AP30N30WI
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
100％的雪崩测试
▼
简单的驱动要求
▼
导通电阻的降低
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
250V
68mΩ
30A
描述
AP30N30亚太经合组织为设计人员提供了最佳组合
快速开关，低导通电阻和成本效益。
在TO- 3PF fullpack省去了额外的绝缘
硬件在商业工业应用。
G
D
S
TO-3PF
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
3
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
等级
250
±30
30
120
83
0.7
450
30
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
W/℃
mJ
A
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.5
42
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
201216053-1/4
AP30N30WI
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25 C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=125
o
C)
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10mA
分钟。
250
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.24
-
-
23
-
-
-
63
19
14
28
36
84
45
550
6
1.9
典型值。
-
235
2.24
MAX 。单位
-
-
68
3.5
-
1
200
±1
100
-
-
-
-
-
-
-
-
3
V
V/℃
mΩ
V
S
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=10mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
= 10V ，我
D
=15A
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
DS
= 10V ，我
D
=15A
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
=250V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±30V
I
D
=15A
V
DS
=200V
V
GS
=10V
V
DS
=125V
I
D
=15A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=8.3Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
测试条件
I
S
= 30A ，V
GS
=0V
I
S
= 15A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
4290 6900
源极 - 漏极二极管
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
C
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.Starting牛逼
j
=25
o
C，V
DD
= 50V ，L = 1MH ，R
G
=25Ω , I
AS
=30A.
2/4
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