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AP3302H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
50mΩ
16A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP3302J ）可用于小尺寸应用。
G
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±
20
16
10
25
20
0.16
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
6.4
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200701031
AP3302H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=10A
V
DS
= 24V
V
GS
=10V
V
DS
=15V
I
D
=16A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.94Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
25
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
7.4
2.2
4.2
8
7.4
11
3
164
158
62
MAX 。单位
-
50
4
1
25
±100
13
-
-
-
-
-
-
290
-
-
V
mΩ
V
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 16A ，V
GS
=0V
I
S
=16A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
29
21
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
QRR
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP3302H/J
25
11
T
c
=25 C
20
o
10V
10
T
c
=150
o
C
9
10V
9.0V
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
9.0V
15
8
7
6
7.0V
5
4
8.0V
10
5
7.0V
V
G
=5.0V
3
2
V
G
=5.0V
1
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
30
1.8
1.6
I
D
=20A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
20
1.4
P
D
(W)
1.2
10
1.0
0.8
0
0.6
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
5
100
4.5
10
4
I
S
(A)
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=150 C
1
o
T
j
=25
o
C
3.5
3
0.1
2.5
2
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP3302H/J
f=1.0MHz
25
1000
I
D
=10A
V
GS
，门源电压（ V）
20
15
C（ pF）的
V
DS
=20V
V
DS
=16V
V
DS
=12V
西塞
100
科斯
CRSS
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
10
归热响应（R
thJC
)
DUTY=0.5
0.2
I
D
(A)
1
10ms
100ms
1s
DC
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
t
0.01
0.1
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
T
c
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
o
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
AP3302H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
50mΩ
16A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP3302J ）可用于小尺寸应用。
G
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±
20
16
10
25
20
0.16
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
6.4
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200701031
AP3302H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=10A
V
DS
= 24V
V
GS
=10V
V
DS
=15V
I
D
=16A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.94Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
25
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
7.4
2.2
4.2
8
7.4
11
3
164
158
62
MAX 。单位
-
50
4
1
25
±100
13
-
-
-
-
-
-
290
-
-
V
mΩ
V
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 16A ，V
GS
=0V
I
S
=16A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
29
21
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
QRR
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP3302H/J
25
11
T
c
=25 C
20
o
10V
10
T
c
=150
o
C
9
10V
9.0V
8.0V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
9.0V
15
8
7
6
7.0V
5
4
8.0V
10
5
7.0V
V
G
=5.0V
3
2
V
G
=5.0V
1
0
0
1
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3
4
5
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0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
30
1.8
1.6
I
D
=20A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
20
1.4
P
D
(W)
1.2
10
1.0
0.8
0
0.6
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
5
100
4.5
10
4
I
S
(A)
V
GS （ TH）
(V)
T
j
=150 C
1
o
T
j
=25
o
C
3.5
3
0.1
2.5
2
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP3302H/J
f=1.0MHz
25
1000
I
D
=10A
V
GS
，门源电压（ V）
20
15
C（ pF）的
V
DS
=20V
V
DS
=16V
V
DS
=12V
西塞
100
科斯
CRSS
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
10
归热响应（R
thJC
)
DUTY=0.5
0.2
I
D
(A)
1
10ms
100ms
1s
DC
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
t
0.01
0.1
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
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0.01
0.1
1
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o
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0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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AM29LV128ML100PCF
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ATSAM3U-EK
AD7845AQ
AS324AGTR
AD530SD
AT28PC64-35DM/883
AM29F800BT-120EEB
APL5154-21B
ATF1516ASL-20UC192
AS8F512K32Q-150/XT
AUIRFP4004
ATF1504ASVL-20AU44
AME8750BEEY1828Y
AM3TW-4803SH35
AME8501BEETBE22
ADS58B19IRGZT
ATF16V8CZ-15SU
AME8500AEETDF15
AMZ8016PC
供货商
型号
厂家
批号
数量
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP3302J
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
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联系人：朱咸华
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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