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AP4232GM

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

简单的驱动要求

▼

双N MOSFET封装

D1

D2

D1

D2

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

G2

S2

30V

22mΩ

7.8A

SO-8

S1

G1

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

D1

D2

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

30

±20

7.8

6.2

30

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200112051

AP4232GM

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

30

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.02

-

-

-

12

-

-

-

13

3

9

10

7

22

8

720

230

200

1.2

MAX 。单位

-

-

22

32

3

-

1

25

±100

21

-

-

-

-

-

-

1150

-

-

1.8

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=7A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=7A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=7A

V

DS

=24V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

=7A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

16

8

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 135

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP4232GM

40

40

T

A

= 25 C

30

o

I

D

，漏电流（ A）

10V

7.0 V

5.0 V

4.5 V

I

D

，漏电流（ A）

T

A

= 150 C

o

30

10V

7.0 V

5.0 V

4.5 V

20

20

10

10

V

G

= 3.0 V

V

G

= 3.0 V

0

0

1

2

3

4

5

0

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

30

1.6

I

D

=5A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

25

I

D

=7A

V

G

=10V

1.3

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

20

1.0

15

0.7

2

4

6

8

10

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.0

8

6

1.5

4

归V

GS （ TH）

(V)

1.2

I

S

(A)

1.0

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

0.5

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0.0

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4232GM

f=1.0MHz

16

1000

I

D

=7A

V

GS

，门源电压（ V）

C

国际空间站

12

8

C（ pF）的

V

DS

=15V

V

DS

=20V

V

DS

=24V

C

OSS

4

C

RSS

0

0

5

10

15

20

25

30

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

10

100us

1ms

I

D

(A)

1

0.1

0.1

0.05

10ms

100ms

0.02

P

DM

t

T

单脉冲

0.01

0.01

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 135℃/W

℃

0.1

T

A

=25

o

C

单脉冲

1s

DC

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

30

V

DS

=5V

I

D

，漏电流（ A）

T

j

=25

o

C

20

V

G

T

j

=150

o

C

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10

收费

0

Q

0

2

4

6

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

AP4232GM

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

简单的驱动要求

▼

双N MOSFET封装

D1

D2

D1

D2

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

G2

S2

30V

22mΩ

7.8A

SO-8

S1

G1

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

D1

D2

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

30

±20

7.8

6.2

30

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200112051

AP4232GM

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

30

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.02

-

-

-

12

-

-

-

13

3

9

10

7

22

8

720

230

200

1.2

MAX 。单位

-

-

22

32

3

-

1

25

±100

21

-

-

-

-

-

-

1150

-

-

1.8

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

Ω

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=7A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=7A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=7A

V

DS

=24V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

=7A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

16

8

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 135

℃/W

安装在最小的时候。铜垫。

AP4232GM

40

40

T

A

= 25 C

30

o

I

D

，漏电流（ A）

10V

7.0 V

5.0 V

4.5 V

I

D

，漏电流（ A）

T

A

= 150 C

o

30

10V

7.0 V

5.0 V

4.5 V

20

20

10

10

V

G

= 3.0 V

V

G

= 3.0 V

0

0

1

2

3

4

5

0

0

1

2

3

4

5

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

30

1.6

I

D

=5A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

25

I

D

=7A

V

G

=10V

1.3

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

20

1.0

15

0.7

2

4

6

8

10

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.0

8

6

1.5

4

归V

GS （ TH）

(V)

1.2

I

S

(A)

1.0

T

j

=150

o

C

2

T

j

=25

o

C

0.5

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

0.0

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4232GM

f=1.0MHz

16

1000

I

D

=7A

V

GS

，门源电压（ V）

C

国际空间站

12

8

C（ pF）的

V

DS

=15V

V

DS

=20V

V

DS

=24V

C

OSS

4

C

RSS

0

0

5

10

15

20

25

30

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

10

100us

1ms

I

D

(A)

1

0.1

0.1

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10ms

100ms

0.02

P

DM

t

T

单脉冲

0.01

0.01

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

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℃

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C

单脉冲

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DC

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0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

30

V

DS

=5V

I

D

，漏电流（ A）

T

j

=25

o

C

20

V

G

T

j

=150

o

C

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10

收费

0

Q

0

2

4

6

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

图11.传输特性

图12.栅极电荷波形

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电话：13528893675

联系人：朱先生

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联系人：马小姐

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2092

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