初步数据表
双运算放大器和参考电压
概述
该AP4310是一个单片IC专
调节器的输出电流和电压电平
开关电池充电器和电源。
该器件包含两个运算放大器和一个2.5V的精密度
锡安并联型电压基准。运算放大器1是专为
其非反相输入端电压控制在内部
连接到并联稳压器的输出。运算放大器
图2是用于电流控制与两个输入端的未提交。
该IC提供电源转换器设计的控制
解决方案，具有更高的精确度与corre-
应的降低系统的复杂性和成本。
在AP4310是DIP-标准封装
8和SOIC - 8 。
AP4310
特点
运算放大器
·
输入失调电压：在0.5mV
·
电源电流：每个运算放大器75μA在5.0V支持部门
层电压
·
单位增益带宽： 1MHz的
·
输出电压摆幅： 0 （V
CC
- 1.5) V
·
电源电压范围： 3至36V
参考电压
·
固定输出电压参考： 2.5V
·
电压容差：
±
0.4%,
±
1%
·
灌电流能力： 0.05 80mA的
·
典型的输出阻抗： 0.2
应用
·
·
电池充电器
开关电源
SOIC-8
DIP-8
AP4310图1.包装类型
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
1
初步数据表
双运算放大器和参考电压
订购信息
AP4310
AP4310
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
包
M： SOIC - 8
P： DIP - 8
电路类型
电压容差
A:
±
0.4%
空白：
±
1%
包
参考
电压
2.5V
电压
公差
温度
TURE系列
-40 to105
o
C
产品型号
铅锡
AP4310AP
AP4310P
无铅
AP4310AP-E1
AP4310P-E1
AP4310AM-E1
AP4310AMTR-E1
AP4310M-E1
AP4310MTR-E1
标记ID
铅锡
AP4310AP
AP4310P
4310AM
4310AM
4310M
4310M
无铅
AP4310AP-E1
填料
TYPE
管
±
0.4%
DIP-8
±
1%
±
0.4%
AP4310P-E1
AP4310AM-E1
管
SOIC-8
2.5V
-40 to105
o
AP4310AM
AP4310AMTR
-40 to105
o
AP4310M
AP4310MTR
AP4310AM -E1带&卷轴
AP4310M-E1
AP4310M-E1
管
磁带&卷轴
±
1%
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
3
初步数据表
双运算放大器和参考电压
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压（V
CC
到GND）
运算放大器1和2的输入电压范围（引脚2 ， 5 ， 6 ）
运算放大器2的输入差分电压（引脚5,6）
电压基准阴极电流（引脚3 ）
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
ID
I
K
P
D
DIP-8
SOIC-8
存储温度范围
ESD保护电压（人体模型）
T
英镑
价值
40
- 0.3 V
CC
+ 0.3
40
100
800
500
o
C
AP4310
单位
V
V
V
mA
mW
-65到150
≥
2000
V
注1 ：应力大于下"Absolute最大额定值"可能会导致永久性损坏
该设备。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在"Recommended工作Conditions"表示是不是暗示。置身于"Absolute MAX-
imum评级"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
环境温度
民
3
-40
最大
36
105
单位
V
o
C
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
4
初步数据表
双运算放大器和参考电压
电气特性
工作条件： V
CC
=
+
5V ，T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
参数
条件
民
典型值
0.15
0.20
最大
0.25
0.30
单位
mA
AP4310
总电源电流，电流不包括V = 5V ，空载， -40
o
C
≤
T
≤
105
o
C
CC
A
租在基准电压源
V
CC
= 30V ，无负载， -40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
电压参考部分
AP4310A
参考电压
AP4310
I
K
= 10毫安
T
A
= 2
5
o
C
-40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
T
A
= 2
5
o
C
-40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
参考电压偏差
在整个温度范围
最小阴极电流
规制
动态阻抗
I
K
= 1.0 80mA的电流， f<1kHz
I
K
= 10毫安，T
