【AP3310H/J先进的电源电子股份有限公司▼简单的驱动要求▼2.5V栅极驱动能力GSDP沟道增强模】,IC型号AP3310H,AP3310H PDF资料,AP3310H经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP3310H/J

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

2.5V栅极驱动能力

G

S

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-20V

150mΩ

-10A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

，低导通电阻和成本效益。

这个装置是适用于低电压和电池功率

应用程序。

G

D

S

克

S

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=100℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

等级

- 20

± 12

-10

-6.2

-24

25

0.01

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

5.0

110

单位

℃/W

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201225023

AP3310H/J

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。典型值。马克斯。单位

-20

-

-

-

-0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-0.1

-

-

V

V/℃

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-2.8A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-2.0A

-

-

-

4.4

-

-

-

6

1.5

0.6

25

60

70

60

300

180

60

150

mΩ

250

mΩ

-

-

-1

-25

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

V

S

uA

uA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-2.8A

V

DS

=-20V, V

GS

=0V

V

DS

=-16V, V

GS

=0V

V

GS

=

± 12V

I

D

=-2.8A

V

DS

=-6V

V

GS

=-5V

V

DS

=-6V

I

D

=-1A

R

G

=6Ω,V

GS

=-5V

R

D

=6Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-6V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

±100

nA

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=-1.2V

T

j

=25℃, I

S

= -10A ，V

GS

=0V

分钟。典型值。马克斯。单位

-

-

-

-

-

-

-10

-24

-1.2

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

2

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

AP3310H/J

24

20

-4.5V

T

C

=25

o

C

T

C

=150

o

C

-4.5V

18

-4.0V

15

-4.0V

-I

D

，漏电流（ A）

-I

D

，漏电流（ A）

-3.5V

12

-3.5V

10

-3.0V

-3.0V

-2.5V

5

6

-2.5V

V

GS

= -2.0V

V

GS

= -2.0V

0

0.0

2.5

5.0

7.5

10.0

0

0

2

4

6

8

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

800

1.8

I

D

= -2.8A

T

C

=25

℃

600

I

D

= -2.8A

V

GS

= -4.5V

1.5

400

归一化

DS （ ON）

0

2

4

6

8

10

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

200

0.9

0

0.6

-50

0

50

100

o

150

-V

GS

(V)

T

j

，结温（ C）

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP3310H/J

10

30

25

8

-I

D

，漏电流（ A）

20

6

P

D

(W)

4

2

0

25

50

75

100

o

15

10

5

0

125

150

0

50

100

o

150

T

c

，外壳温度（ C）

T

c

，外壳温度（ C）

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

100

1

占空比= 0.5

归热响应（R

thJC

)

0.2

100us

-I

D

(A)

0.1

0.1

0.05

10

1ms

0.02

P

DM

单脉冲

t

0.01

T

10ms

T

C

=25 °C

单脉冲

100ms

1

1

10

100

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

-V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP3310H/J

f=1.0MHz

5

1000

I

D

=-2.8A

V

DS

=-6V

4

西塞

-V

GS

，门源电压（ V）

3

科斯

C（ pF）的

100

2

CRSS

1

0

0

2

4

6

8

10

1

3

5

7

9

11

13

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

10

1.5

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

1

1

-V

GS （ TH）

(V)

0.5

0

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

0

50

100

150

-I

S

(A)

0

-V

SD

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

AP3310H/J

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

2.5V栅极驱动能力

G

S

D

P沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-20V

150mΩ

-10A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

，低导通电阻和成本效益。

这个装置是适用于低电压和电池功率

应用程序。

G

D

S

克

S

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=100℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

等级

- 20

± 12

-10

-6.2

-24

25

0.01

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

热阻结案件

热阻结到环境

马克斯。

马克斯。

价值

5.0

110

单位

℃/W

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

201225023

AP3310H/J

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。典型值。马克斯。单位

-20

-

-

-

-0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-0.1

-

-

V

V/℃

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-2.8A

V

GS

= -2.5V ，我

D

=-2.0A

-

-

-

4.4

-

-

-

6

1.5

0.6

25

60

70

60

300

180

60

150

mΩ

250

mΩ

-

-

-1

-25

-

-

-

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-

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-

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-

-

V

S

uA

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nC

nC

nC

ns

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pF

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V

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g

fs

I

DSS

I

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Q

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Q

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Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=150

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

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=-2.8A

V

DS

=-20V, V

GS

=0V

V

DS

=-16V, V

GS

=0V

V

GS

=

± 12V

I

D

=-2.8A

V

DS

=-6V

V

GS

=-5V

V

DS

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I

D

=-1A

R

G

=6Ω,V

GS

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R

D

=6Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-6V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

±100

nA

源极 - 漏极二极管

符号

I

S

I

SM

V

SD

参数

连续源电流（体二极管）

测试条件

V

D

=V

G

=0V , V

S

=-1.2V

T

j

=25℃, I

S

= -10A ，V

GS

=0V

分钟。典型值。马克斯。单位

-

-

-

-

-

-

-10

-24

-1.2

A

A

V

脉冲源电流（体二极管）

1

正向电压上

2

注意事项：

1.Pulse宽度有限的安全工作区。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

AP3310H/J

24

20

-4.5V

T

C

=25

o

C

T

C

=150

o

C

-4.5V

18

-4.0V

15

-4.0V

-I

D

，漏电流（ A）

-I

D

，漏电流（ A）

-3.5V

12

-3.5V

10

-3.0V

-3.0V

-2.5V

5

6

-2.5V

V

GS

= -2.0V

V

GS

= -2.0V

0

0.0

2.5

5.0

7.5

10.0

0

0

2

4

6

8

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

800

1.8

I

D

= -2.8A

T

C

=25

℃

600

I

D

= -2.8A

V

GS

= -4.5V

1.5

400

归一化

DS （ ON）

0

2

4

6

8

10

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

200

0.9

0

0.6

-50

0

50

100

o

150

-V

GS

(V)

T

j

，结温（ C）

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

AP3310H/J

10

30

25

8

-I

D

，漏电流（ A）

20

6

P

D

(W)

4

2

0

25

50

75

100

o

15

10

5

0

125

150

0

50

100

o

150

T

c

，外壳温度（ C）

T

c

，外壳温度（ C）

图5.最大漏极电流V.S.

图6.典型功耗

外壳温度

100

1

占空比= 0.5

归热响应（R

thJC

)

0.2

100us

-I

D

(A)

0.1

0.1

0.05

10

1ms

0.02

P

DM

单脉冲

t

0.01

T

10ms

T

C

=25 °C

单脉冲

100ms

1

1

10

100

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJC

+ T

C

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

-V

DS

(V)

T，脉冲宽度（S ）

图7.最大安全工作区

图8.有效的瞬态热阻抗

AP3310H/J

f=1.0MHz

5

1000

I

D

=-2.8A

V

DS

=-6V

4

西塞

-V

GS

，门源电压（ V）

3

科斯

C（ pF）的

100

2

CRSS

1

0

0

2

4

6

8

10

1

3

5

7

9

11

13

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

(V)

图9.栅极电荷特性

图10.典型的电容特性

10

1.5

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

1

1

-V

GS （ TH）

(V)

0.5

0

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

0

50

100

150

-I

S

(A)

0

-V

SD

(V)

T

j

，结温（

o

C)

图11.正向特性

反向二极管

图12.栅极阈值电压V.S.

结温

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