先进的模拟电路
数据表
AP4301
双运算放大器和参考电压
概述
该AP4301是一个单片IC专
来控制的输出电流和电压电平
开关模式电池充电器和电源。
该器件包含两个运算放大器和一个
精密并联稳压器。运算放大器1被设计为
电压控制，其内部的非反相输入
连接到并联稳压器的输出中。运放2
是目前控制两个输入端未提交。
该IC提供电源转换器设计的控制
解决方案，具有更高的精确度与corre-
应的降低系统的复杂性和成本。
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
输入失调电压：在0.5mV
电源电流： 250μA每个运算放大器在5.0V支持
层电压
单位增益带宽： 1MHz的
输出电压摆幅： 0 （V
CC
- 1.5)V
电源电压范围： 3至18V
固定输出电压的参考： 1.25V ， 1.24V
电压容差： 0.5 ％ ， 1 ％
灌电流能力为0.1 80mA的
封装类型： DIP -8和SOIC- 8
应用
·
·
电池充电器
开关模式电源
SOIC-8
DIP-8
AP4301图1.包装类型
2003年3月，
1
Rev.1.0
先进的模拟电路
数据表
AP4301
双运算放大器和参考电压
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
CC
到GND）
运放1和2的输入电压范围（引脚2 ， 5 ， 6 ）
运算放大器2的输入差分电压（引脚5,6）
电压基准阴极电流（引脚3 ）
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
ID
I
K
P
D
T
英镑
-
DIP-8
SOIC-8
存储温度范围
ESD保护电压（机器型号）
价值
20
- 0.3 V
CC
- 0.3
20
100
800
500
-65到150
≥
200
单位
V
V
V
mA
mW
o
C
V
注：应力大于下"Absolute最大额定值"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
那些在"Recommended操作评级"表示是不是暗示。置身于"Absolute最大额定
英格斯"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作额定值
参数
电源电压
环境温度
民
3
-40
最大
18
85
o
单位
V
C
2003年3月，
5
Rev.1.0
先进的模拟电路
数据表
AP4301
双运算放大器和参考电压
概述
该AP4301是一个单片IC专
来控制的输出电流和电压电平
开关模式电池充电器和电源。
该器件包含两个运算放大器和一个
精密并联稳压器。运算放大器1被设计为
电压控制，其内部的非反相输入
连接到并联稳压器的输出中。运放2
是目前控制两个输入端未提交。
该IC提供电源转换器设计的控制
解决方案，具有更高的精确度与corre-
应的降低系统的复杂性和成本。
特点
·
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·
输入失调电压：在0.5mV
电源电流： 250μA每个运算放大器在5.0V支持
层电压
单位增益带宽： 1MHz的
输出电压摆幅： 0 （V
CC
- 1.5)V
电源电压范围： 3至18V
固定输出电压的参考： 1.25V ， 1.24V
电压容差： 0.5 ％ ， 1 ％
灌电流能力为0.1 80mA的
封装类型： DIP -8和SOIC- 8
应用
·
·
电池充电器
开关模式电源
SOIC-8
DIP-8
AP4301图1.包装类型
2003年3月，
1
Rev.1.0
先进的模拟电路
数据表
AP4301
双运算放大器和参考电压
绝对最大额定值
参数
电源电压（V
CC
到GND）
运放1和2的输入电压范围（引脚2 ， 5 ， 6 ）
运算放大器2的输入差分电压（引脚5,6）
电压基准阴极电流（引脚3 ）
功耗
符号
V
CC
V
IN
V
ID
I
K
P
D
T
英镑
-
DIP-8
SOIC-8
存储温度范围
ESD保护电压（机器型号）
价值
20
- 0.3 V
CC
- 0.3
20
100
800
500
-65到150
≥
200
单位
V
V
V
mA
mW
o
C
V
注：应力大于下"Absolute最大额定值"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或以后的任何其他条件
那些在"Recommended操作评级"表示是不是暗示。置身于"Absolute最大额定
英格斯"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作额定值
参数
电源电压
环境温度
民
3
-40
最大
18
85
o
单位
V
C
2003年3月，
5
Rev.1.0
数据表
双运算放大器和参考电压
概述
该AP4301是一个单片IC专
调节器的输出电流和电压电平
开关电池充电器和电源。
该器件包含两个运算放大器和一个