A
= -40至105
o
C
2.49
2.48
2.475
2.45
2.50
2.50
2.50
2.50
5
0.01
0.2
2.51
2.52
2.525
2.55
24
0.05
0.5
V
V
mV
mA
运算放大器1节
（ VCC = 5V ， VO = 1.4V ， TA = 25
o
C，除非另有说明）
输入失调电压
T
A
= 25
o
C
T
A
= -40至105
o
C
输入失调电压
温度漂移
T
A
= -40至105
o
C
0.5
3
5
7
mV
V/
o
C
nA
dB
dB
mA
mA
V
输入偏置电流（反相输入端T为25
o
C
A
只）
大信号电压增益
电源抑制比
输出电流
来源
SINK
输出电压摆幅（高）
输出电压摆幅（低）
压摆率
V
CC
= 15V ，R
L
=为2kΩ ，V
O
= 1.4 11.4V
V
CC
= 5 30V
V
CC
= 15V, V
ID
= 1V, V
O
=2V
V
CC
= 15V, V
ID
= -1V, V
O
= 2V
V
CC
= 30V ，R
L
= 10kΩ的，V
ID
= 1V
V
CC
= 30V ，R
L
= 10kΩ的，V
ID
= -1V
V
CC
= 18V ，R
L
=为2kΩ ，A
V
= 1,
V
IN
= 0.5 2V ，C
L
= 100pF的
V
CC
= 30V ，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的
0.2
85
70
20
7
27
20
100
90
40
20
28
17
0.5
150
100
mV
V / μ s
单位增益带宽
0.7
1.0
兆赫
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
5
数据表
双运算放大器和参考电压
概述
该AP4310是一个单片IC专
调节器的输出电流和电压电平
开关电池充电器和电源。
该器件包含两个运算放大器和一个2.5V的精密度
锡安并联型电压基准。运算放大器1是专为
其非反相输入端电压控制在内部
连接到并联稳压器的输出。运算放大器
图2是用于电流控制与两个输入端的未提交。
该IC提供电源转换器设计的控制
解决方案，具有更高的精确度与corre-
应的降低系统的复杂性和成本。
在AP4310是DIP-标准封装
8和SOIC - 8 。
AP4310
特点
运算放大器
·
输入失调电压：在0.5mV
·
电源电流：每个运算放大器75μA在5.0V支持部门
层电压
·
单位增益带宽： 1MHz的
·
输出电压摆幅： 0 （V
CC
-1.5) V
·
电源电压范围： 3至36V
参考电压
·
固定输出电压参考： 2.5V
·
电压容差：
±
0.4%,
±
1%
·
灌电流能力： 0.05 80mA的
·
典型的输出阻抗： 0.2
应用
·
·
电池充电器
开关电源
SOIC-8
DIP-8
AP4310图1.包装类型
2006年7月修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器和参考电压
订购信息
AP4310
AP4310
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
包
M： SOIC - 8
P： DIP - 8
电路类型
电压容差
A:
±
0.4%
空白：
±
1%
包
参考
电压
2.5V
电压
公差
温度
TURE系列
-40 to105
o
C
产品型号
铅锡
AP4310AP
AP4310P
无铅
AP4310AP-E1
AP4310P-E1
AP4310AM-E1
AP4310AMTR-E1
AP4310M-E1
AP4310MTR-E1
标记ID
铅锡
AP4310AP
AP4310P
4310AM
4310AM
4310M
4310M
无铅
AP4310AP-E1
填料
TYPE
管
±
0.4%
DIP-8
±
1%
±
0.4%
AP4310P-E1
AP4310AM-E1
管
SOIC-8
2.5V
-40 to105
o
AP4310AM
AP4310AMTR
-40 to105
o
AP4310M
AP4310MTR
AP4310AM -E1带&卷轴
AP4310M-E1
AP4310M-E1
管
磁带&卷轴
±
1%
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2006年7月修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器和参考电压
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压（V
CC
到GND）
运算放大器1和2的输入电压范围（引脚2 ， 5 ， 6 ）
运算放大器2的输入差分电压（引脚5,6）
电压基准阴极电流（引脚3 ）
功率耗散（T
A
=25 C)
工作结温
存储温度范围
引线温度（焊接10秒）
o
AP4310
符号
V
CC
V
IN
V
ID
I
K
DIP-8
P
D
T
J
T
英镑
T
领导
价值
40
-0.3到V
CC
+0.3
40
100
800
500
150
-65到150
260
