AP30T10GI-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
100V
55mΩ
16A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通
性和成本效益。
在TO- 220CFM隔离封装,广泛首选commercial-
工业通孔应用。
G
D
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@10V
连续漏电流, V
GS
@10V
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
100
+20
16
10
60
31.3
1.92
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
Maixmum热阻,结到环境
价值
4
65
单位
℃/W
℃/W
1
201112132
数据和规格如有变更,恕不另行通知
AP30T10GI-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=12A
V
GS
= 5V ,我
D
=8A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
o
分钟。
100
-
-
0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
14
-
-
13.5
3
9
6.5
18
20
5
840
115
80
1.6
MAX 。单位
-
55
85
2.5
-
25
+100
21.6
-
-
-
-
-
-
1340
-
-
3.2
V
mΩ
mΩ
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=12A
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=12A
V
DS
=80V
V
GS
=4.5V
V
DS
=50V
I
D
=12A
R
G
=1Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 12A ,V
GS
=0V
I
S
= 12A ,V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
40
70
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
2