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初步数据表
1.4MHz的, 1.5A异步DC-DC降压转换器
AP3211H
概述
该AP3211H是一个1.4MHz的固定频率,电流
模式, PWM降压(降压) DC-DC变换器,
能够驱动一个1.5A的负载提供高效率,
出色的线路和负载调节。该装置
集成了N沟道功率MOSFET开关
低导通电阻。电流模式控制提供快速
瞬态响应和逐周期电流限制。
标准系列电感器可从
使用优化的几个不同的厂家
与AP3211H 。该功能极大地简化了
开关模式电源的设计。
该AP3211H可在SOT- 23-6封装。
特点
输入电压范围: 4.5V至23V
1.4MHz的固定频率
高效率:高达92 %
输出电流: 1.5A
电流模式控制
内置过电流保护
内置热关断功能
内置UVLO功能
内置过电压保护
内置软启动
应用
液晶电视
DPF
便携式DVD
SOT-23-6
AP3211H图1.封装类型
2012年8月
修订版1.0
1
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
1.4MHz的, 1.5A异步DC-DC降压转换器
AP3211H
引脚配置
套餐
(SOT-23-6)
脚1马克
BS
GND
FB
1
2
3
6
5
4
SW
IN
EN
图2. AP3211H的引脚配置(顶视图)
引脚说明
引脚数
1
2
3
引脚名称
BS
GND
FB
功能
引导针。自举电容连接的
BS引脚和SW引脚。跨引导的电压
电容驱动内部高边NMOS开关
接地引脚
反馈引脚。该引脚被连接到外部电阻
分频器进行编程的系统输出电压。当V
FB
超过0.81V时,标称稳压值的20 %
OVP被触发。当V
FB
<0.25V,
振荡器的频率
被降低以实现短路保护
控制输入引脚。迫使上述1.5V此引脚使IC 。
强制该引脚低于0.4V时关闭IC 。当IC
在关断模式下,所有的功能都被禁用,以减少
低于1μA的电源电流
电源输入引脚。电容器应连接之间
IN引脚与GND引脚,以保证直流输入电压
不变
电源开关输出引脚。该引脚被连接到电感器
和自举电容
4
EN
5
6
IN
SW
2012年8月
修订版1.0
2
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
1.4MHz的, 1.5A异步DC-DC降压转换器
AP3211H
功能框图
IN
5
FB
CL
SS
肖特基
V
REF
自举
调节器
1
BS
GND
2
VDD/VDD1
调节器
OSC
1.4兆赫/
460千赫
2A/V
坡道
发电机
CS
1pF
V
极限
OSC
S
Q
EN
4
3.3V
参考
电压
27pF
220k
CL
R
开关/ LDO
1M
6
R
SW
SS
FB
3
ERR AMP
PWM
比较
AP3211H图3.功能框图
订购信息
AP3211H
-
电路类型
K: SOT- 23-6
G1 :绿
TR :带卷&
SOT-23-6
温度
范围
-40到85°C
产品型号
AP3211HKTR-G1
标记ID
GBK
填料
TYPE
磁带&卷轴
BCD半导体的无铅产品,如标有"G1"后缀的零件编号,符合RoHS要求
和绿色。
2012年8月
修订版1.0
3
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
1.4MHz的, 1.5A异步DC-DC降压转换器
AP3211H
绝对最大额定值(注1 )
参数
输入引脚电压
EN引脚电压
SW引脚电压
自举引脚电压
反馈引脚电压
工作结温
储存温度
焊接温度
(焊接, 10秒)
热阻
(结到环境)
符号
V
IN
V
EN
V
SW
V
BS
V
FB
T
J
T
英镑
T
领导
θ
JA
价值
-0.3至25
-0.3到V
IN
+0.3
26
-0.3到V
SW
+6
-0.3 6
150
-65到150
260
220
单位
V
V
V
V
V
C
C
C
摄氏度/ W
注1 :应力大于“绝对最大额定值”,可能会造成永久性的损坏
该设备。这些压力额定值只,设备的这些功能操作或任何其他条件
超越那些在表示“推荐工作条件”是不是暗示。置身于“绝对
最大额定值“,长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
工作环境温度
符号
V
IN
T
A
4.5
-40
最大
23
85
单位
V
C
2012年8月
修订版1.0
4
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初步数据表
1.4MHz的, 1.5A异步DC-DC降压转换器
AP3211H
电气特性
V
IN
=V
EN
=12V, V
OUT
= 3.3V ,T
A
= 25 ℃,除非另有规定。
参数
输入电压
静态电流
关断电源电流
反馈电压
反馈过电压阈值
反馈偏置电流
开关导通电阻
开关漏电流
开关电流限制
EN引脚门限
输入欠压锁定阈值
输入UVLO迟滞
振荡器频率
马克斯。占空比
分钟。占空比
最小导通时间
热关断
热关断迟滞
软启动时间
符号
V
IN
I
Q
I
SHDN
V
FB
V
FBOV
I
FB
R
DSON
I
泄漏
I
LIM
V
ENH
V
ENL
V
UVLO
V
HYS
f
OSC1
f
OSC2
D
最大
D
t
ON
T
OTSD
T
HYS
t
SS
条件
V
FB
=0.9V
V
EN
=0V
4.5
典型值
0.8
0.1
最大
23
1.1
1.0
0.835
0.1
单位
V
mA
A
V
V
A
0.785
V
FB
=0.85V
I
SW
=1A
V
IN
=23V,
V
EN
=0V
1.8
1.5
-0.1
0.810
0.972
0.385
0.1
2.4
0.4
10
A
A
V
V
V
V
IN
升起
3.3
3.8
0.2
4.3
1.1
短路
V
FB
=0.6V
V
FB
=0.9V
1.4
460
90
1.7
兆赫
千赫
%
0
100
160
20
200
%
ns
C
C
s
注2 :v
DSON ,
t
上,
T
OTSD ,
T
HYS
和T
SS
设计有保证。
2012年8月
修订版1.0
5
BCD半导体制造有限公司
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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