精密并联稳压器。运算放大器1是专为
电压控制，其内部的非反相输入
连接到并联稳压器的输出。运算放大器
图2是用于电流控制与两个输入端的未提交。
该IC提供电源转换器设计的控制
解决方案，具有更高的精确度与corre-
应的降低系统的复杂性和成本。
在AP4301是DIP-标准封装
8和SOIC - 8 。
AP4301
特点
运算放大器
·
输入失调电压：在0.5mV
·
电源电流： 250μA每个运算放大器在5.0V支持
层电压
·
单位增益带宽： 1MHz的
·
输出电压摆幅： 0 （V
CC
-1.5)V
·
电源电压范围： 3至18V
参考电压
·
固定输出电压的参考： 1.25V ， 1.24V
·
电压容差： 0.5 ％ ， 1 ％
·
灌电流能力为0.1 80mA的
应用
·
·
电池充电器
开关电源
SOIC-8
DIP-8
AP4301图1.包装类型
2006年7月修订版1.2
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器和参考电压
订购信息
AP4301
电路类型
电压容差
A: 0.5%
B: 1%
包
M： SOIC - 8
P： DIP - 8
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
输出电压参考值
C： 1.25V
D： 1.24V
AP4301
包
为参考
ENCE
电压
1.25V
电压
公差
0.5%
1%
0.5%
1%
0.5%
温度
TURE系列
产品型号
铅锡
AP4301AP-C
无铅
AP4301AP-CE1
AP4301BP-CE1
AP4301AP-DE1
AP4301BP-DE1
AP4301AM-CE1
标记ID
铅锡
AP4301AP-C
AP4301BP-C
AP4301AP-D
AP4301BP-D
无铅
AP4301AP-CE1
AP4301BP-CE1
AP4301AP-DE1
AP4301BP-DE1
填料
TYPE
DIP-8
1.24V
-40到85
o
C
AP4301BP-C
AP4301AP-D
AP4301BP-D
AP4301AM-C
管
AP4301AM -C AP4301AM - CE1
管
磁带&
REEL
管
磁带&
REEL
管
磁带&
REEL
管
TAPE /
REEL
AP4301AM -CTR AP4301AM - CTRE1 AP4301AM -C AP4301AM - CE1
AP4301BM-C
AP4301BM-CE1
AP4301BM -C AP4301BM - CE1
1.25V
1%
SOIC-8
0.5%
1.24V
1%
-40至85℃
o
AP4301BM -CTR AP4301BM - CTRE1 AP4301BM -C AP4301BM - CE1
AP4301AM-D
AP4301AM-DE1
AP4301AM -D AP4301AM - DE1
AP4301AM - DTR AP4301AM - DTRE1 AP4301AM -D AP4301AM - DE1
AP4301BM-D
AP4301BM-DE1
AP4301BM -D AP4301BM - DE1
AP4301BM - DTR AP4301BM - DTRE1 AP4301BM -D AP4301BM - DE1
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2006年7月修订版1.2
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
双运算放大器和参考电压
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压（V
CC
到GND）
运算放大器1和2的输入电压范围（引脚2 ， 5 ， 6 ）
运算放大器2的输入差分电压（引脚5,6）
电压基准阴极电流（引脚3 ）
功耗
工作结温
存储温度范围
引线温度（焊接10秒）
符号
V
CC
V
IN
V
ID
I
K
DIP-8
P
D
T
J
T
英镑
T
L
SOIC-8
150
-65到150
260
价值
20
-0.3到V
CC
+0.3
20
100
800
500
mW
o
o
o
AP4301
单位
V
V
V
mA
C
C
C
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"上市可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在"Recommended工作Conditions"表示是不是暗示。置身于"Absolute MAX-
imum Ratings"长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
环境温度
民
3
-40
最大
18
85
单位
V
o
C
2006年7月修订版1.2
5
BCD半导体制造有限公司
QQ：2881677436 复制