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
o
SOIC-8
C
C
C
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在"Recommended工作Conditions"表示是不是暗示。置身于"Absolute MAX-
imum Ratings"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
环境温度
民
3
-40
最大
36
105
单位
V
o
C
2006年7月修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器和参考电压
电气特性
工作条件： V
CC
=
+
5V ，T
A
=25
o
C除非另有规定ED 。
参数
条件
民
典型值
0.15
0.20
最大
0.25
mA
0.30
单位
AP4310
总电源电流，电流不包括V = 5V ，空载， -40
o
C
≤
T
≤
105
o
C
CC
A
租在基准电压源
V
CC
= 30V ，无负载， -40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
电压参考部分
AP4310A
参考电压
AP4310
I
K
=10mA
T
A
=2
5
o
C
-40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
T
A
=2
5
o
C
-40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
参考电压偏差
在整个温度范围
最小阴极电流
规制
动态阻抗
I
K
= 1.0 80mA的电流， f<1kHz
I
K
= 10毫安，T
A
--40至105
o
C
2.49
2.48
2.475
2.45
2.50
2.50
2.50
2.50
5
0.01
0.2
2.51
V
2.52
2.525
V
2.55
24
0.05
0.5
mV
mA
运算放大器1节
(V
CC
=5V, V
O
= 1.4V ，T
A
=25
o
C，除非另有说明）
输入失调电压
T
A
=25
o
C
T
A
= -40 105℃
输入失调电压
温度漂移
T
A
--40至105
o
C
7
o
0.5
3
mV
5
V/
o
C
150
nA
dB
dB
mA
mA
V
100
mV
V / μ s
输入偏置电流（反相输入端T为25
o
C
A
只）
大信号电压增益
电源抑制比
来源
输出电流
SINK
V
CC
= 15V ，R
L
=为2kΩ ，V
O
= 1.4 11.4V
V
CC
= 5 30V
V
CC
=15V, V
ID
=1V, V
O
=2V
V
CC
=15V, V
ID
=-1V, V
O
=2V
V
CC
= 30V ，R
L
= 10kΩ的，V
ID
=1V
V
CC
= 30V ，R
L
= 10kΩ的，V
ID
=-1V
V
CC
= 18V ，R
L
=为2kΩ ，A
V
=1,
V
IN
= 0.5 2V ，C
L
=100pF
V
CC
= 30V ，R
L
=为2kΩ ，C
L
=100pF
0.2
85
70
20
7
27
20
100
90
40
20
28
17
0.5
输出电压摆幅（高）
输出电压摆幅（低）
压摆率
单位增益带宽
0.7
1.0
兆赫
2006年7月修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
双运算放大器和参考电压
概述
该AP4310是一个单片IC专
调节器的输出电流和电压电平
开关电池充电器和电源。
该器件包含两个运算放大器和一个2.5V的精密度
锡安并联型电压基准。运算放大器1是专为
其非反相输入端电压控制在内部
连接到并联稳压器的输出。运算放大器
图2是用于电流控制与两个输入端的未提交。
该IC提供电源转换器设计的控制
解决方案，具有更高的精确度与corre-
应的降低系统的复杂性和成本。
在AP4310是DIP-标准封装
8和SOIC - 8 。
AP4310
特点
运算放大器
·
输入失调电压：在0.5mV
·
电源电流：每个运算放大器75μA在5.0V支持部门
层电压
·
单位增益带宽： 1MHz的
·
输出电压摆幅： 0 （V
CC
- 1.5) V
·
电源电压范围： 3至36V
参考电压
·
固定输出电压参考： 2.5V
·
电压容差：
±
0.4%,
±
1%
·
灌电流能力： 0.05 80mA的
·
典型的输出阻抗： 0.2
应用
·
·
电池充电器
开关电源
SOIC-8
DIP-8
AP4310图1.包装类型
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
1
初步数据表
双运算放大器和参考电压
订购信息
AP4310
AP4310
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
包
M： SOIC - 8
P： DIP - 8
电路类型
电压容差
A:
±
0.4%
空白：
±
1%
包
参考
电压
2.5V
电压
公差
温度
TURE系列
-40 to105
o
C
产品型号
铅锡
AP4310AP
AP4310P
