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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1702页 > AP42T03GP
AP42T03GP
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅电荷
▼
快速开关特性
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
22mΩ
30A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO-220封装被广泛地优选用于商业工业
功率应用和适合于低电压的应用，如
DC / DC转换器。
G
D
TO-220(P)
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
c
=25℃
I
D
@T
c
=100℃
I
DM
P
D
@T
c
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
+20
30
18
120
27.8
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
4.5
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200811271
AP42T03GP
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=18A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=14A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=18A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V
I
D
=18A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=18A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.83Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
20
-
-
-
8
2.5
4.5
7.5
55
17
5.5
615
150
100
MAX 。单位
-
22
35
3
-
1
25
+100
13
-
-
-
-
-
-
980
-
-
V
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏极 - 源极漏电流（T
j
=125
o
C)
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 18A ，V
GS
=0V
I
S
=10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
23
17
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。操作区域。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP42T03GP
100
80
T
C
=25
o
C
80
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
60
T
C
=150
o
C
10V
7.0V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
60
5.0V
40
40
V
G
= 4. 0V
20
V
G
=4.0V
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
32
2.0
I
D
=14A
T
C
=25
℃
28
I
D
=18A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
1.4
24
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
20
16
0.8
12
8
2
4
6
8
10
0.2
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
20
16
1.2
I
S
(A)
12
T
j
=150 C
o
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
0.8
8
0.4
4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C )
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP42T03GP
f=1.0MHz
12
1000
I
D
=18A
V
GS
，门源电压（ V）
800
9
6
C（ pF）的
V
DS
=15V
V
DS
=18V
V
DS
=24V
600
C
国际空间站
400
3
200
C
OSS
C
RSS
1
5
9
13
17
21
25
29
0
0
4
8
12
16
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
占空比= 0.5
100
归热响应（R
thJC
)
0.2
I
D
(A)
100us
10
0.1
0.1
0.05
1
T
C
=25 C
单脉冲
0
0.1
1
10
o
1ms
10ms
100ms
DC
P
DM
t
0.02
T
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 220
E1
E
φ
L2
A
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
L1
A
4.25
0.65
1.15
0.40
1.00
9.70
---
----
12.70
2.60
1.00
2.60
14.70
6.30
3.50
8.40
4.48
0.80
1.38
0.50
1.20
10.00
---
2.54
13.60
2.80
1.40
3.10
15.50
6.50
3.70
8.90
4.70
0.90
1.60
0.60
1.40
10.40
11.50
----
14.50
3.00
1.80
3.60
16.00
6.70
3.90
9.40
L5
c1
b
b1
c
c1
E
E1
D
L4
e
L
L1
L2
L3
L4
L5
L3
b1
L
φ
D
b
c
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
最热资讯&包装： TO- 220
产品型号
符合RoHS要求
低电压MOSFET只
封装代码
42T03GP
标志
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
5
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推荐型号
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AIAM-03-180K
AP1501A-33K5G-U
AM8TW-2412DC
AT49LV040T-20TC
ADP2370ACPZ-5.0-R7
ASMC-PHB9-TX5K5
AMS2954ACT-25
AD1928
ADS6442
APT601R6CN
AF33A
APTDC10H601G
AME8500BEEVBF42
A0161F
A493-0150-02
AM3TW-4824S-RZ
AM29707ALMB
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    AP42T03GP
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