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AP4226D

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

单驱动要求

▼

PDIP - 8封装

G2

D1

D2

D2

D1

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

S2

G1

S1

30V

18mΩ

8.2A

PDIP-8

描述

D1

D2

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

等级

30

±20

8.2

6.7

30

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200218041

AP4226D

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

30

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.03

-

-

-

15

-

-

-

20

5

12

12

8

31

12

320

230

MAX 。单位

-

-

18

28

3

-

1

25

±100

30

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=8A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=6A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=6A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V ,V

GS

=0V

V

GS

= ±20V

I

D

=8A

V

DS

=24V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1450 2320

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

=8A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

27

18

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.安装在1

2

FR4电路板的铜垫; 90 ℃ / W安装在最小的时候。铜垫。

AP4226D

35

35

T

A

=25 C

28

o

10V

T

A

=150 C

5.0V

4.0V

I

D

，漏电流（ A）

28

o

10V

5.0V

4.0V

I

D

，漏电流（ A）

21

21

14

14

7

7

V

G

=3.0V

V

G

=3.0V

0

0

1

1

2

2

3

0

0

1

1

2

2

3

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

80

1.8

I

D

=6A

T

A

=25

℃

60

1.6

I

D

=8A

V

GS

=10V

归一化

DS （ ON）

2

4

6

8

10

12

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

40

1.2

1

20

0.8

0

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.25

10

2.00

I

S

(A)

1

T

j

=150

o

C

T

j

=25 C

o

V

GS （ TH）

(V)

1.6

1.75

1.50

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.25

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C )

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4226D

16

10000

f=1.0MHz

I

D

=8A

V

GS

，门源电压（ V）

12

V

DS

=15V

V

DS

=20V

V

DS

=24V

C（ pF）的

1000

C

国际空间站

8

4

C

OSS

C

RSS

0

0

10

20

30

40

50

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

100us

10

归热响应（R

thJA

)

0.2

1ms

I

D

(A)

1

0.1

0.1

0.05

10ms

100ms

1s

0.02

0.01

P

DM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 90℃/W

℃

0.1

T

A

=25

o

C

单脉冲

DC

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

AP4226D

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低导通电阻

▼

单驱动要求

▼

PDIP - 8封装

G2

D1

D2

D2

D1

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

S2

G1

S1

30V

18mΩ

8.2A

PDIP-8

描述

D1

D2

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，超低导通电阻和

成本效益。

G1

S1

G2

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

等级

30

±20

8.2

6.7

30

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200218041

AP4226D

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

30

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.03

-

-

-

15

-

-

-

20

5

12

12

8

31

12

320

230

MAX 。单位

-

-

18

28

3

-

1

25

±100

30

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=8A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=6A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=6A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V ,V

GS

=0V

V

GS

= ±20V

I

D

=8A

V

DS

=24V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1450 2320

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

=8A,

V

GS

=0

V

,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

27

18

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

t

rr

Q

rr

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.安装在1

2

FR4电路板的铜垫; 90 ℃ / W安装在最小的时候。铜垫。

AP4226D

35

35

T

A

=25 C

28

o

10V

T

A

=150 C

5.0V

4.0V

I

D

，漏电流（ A）

28

o

10V

5.0V

4.0V

I

D

，漏电流（ A）

21

21

14

14

7

7

V

G

=3.0V

V

G

=3.0V

0

0

1

1

2

2

3

0

0

1

1

2

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3

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

80

1.8

I

D

=6A

T

A

=25

℃

60

1.6

I

D

=8A

V

GS

=10V

归一化

DS （ ON）

2

4

6

8

10

12

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

40

1.2

1

20

0.8

0

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

2.25

10

2.00

I

S

(A)

1

T

j

=150

o

C

T

j

=25 C

o

V

GS （ TH）

(V)

1.6

1.75

1.50

0.1

0

0.4

0.8

1.2

1.25

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（

o

C )

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4226D

16

10000

f=1.0MHz

I

D

=8A

V

GS

，门源电压（ V）

12

V

DS

=15V

V

DS

=20V

V

DS

=24V

C（ pF）的

1000

C

国际空间站

8

4

C

OSS

C

RSS

0

0

10

20

30

40

50

100

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

100us

10

归热响应（R

thJA

)

0.2

1ms

I

D

(A)

1

0.1

0.1

0.05

10ms

100ms

1s

0.02

0.01

P

DM

0.01

单脉冲

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 90℃/W

℃

0.1

T

A

=25

o

C

单脉冲

DC

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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