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AP30P10GS
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
P沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-100V
80mΩ
-25A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
GD
S
TO-263(S)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
-100
+20
-25
-15
-80
89
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）
3
价值
1.4
40
单位
℃/W
℃/W
1
200906192
数据和规格如有变更，恕不另行通知
AP30P10GS
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-1mA
V
GS
= -10V ，我
D
=-12A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-8A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-12A
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=-18A
V
DS
=-80V
V
GS
=-10V
V
DS
=-50V
I
D
=-18A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=2.8Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
分钟。
-100
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
23
-
-
50
7.5
16.5
12
33
61
78
185
140
MAX 。单位
-
80
100
-3
-
-25
+100
80
-
-
-
-
-
-
-
-
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
2580 4130
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -18A ，V
GS
=0V
I
S
= -18A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
53
125
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP30P10GS
80
60
T
C
= 25 C
o
-I
D
，漏电流（ A）
60
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
- 7 .0V
- 6 .0V
- 5.0 V
T
C
=150
o
C
50
-10V
-7.0V
-6.0V
-5.0V
V
G
= -4.0V
40
40
V
G
= - 4 .0 V
30
20
20
10
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
2.0
76
I
D
= -8 A
T
C
=25
℃
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
1.6
I
D
= - 12 A
V
G
= -10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
72
1.2
68
0.8
64
60
0.4
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
25
1.2
20
归-V
GS （ TH）
(V)
1.0
-I
S
(A)
15
T
j
=150
o
C
10
T
j
=25
o
C
0.8
0.6
5
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.2
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP30P10GS
f=1.0MHz
15
10000
-V
GS
，门源电压（ V）
12
V
DS
= - 80 V
I
D
= - 18 A
C
国际空间站
1000
C（ pF）的
9
6
100
C
OSS
C
RSS
3
0
0
10
20
30
40
50
60
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
100us
10
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
-I
D
(A)
1ms
10ms
100ms
DC
T
c
=25
o
C
单脉冲
0
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.1
0.05
P
DM
1
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
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ADC0820BCWMX
AD8217BRMZ
ADM2487E
AD7503KN/+
AT89LP6440-20MU
AME8501AEETBD28
AM26C32CNSR
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数量
封装
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    AP30P10GS
    -
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