
AR749
AD5762R
AME8501CEFTAF44
AD8664ARZ-REEL
AON6404A
AK4365VN
AT28C256E-30UM/883
AP131-48W
AME8501AEFTAE24
AT6000
AXN360130S
AS7C1028-15JC
AMS4154
AM42DL640AG45IT
供货商
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厂家
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数量
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操作
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    联系人：杨小姐
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更多配单专家
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联系人：许小姐
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AP4412M
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电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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APEC
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联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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99000
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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VBSEMI
2443+
23000
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一级代理专营，原装现货，价格优势
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