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AP30G120SW
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
特点
▼
高速开关
▼
低饱和电压
V
CE （ SAT ）
=3.0V@I
C
=30A
▼
CO- PAK ， IGBT
同
FRD
▼
符合RoHS
N沟道绝缘栅
双极晶体管， FRD 。
V
CES
I
C
C
G
C
E
TO-3P
G
E
参数
等级
1200
±30
60
30
160
12
75
208
-55到150
-55到150
300
1200V
30A
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
@T
C
=25℃
I
C
@T
C
=100℃
I
CM
I
F
@T
C
=100℃
I
FM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
T
L
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
1
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
℃
℃
℃
集电极 - 发射极电压
二极管Continunous正向电流
脉冲二极管正向电流
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
最大的铅温度。焊接用
， 8"分之1案件从5秒。
注意事项：
1.Repetitive评级：脉冲宽度有限的最大值。结温。
热数据
符号
Rthj -C （ IGBT ）
Rthj -C （二极管）
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结案件
热阻结到环境
价值
0.6
1.6
40
单位
℃/W
℃/W
℃/W
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
CES
I
GES
I
CES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
V
F-1
V
F-2
t
rr
Q
rr
参数
收集到发射极击穿电压
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
=0V
V
CE
=30V
f=1.0MHz
I
F
=10A
I
F
=20A
I
F
=10A
的di / dt = 100 A / μs的
测试条件
V
GE
= 0V时，我
C
=250uA
V
GE
=±30V, V
CE
=0V
V
CE
=1200V, V
GE
=0V
V
GE
= 15V ，我
C
=30A
V
GE
= 15V ，我
C
=60A
V
CE
=V
GE
, I
C
=1mA
I
C
=30A
V
CC
=500V
V
GE
=15V
V
CC
=600V,
I
c
=30A,
V
GE
=15V,
R
G
=5,
感性负载
分钟。
1200
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3
3.8
4.4
55
12
27
20
20
65
200
1.8
1.1
1320
105
9
马克斯。
-
±500
1
3.6
-
7
88
-
-
-
-
-
300
-
-
2110
-
-
单位
V
nA
mA
V
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
二极管@ T电气特性
j
= 25 ℃ （除非另有规定）
正向电压
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
-
-
-
-
1.7
1.8
80
22
2
2.4
-
-
V
V
ns
nC
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200630061-1/3
AP30G120SW
160
100
T
C
=25 C
I
C
，集电极电流（ A）
120
o
20V
18V
15V
I
C
，集电极电流（ A）
T
C
=150 C
80
o
20V
18V
15V
12V
12V
80
60
V
GE
=10V
40
V
GE
=10V
40
20
0
0
3
6
9
12
0
0
3
6
9
12
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
160
6
140
V
GE
=15V
V
CE （SAT） ，
饱和电压（V ）
5
V
GE
= 15 V
I
C ,
集电极电流（ A）
120
T
C
=25
℃
100
I
C
= 60 A
4
80
T
C
=150
℃
I
C
=30A
3
60
40
2
20
0
0
2
4
6
8
10
12
1
0
40
80
120
160
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
结温（ C）
o
图3.典型的饱和电压
特征
1.4
10000
图4.典型的集电极 - 发射极电压
V.S.结温
f=1.0MHz
归V
GE （日）
(V)
C
IES
1.1
电容（pF）
100
C
OES
0.8
C
水库
0.5
-50
0
50
100
150
1
1
10
100
结温（
o
C )
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图5.栅极阈值电压
图6.典型的电容特性研究
V.S.结温
2/3
AP30G120SW
1000
1
V
GE
=15V
T
C
=125
o
C
I
C
，峰值集电极电流（A ）
100
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
10
t
T
0.01
安全工作区
1
1
10
100
1000
10000
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
CE，
集电极 - 发射极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图7.关断SOA
图8.有效的瞬态热
阻抗
20
20
T
C
=25 C
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
15
o
T
C
=150 C
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
15
o
10
10
5
I
C
= 60 A
I
C
= 30 A
I
C
= 15 A
I
C
= 60 A
5
I
C
= 30 A
I
C
= 15 A
0
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V
GE
，栅极 - 发射极电压（ V）
V
GE
，栅极 - 发射极电压（ V）
图9.饱和电压与V
GE
图10.饱和电压与V
GE
15
20
V
GE
，门发射极电压（ V）
I
F
，正向电流（ A）
16
10
I
C
= 3 0A
V
CC
=200V
V
CC
=300V
V
CC
=500V
12
T
j
=150 C
5
o
T
j
=25 C
o
8
4
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0
0
20
40
60
80
V
F
，正向电压（ V）
Q
G
，栅极电荷（ NC）
Fig11 。的正向特性
图12.栅极电荷特性研究
二极管
3/3
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