无铅
AP4310AP-E1
AP4310P-E1
AP4310AM-E1
AP4310AMTR-E1
AP4310M-E1
AP4310MTR-E1
标记ID
铅锡
AP4310AP
AP4310P
4310AM
4310AM
4310M
4310M
无铅
AP4310AP-E1
填料
TYPE
管
±
0.4%
DIP-8
±
1%
±
0.4%
AP4310P-E1
AP4310AM-E1
管
SOIC-8
2.5V
-40 to105
o
AP4310AM
AP4310AMTR
-40 to105
o
AP4310M
AP4310MTR
AP4310AM -E1带&卷轴
AP4310M-E1
AP4310M-E1
管
磁带&卷轴
±
1%
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
3
初步数据表
双运算放大器和参考电压
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压（V
CC
到GND）
运算放大器1和2的输入电压范围（引脚2 ， 5 ， 6 ）
运算放大器2的输入差分电压（引脚5,6）
电压基准阴极电流（引脚3 ）
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
ID
I
K
P
D
DIP-8
SOIC-8
存储温度范围
ESD保护电压（人体模型）
T
英镑
价值
40
- 0.3 V
CC
+ 0.3
40
100
800
500
o
C
AP4310
单位
V
V
V
mA
mW
-65到150
≥
2000
V
注1 ：应力大于下"Absolute最大额定值"可能会导致永久性损坏
该设备。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在"Recommended工作Conditions"表示是不是暗示。置身于"Absolute MAX-
imum评级"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
环境温度
民
3
-40
最大
36
105
单位
V
o
C
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
4
初步数据表
双运算放大器和参考电压
电气特性
工作条件： V
CC
=
+
5V ，T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
参数
条件
民
典型值
0.15
0.20
最大
0.25
0.30
单位
mA
AP4310
总电源电流，电流不包括V = 5V ，空载， -40
o
C
≤
T
≤
105
o
C
CC
A
租在基准电压源
V
CC
= 30V ，无负载， -40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
电压参考部分
AP4310A
参考电压
AP4310
I
K
= 10毫安
T
A
= 2
5
o
C
-40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
T
A
= 2
5
o
C
-40
o
C
≤
T
A
≤
105
o
C
参考电压偏差
在整个温度范围
最小阴极电流
规制
动态阻抗
I
K
= 1.0 80mA的电流， f<1kHz
I
K
= 10毫安，T
A
= -40至105
o
C
2.49
2.48
2.475
2.45
2.50
2.50
2.50
2.50
5
0.01
0.2
2.51
2.52
2.525
2.55
24
0.05
0.5
V
V
mV
mA
运算放大器1节
（ VCC = 5V ， VO = 1.4V ， TA = 25
o
C，除非另有说明）
输入失调电压
T
A
= 25
o
C
T
A
= -40至105
o
C
输入失调电压
温度漂移
T
A
= -40至105
o
C
0.5
3
5
7
mV
V/
o
C
nA
dB
dB
mA
mA
V
输入偏置电流（反相输入端T为25
o
C
A
只）
大信号电压增益
电源抑制比
输出电流
来源
SINK
输出电压摆幅（高）
输出电压摆幅（低）
压摆率
V
CC
= 15V ，R
L
=为2kΩ ，V
O
= 1.4 11.4V
V
CC
= 5 30V
V
CC
= 15V, V
ID
= 1V, V
O
=2V
V
CC
= 15V, V
ID
= -1V, V
O
= 2V
V
CC
= 30V ，R
L
= 10kΩ的，V
ID
= 1V
V
CC
= 30V ，R
L
= 10kΩ的，V
ID
= -1V
V
CC
= 18V ，R
L
=为2kΩ ，A
V
= 1,
V
IN
= 0.5 2V ，C
L
= 100pF的
V
CC
= 30V ，R
L
=为2kΩ ，C
L
= 100pF的
0.2
85
70
20
7
27
20
100
90
40
20
28
17
0.5
150
100
mV
V / μ s
单位增益带宽
0.7
1.0
兆赫
2005年4月修订版1.2
BCD半导体制造有限公司
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