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AP2625GY
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
低栅极驱动器
表面贴装封装
G1
S1
G2
D1
P沟道增强模式
功率MOSFET
D2
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
185mΩ
- 2A
S2
描述
D2
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻,非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT- 26包被广泛用于商业,工业
应用程序。
S1
D1
G2
S2
G1
SOT-26
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-30
±12
-2.0
-1.6
-20
1.2
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
110
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
201023073-1/4
AP2625GY
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-1.6A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
分钟。
-30
-
-
-0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
3.3
-
-
-
4
0.5
2
5
6
20
3
265
42
32
马克斯。
-
185
265
-1.2
-
-1
-25
±100
6
-
-
-
-
-
-
425
-
-
单位
V
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ,我
D
=-2A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±12V
I
D
=-2A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -1A ,V
GS
=0V
I
S
= -2A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
16
马克斯。
-1.2
-
-
单位
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当180 ℃ / W 。铜垫。
本产品对静电敏感的,请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
AP2625GY
20
15
T
A
= 25 C
o
-I
D
,漏电流( A)
15
-I
D
,漏电流( A)
- 10 V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
T
A
= 150
o
C
12
- 10 V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
9
10
V
G
=- 2.5 V
5
6
V
G
=- 2.5 V
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
220
1.6
I
D
=-1A
200
T
A
=25
o
C
I
D
=- 1.6 A
V
G
= -4.5 V
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
180
归一化
DS ( ON)
1.2
160
1.0
140
0.8
120
0.6
0
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
2.4
2.0
1.4
1.6
归-V
GS ( TH)
(V)
-I
S
(A)
1.2
T
j
=150
o
C
1.0
T
j
=25
o
C
0.8
0.6
0.4
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.2
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP2625GY
f=1.0MHz
12
1000
-V
GS
,门源电压( V)
10
V
DS
=-24V
I
D
=-2A
8
C
国际空间站
C( pF)的
6
100
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
2
4
6
8
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
0.1
0.1
0.05
-I
D
(A)
1
100us
1ms
10ms
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 180℃/W
0.01
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
100ms
1s
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形: SOT- 26
G
L
L
符号
MILLIMETERS
最大
A
B
C
C
B
D
E
H
G
I
J
A
D
L
2.70
2.60
1.40
0.30
0.00
2.90
2.80
1.60
0.43
0.05
1.20REF
1.90REF
0.12REF
0.37REF
0.95REF
3.10
3.00
1.80
0.55
0.10
H
E
I
1.所有尺寸以毫米为单位。
J
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装: SOT- 26
产品型号
Y9XX
日期代码
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP2625GY
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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SOT-26
全新原装正品/质量有保证
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电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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APEC原装
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79600
SOT-26
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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SOT23-6
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联系人:李先生
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SOT-26(Y)
授权代理,进口现货
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进口全新原装现货
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
AP2625GY
CYSTEKEC
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
AP2625GY
VB
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