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AP2603GY
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
封装尺寸小
▼
表面安装器件
TSOP-6
D
D
D
D
S
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G
-20V
65mΩ
-5.0A
I
D
描述
D
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
成本效益的设备。
该TSOP -6封装普遍适用于所有商业工业
应用程序。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-20
±12
-5
-4
-20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200129043
AP2603GY
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-20
-
-
-
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
MAX 。单位
-
-
53
65
120
250
-1.2
-
-1
-10
±100
16
-
-
-
-
-
-
1200
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.0A
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10.6
2.32
3.68
5.9
3.6
32.4
2.6
740
167
126
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.8A
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
V
GS
= ±12V
I
D
=-4.2A
V
DS
=-16V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-4.2A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=3.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= -4.2A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27.7
22
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当156 ℃ / W 。铜垫。
AP2603GY
40
36
T
A
=25
o
C
-5.0V
30
32
T
A
=150
o
C
-5.0V
-4.0V
28
-I
D
，漏电流（ A）
-4.0V
-I
D
，漏电流（ A）
24
65mΩ
-3.0V
20
20
-3.0V
16
12
10
8
V
G
= -2.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
4
V
G
= -2.0V
0
1
2
3
4
5
6
7
0
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
220
1.8
180
I = -4.2A
I
DD
=-4.2A
T
A
=25
o o
C
T
A
=25 C
归一化
DS （ ON）
0
2
4
6
8
10
12
1.6
I
D
= -4.2A
V
GS
= -4.5V
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
140
1.2
100
1
60
0.8
20
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
10
1
1
T
j
=150
o
C
0.1
T
j
=25
o
C
-V
GS （ TH）
(V)
0.5
-I
S
(A)
2.01E+08
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP2603GY
12
1000
f=1.0MHz
C
国际空间站
I
D
= -4.2A
-V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
= -16V
8
65mΩ
C（ pF）的
100
C
OSS
C
RSS
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
10
0.2
1ms
-I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.01
10ms
100ms
0.1
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 156℃/W
℃
0.01
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
1s
DC
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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