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AP3989P
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
100％的雪崩测试
▼
快速开关特性
▼
简单的驱动要求
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
0.68Ω
10A
S
描述
AP3989系列是专为通用主开关器件
90 265VAC离线AC / DC转换器的应用程序。该TO- 220型提供
高阻断电压，以克服浪涌电压暂降和在最恶劣
动力系统与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设计
和成本效益。
在TO-220封装被广泛地优选用于商业工业
应用程序。该装置适合于开关模式电源，直流 - 交流
转换器和大电流高速开关电路。
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
600
+30
10
5
40
156
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
0.8
62
单位
℃/W
℃/W
1
200907233
数据&规格如有变更，恕不另行通知
AP3989P
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
2
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=480V, V
GS
=0V
V
GS
=+30V, V
DS
=0V
I
D
=9A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=9A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=33.3Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
600
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
4.5
-
-
-
48
10
20
16
25
70
35
355
28
MAX 。单位
-
0.68
4
-
100
500
+100
77
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏极 - 源极漏电流（T
j
=125
o
C)
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
2150 3440
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
I
S
= 9A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
570
9.7
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
uC
t
rr
Q
rr
注意事项：
反向恢复时间
反向恢复电荷
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP3989P
20
10
T
C
=25 C
16
o
I
D
，漏电流（ A）
12
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
6.0V
T
C
=150
o
C
8
10V
7 .0V
6 .0V
5.0V
6
8
4
5.0V
4
V
G
=4 0V
2
V
G
=4.0V
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
4
8
12
16
20
24
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.3
3.2
2.8
1.2
I
D
=5A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
归一化
DS （ ON）
2.4
2
1.1
1.6
1
1.2
0.8
0.9
0.4
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
，结温（
o
C)
T
j
，结温（ C）
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
10
1.4
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.2
T
j
= 150
o
C
T
j
= 25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
1
I
S
(A)
1
0.8
0.6
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP3989P
f=1.0MHz
16
3200
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
=9A
12
V
DS
=480V
C（ pF）的
2400
C
国际空间站
1600
8
4
800
0
0
20
40
60
0
1
5
9
13
17
21
25
C
OSS
C
RSS
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
操作在此
面积受限
R
DS （ ON）
10
归热响应（R
thJC
)
100us
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
1ms
1
0.05
P
DM
0.02
t
T
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.1
1
10
100
10ms
100ms
DC
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
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