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初步数据表
340kHz ， 2A同步DC-DC降压转换器
概述
该AP3502E是340kHz固定频率，电流
模式， PWM同步降压（降压） DC-DC
转换器能够驱动2A负载高
效率，出色的线路和负载调节。该
AP3502E具有高效率在轻负载。该
器件集成了N沟道功率MOSFET
开关具有低导通电阻。电流模式
控制提供快速瞬态响应和
逐周期电流限制。
该AP3502E采用完整的保护，以确保
系统的安全性。包括输出过压
保护，输入欠压锁定，
可编程软启动，过温
保护和打嗝模式短路保护。
该IC采用SOIC- 8封装。
AP3502E
特点
输入电压范围： 4.5V至18V
固定340KHZ频率
高效率在轻载
高效率：高达95％
输出电流： 2A
电流模式控制
内置过电流保护
内置热关断功能
内置UVLO功能
内置过电压保护
可编程软启动
打嗝模式SCP
应用
液晶电视
机顶盒
便携式DVD
数码相框
SOIC-8
AP3502E图1.封装类型
五月。 2012
修订版1.3
1
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
340kHz ， 2A同步DC-DC降压转换器
引脚配置
男包
(SOIC-8)
AP3502E
BS
IN
SW
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
SS
EN
COMP
FB
图2. AP3502E的引脚配置（顶视图）
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
引脚名称
BS
IN
SW
GND
功能
引导针。自举电容连接的BS销
和SW引脚。自举电容上的电压驱动
内部高侧功率MOSFET
供电输入引脚。电容器应连接之间的
IN引脚与GND引脚，以保证输入电压不变
电源开关输出引脚。该引脚被连接到电感器和
自举电容
接地引脚
反馈引脚。该引脚被连接到外部电阻分压器来
编程系统的输出电压。当FB引脚电压超过
1.1V ，过压保护被触发。当FB引脚
电压低于0.3V时，振荡器的频率被降低，实现
短路保护
补偿引脚。这个引脚是跨导的输出
误差放大器和输入到电流比较器。它被用来
补偿的控制回路。从这个连接一系列的RC网络
连接到GND 。在某些情况下，从该引脚到附加电容器
GND引脚是必需的
控制输入引脚。 EN是一个数字输入，轮流调节或
关。驱动EN高/低开启/关闭调节器。有拉涨
100kΩ的电阻为自动启动
软启动控制输入引脚。 SS控制软启动周期。连
从SS电容至GND设定软启动时间。一个0.1μF
电容设置软启动期间，以15毫秒。要禁用软启动
功能，使SS悬空
5
FB
6
COMP
7
EN
8
SS
五月。 2012
修订版1.3
2
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
340kHz ， 2A同步DC-DC降压转换器
功能框图
AP3502E
图3. AP3502E的功能框图
订购信息
AP3502E
-
电路类型
包
M： SOIC - 8
G1 ：绿
TR ：带卷&
空白：管
包
SOIC-8
温度
范围
-40到85°C
产品型号
AP3502EM-G1
AP3502EMTR-G1
标记ID
3502EM-G1
3502EM-G1
包装类型
管
磁带&卷轴
BCD半导体的无铅产品，如标有"G1"后缀的零件编号，符合RoHS要求
和绿色。
五月。 2012
修订版1.3
3
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
340kHz ， 2A同步DC-DC降压转换器
绝对最大额定值（注1 ）
参数
IN引脚电压
EN引脚电压
SW引脚电压
BS引脚电压
FB引脚电压
COMP引脚电压
SS引脚电压
热阻
工作结温
储存温度
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD（人体模型）
ESD（机器型号）
AP3502E
符号
V
IN
V
EN
V
SW
V
BS
V
FB
V
COMP
V
SS
θ
JA
T
J
T
英镑
T
领导
V
HBM
V
MM
价值
-0.3 20
-0.3到V
IN
21
-0.3到V
SW
+6
-0.3 6
-0.3 6
-0.3 6
105
150
-65到150
260
2000
200
单位
V
V
V
V
V
V
V
摄氏度/ W
C
C
C
V
V
注1 ：应力大于“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的损坏
该设备。这些压力额定值只，设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在表示“推荐工作条件”是不是暗示。置身于“绝对
最大额定值“，长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
工作环境温度
符号
V
IN
T
A
民
4.5
-40
最大
18
85
单位
V
C
五月。 2012
修订版1.3
4
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
340kHz ， 2A同步DC-DC降压转换器
电气特性
T
A
= 25℃ ，V
IN
=V
EN
=12V, V
OUT
= 3.3V，除非另有规定。
参数
符号
V
IN
I
Q
I
SHDN
V
UVLO
V
HYS
条件
民
4.5
V
FB
=1V, V
EN
=3V
V
EN
=0V
V
IN
升起
3.65
1.2
0.1
4.00
200
1.5
350
2.2
2.5
210
0.925
1.1
2.7
典型值
最大
18
1.4
10
4.25
单位
V
mA
A
V
mV
V
mV
V
mV
V
V
A
m
m
10
A
A
mA
千赫
千赫
%
%
V/V
μA / V
A / V
C
C
ms
A
AP3502E
电源电压（ IN引脚）
输入电压
静态电流
关断电源电流
欠压锁定
输入欠压锁定阈值
输入UVLO迟滞
使能（ EN引脚）
EN关断阈值电压
EN1Shutdown1Threshold1Voltage1Hystere-
虫病（注3）
EN锁定阈值电压
EN锁定迟滞
1.1
2
参考电压（ FB引脚）
反馈电压
反馈过电压阈值
反馈偏置电流
V
FB
V
FBOV
I
FB
R
DSONH
R
DSONL
I
LeakH
I
LIMH
I
LIML
f
OSC1
f
OSC2
D
最大
D
民
A
EA
G
EA
G
CS
T
OTSD
T
HYS
t
SS
C4=0.1F,I
OUT
=500mA
0.907
V
FB
=1V
I
SW
=0.2A/0.7A
I
SW
=-0.2A/-0.7A
V
IN
=18V,V
EN
=V
SW
=0V
2.7
漏极至源极
280
V
FB
=0.85V
V
FB
=1V
-0.1
100
100
0.1
3.5
0
340
90
90
0.943
0.1
MOSFET
高边开关导通电阻（注2 ）
低侧开关导通电阻（注2 ）
电流限制
高侧开关漏电流
高边开关电流限制
低边开关电流限制
开关稳压器
振荡器频率
短路振荡器频率
马克斯。占空比
分钟。占空比
400
0
400
800
3.5
160
30
15
5
误差放大器器
误差放大器的电压增益（注3 ）
误差放大器跨导器
COMP为电流检测跨导
热关断
热关断（注3 ）
热关断迟滞（注3 ）
软启动（ SS引脚）
软启动时间（注3）
软启动电流
注2 ：v
DSON
=
V
SW1
- V
SW2
I
SW1
- I
SW2
注3 ：没有测试过，通过设计保证。
五月。 2012
修订版1.3
5
BCD半导体制造有限公司
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