【AP2623GY无铅电镀产品先进的电源电子股份有限公司▼低栅电荷▼低导通电阻▼表面贴装封装G1S1G】,IC型号AP2623GY,AP2623GY PDF资料,AP2623GY经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP2623GY

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

低导通电阻

▼

表面贴装封装

G1

S1

G2

D1

P沟道增强模式

功率MOSFET

D2

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-30V

170mΩ

- 2A

S2

描述

D2

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

S1

D1

G2

S2

G1

SOT-26

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

±20

-2

-1.6

-20

1.2

0.01

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200614041

AP2623GY

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。

-30

-

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.02

-

-

-

2

-

-

-

2.8

0.5

1.4

5

6

15

3

150

42

32

MAX 。单位

-

-

170

280

-3

-

-1

-25

±100

4.5

-

-

-

-

-

-

240

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= -10V ，我

D

=-2A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-1.6A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-2A

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

V

GS

= ±20V

I

D

=-2A

V

DS

=-24V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-15V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

测试条件

I

S

= -1A ，V

GS

=0V

I

S

= -2A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

20

13

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4板， t<5sec铜垫;安装在分当180 ℃ / W 。铜垫。

AP2623GY

20

12

T

A

= 25

o

C

15

- 10 V

-7.0V

-I

D

，漏电流（ A）

T

A

= 150

o

C

10

- 10 V

-7.0V

-I

D

，漏电流（ A）

8

10

-5.0V

-4.5V

-5.0V

-4.5V

6

4

5

2

VV =-3.0V

G

=-3.0V

G

0

0

1

2

3

4

5

6

7

0

0

1

2

3

4

V

G

=-3.0V

5

6

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

230

1.8

210

I

D

= - 1.6 A

T

A

=25

o

C

1.6

I

D

=- 2 A

V

G

= - 10V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.4

190

归一化

DS （ ON）

1.2

170

1.0

150

0.8

130

2

4

6

8

10

0.6

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.6

2.0

1.5

归-V

GS （ TH）

(V)

1.4

1.2

-I

S

(A)

T

j

=150

o

C

1.0

T

j

=25

o

C

0.8

0.5

0.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0.4

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP2623GY

f=1.0MHz

12

1000

-V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=-24V

I

D

=-2A

C

国际空间站

C（ pF）的

8

6

100

4

C

OSS

C

RSS

2

0

0

1

2

3

4

5

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

10

0.1

0.1

0.05

-I

D

(A)

1ms

1

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 180℃/W

℃

10ms

0.01

0.1

T

A

=25

o

C

单脉冲

100ms

1s

DC

10

100

0.01

0.1

1

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

AP2623GY

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅电荷

▼

低导通电阻

▼

表面贴装封装

G1

S1

G2

D1

P沟道增强模式

功率MOSFET

D2

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

-30V

170mΩ

- 2A

S2

描述

D2

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

S1

D1

G2

S2

G1

SOT-26

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-30

±20

-2

-1.6

-20

1.2

0.01

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

110

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200614041

AP2623GY

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

分钟。

-30

-

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.02

-

-

-

2

-

-

-

2.8

0.5

1.4

5

6

15

3

150

42

32

MAX 。单位

-

-

170

280

-3

-

-1

-25

±100

4.5

-

-

-

-

-

-

240

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= -10V ，我

D

=-2A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-1.6A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -5V ，我

D

=-2A

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

DS

=-24V, V

GS

=0V

V

GS

= ±20V

I

D

=-2A

V

DS

=-24V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-15V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

测试条件

I

S

= -1A ，V

GS

=0V

I

S

= -2A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

20

13

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4板， t<5sec铜垫;安装在分当180 ℃ / W 。铜垫。

AP2623GY

20

12

T

A

= 25

o

C

15

- 10 V

-7.0V

-I

D

，漏电流（ A）

T

A

= 150

o

C

10

- 10 V

-7.0V

-I

D

，漏电流（ A）

8

10

-5.0V

-4.5V

-5.0V

-4.5V

6

4

5

2

VV =-3.0V

G

=-3.0V

G

0

0

1

2

3

4

5

6

7

0

0

1

2

3

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V

G

=-3.0V

5

6

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

230

1.8

210

I

D

= - 1.6 A

T

A

=25

o

C

1.6

I

D

=- 2 A

V

G

= - 10V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.4

190

归一化

DS （ ON）

1.2

170

1.0

150

0.8

130

2

4

6

8

10

0.6

-50

0

50

100

150

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.6

2.0

1.5

归-V

GS （ TH）

(V)

1.4

1.2

-I

S

(A)

T

j

=150

o

C

1.0

T

j

=25

o

C

0.8

0.5

0.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0.4

-50

0

50

100

150

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP2623GY

f=1.0MHz

12

1000

-V

GS

，门源电压（ V）

10

V

DS

=-24V

I

D

=-2A

C

国际空间站

C（ pF）的

8

6

100

4

C

OSS

C

RSS

2

0

0

1

2

3

4

5

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

归热响应（R

thJA

)

占空比系数= 0.5

0.2

10

0.1

0.1

0.05

-I

D

(A)

1ms

1

0.02

0.01

单脉冲

P

DM

t

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 180℃/W

℃

10ms

0.01

0.1

T

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=25

o

C

单脉冲

100ms

1s

DC

10

100

0.01

0.1

1

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

-4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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终端采购配单精选

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联系人：何小姐

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联系人：林先生

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2022+

13025

SOT23-6

全新原装现货/热卖库存/稳定供应/价格优势，支持实单

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2418+

39482

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联系人：赵小姐

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AP2623GY

APEC/富鼎

2022

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