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数据表
为1.0MHz , 2.0A ,同步降压DC- DC转换器
概述
在AP3431是一种高效率的降压型DC-DC
电压转换器。芯片操作进行了优化
由峰值电流模式架构具有内置
同步功率MOS切换。该振荡器
和定时电容都内置在提供
1MHz的内部开关频率,允许
使用小型表面贴装电感器和
电容器便携式产品实现。
集成的软启动( SS ) ,欠压锁定
( UVLO ) ,热关断检测( TSD )和
短路保护设计提供
可靠的产品应用。
该设备是可调节的输出电压可用
版本从
0.8V至0.9 ×V
IN
当输入
电压范围为2.7V至5.5V ,并能
提供高达2.0A 。
在AP3431是采用SOIC - 8封装。
AP3431
特点
高效率降压型电源转换器
输出电流: 2A
低R
DS ( ON)
内部开关: 120MΩ (V
IN
=5V)
可调输出电压从0.8V到0.9 ×V
IN
宽工作电压范围: 2.7V至5.5V
内置功率开关同步
整治与高效
反馈电压:为800mV
开关频率: 1.0MHz的
热关断保护
内部软启动
应用
液晶电视
机顶盒
邮政DC-DC电压调节
PDA和笔记本电脑
SOIC-8
AP3431图1.封装类型
2011年11月
修订版1.0
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
为1.0MHz , 2.0A ,同步降压DC- DC转换器
引脚配置
AP3431
男包
(SOIC-8)
1
2
3
4
8
7
6
5
图2. AP3431的引脚配置(顶视图)
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
VCC
NC
GND
FB
EN
保护地
SW
VIN
无连接
接地引脚
功能
用于模拟电路的电源输入
反馈引脚。接收从一个电阻反馈电压
在输出分频器连接
芯片使能引脚。高电平有效,内部上拉带
200kΩ的电阻
电源开关接地引脚
开关输出引脚
电源输入为MOSFET开关
2011年11月
修订版1.0
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
为1.0MHz , 2.0A ,同步降压DC- DC转换器
功能框图
AP3431
AP3431图3.功能框图
订购信息
AP3431
A
-
电路类型
M: SOIC - 8
温度
范围
产品型号
AP3431M-G1
AP3431MTR-G1
G1 :绿
空白:管
TR :带卷&
标记ID
3431M-G1
3431M-G1
包装类型
SOIC-8
-40 ℃80℃
磁带&卷轴
BCD半导体的无铅产品,如指定在零件数量"G1" ,符合RoHS标准,
绿色的。
2011年11月
修订版1.0
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
为1.0MHz , 2.0A ,同步降压DC- DC转换器
绝对最大额定值(注1 )
参数
用于模拟电路的电源输入
电源输入为MOSFET开关
SW引脚电压开关
开启电压
SW引脚开关电流
功耗(在PCB上,T
A
=25°C)
热阻(结到环境,模拟)
结温
工作温度
储存温度
ESD(人体模型)
ESD(机器型号)
AP3431
符号
V
CC
V
IN
V
SW
V
EN
I
SW
P
D
θ
JA
T
J
T
OP
T
英镑
V
HBM
V
MM
价值
0至6.0
0至6.0
-0.3到V
IN
+0.3
-0.3到V
IN
+0.3
2.9
1.45
68.63
160
-40到85
-55到150
2000
200
单位
V
V
V
V
A
W
° C / W
°C
°C
°C
V
V
注1 :应力大于“绝对最大额定值”,可能会造成永久性的损坏
该设备。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在表示“推荐工作条件”是不是暗示。置身于“绝对
最大额定值“,长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源输入电压
结温范围
环境温度范围
符号
V
IN
T
J
T
A
2.7
-40
-40
最大
5.5
125
80
单位
V
°C
°C
2011年11月
修订版1.0
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
为1.0MHz , 2.0A ,同步降压DC- DC转换器
电气特性
V
IN
=V
CC
=V
EN
=5V, V
OUT
=1.2V, V
FB
= 0.8V , L = 2.2μH ,C
IN
= 10μF ,C
OUT
= 22μF ,T
A
= 25 ℃,除非另有
指定的。
AP3431
参数
输入电压范围
关断电流
工作电流
Regulated1Feedback
电压
监管
产量
电压精度
PEAK
感应器
当前
振荡器频率
PMOSFET
ON
NMOSFET
ON
EN高电平输入
电压
EN低电平输入
电压
EN输入电流
软启动时间
最大
周期
欠压锁定
门限
热关断
符号
V
IN
I
关闭
I
ON
V
FB
V
OUT
/V
OUT
I
PK
f
OSC
R
对(p)的
R
ON ( N)
V
EN_H
V
EN_L
I
EN
t
SS
D
最大
升起
落下
V
EN
=0V
条件
最小典型最大单位
2.7
4
460
0.784
-3
2.9
0.8
0.816
3
5.5
V
A
A
V
%
A
1.0
120
120
1.5
0.4
2
450
90
2.4
2.3
0.1
160
兆赫
m
m
V
V
A
s
%
V
V
V
°C
V
FB
= 0.95V
对于可调输出电压
V
IN
= 2.7V至5.5V ,
I
OUT
= 0到2.0A
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
IN
= 5V
V
IN
= 5V
迟滞
T
SD
Hysteresis=30°C
2011年11月
修订版1.0
5
BCD半导体制造有限公司
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    -
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联系人:刘先生
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