【AP2602GY无铅电镀产品先进的电源电子股份有限公司▼能够2.5V栅极驱动▼导通电阻的降低▼表面贴】,IC型号AP2602GY,AP2602GY PDF资料,AP2602GY经销商,ic,电子元器件-51电子网

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AP2602GY

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

导通电阻的降低

▼

表面贴装封装

▼

符合RoHS

SOT-26

D

D

D

D

G

S

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

20V

34mΩ

6.3A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

, V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

3

等级

20

±12

6.3

5

30

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200629051-1/4

AP2602GY

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

20

-

-

-

-

-

0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.1

-

-

-

-

-

13

-

-

-

8.7

1.5

3.6

6

14

18.4

2.8

603

144

111

MAX 。单位

-

-

30

34

50

90

-

-

1

10

±100

16

-

-

-

-

-

-

1085

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=5.5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5.3A

V

GS

= 2.5V ，我

D

=2.6A

V

GS

= 1.8V ，我

D

=1.0A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=55

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 5V ，我

D

=5.3A

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

DS

=16V ,V

GS

=0V

V

GS

= ± 12V

I

D

=5.3A

V

DS

=10V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=2Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=15V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

2

测试条件

I

S

= 1.2A ，V

GS

=0V

I

S

= 5A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

16.8

11

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫;安装在分当156 ℃ / W 。铜垫。

2/4

AP2602GY

80

50

T

A

=25 C

60

o

5.0V

4.5V

4.0V

I

D

，漏电流（ A）

T

A

=150

o

C

40

5.0V

4.5V

30

I

D

，漏电流（ A）

V

G

=2.5V

40

4.0V

20

20

V

G

=2.5V

10

0

0

1

2

3

4

5

6

7

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

100

1.8

I

D

= 1.0 A

T

A

=25

o

C

80

I

D

=5.3A

V

G

=4.5V

归一化

DS （ ON）

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

60

1.0

40

20

1

4

7

10

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.4

10

1

1

I

S

(A)

T

j

=150 C

o

T

j

=25 C

o

V

GS （ TH）

(V)

0.6

0.2

-50

0.1

0.01

0

0.4

0.8

1.2

1.6

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

3/4

AP2602GY

f=1.0MHz

14

1000

12

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

=5.3A

V

DS

=16V

C

国际空间站

10

C（ pF）的

8

C

OSS

100

6

C

RSS

4

2

0

0

5

10

15

20

25

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

1ms

I

D

(A)

1

0.1

0.1

0.05

10ms

100ms

1s

DC

P

DM

0.01

t

T

单脉冲

0.01

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 156℃/W

0.1

o

T

A

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

4/4

AP2602GY

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

导通电阻的降低

▼

表面贴装封装

▼

符合RoHS

SOT-26

D

D

D

D

G

S

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

20V

34mΩ

6.3A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -26封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

, V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

3

等级

20

±12

6.3

5

30

2

0.016

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200629051-1/4

AP2602GY

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

20

-

-

-

-

-

0.5

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.1

-

-

-

-

-

13

-

-

-

8.7

1.5

3.6

6

14

18.4

2.8

603

144

111

MAX 。单位

-

-

30

34

50

90

-

-

1

10

±100

16

-

-

-

-

-

-

1085

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

2

V

GS

= 10V ，我

D

=5.5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5.3A

V

GS

= 2.5V ，我

D

=2.6A

V

GS

= 1.8V ，我

D

=1.0A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=55

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 5V ，我

D

=5.3A

V

DS

=20V, V

GS

=0V

V

DS

=16V ,V

GS

=0V

V

GS

= ± 12V

I

D

=5.3A

V

DS

=10V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=2Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=15V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

2

测试条件

I

S

= 1.2A ，V

GS

=0V

I

S

= 5A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

16.8

11

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复时间

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫;安装在分当156 ℃ / W 。铜垫。

2/4

AP2602GY

80

50

T

A

=25 C

60

o

5.0V

4.5V

4.0V

I

D

，漏电流（ A）

T

A

=150

o

C

40

5.0V

4.5V

30

I

D

，漏电流（ A）

V

G

=2.5V

40

4.0V

20

20

V

G

=2.5V

10

0

0

1

2

3

4

5

6

7

0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

100

1.8

I

D

= 1.0 A

T

A

=25

o

C

80

I

D

=5.3A

V

G

=4.5V

归一化

DS （ ON）

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

60

1.0

40

20

1

4

7

10

0.6

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.4

10

1

1

I

S

(A)

T

j

=150 C

o

T

j

=25 C

o

V

GS （ TH）

(V)

0.6

0.2

-50

0.1

0.01

0

0.4

0.8

1.2

1.6

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

3/4

AP2602GY

f=1.0MHz

14

1000

12

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

=5.3A

V

DS

=16V

C

国际空间站

10

C（ pF）的

8

C

OSS

100

6

C

RSS

4

2

0

0

5

10

15

20

25

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

1ms

I

D

(A)

1

0.1

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100ms

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DC

P

DM

0.01

t

T

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占空比系数= T / T

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j

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DM

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thJA

+ T

a

R

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A

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1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

4/4

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

AP2602GY

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

AP2602GY

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

天津市博通航睿技术有限公司

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电话：18322198211

联系人：马先生

地址：天津天津市南开区科研西路12号356室

AP2602GY

APEC

686

SOT26

原装正品公司现货

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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：何小姐

地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

AP2602GY

APEC/富鼎

21+

12000

SOT23-6

全新原装正品/质量有保证

锦迅科技(香港)有限公司

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电话：0755-83226745/82584980

联系人：马小姐

地址：福田区振华路深纺大厦A座1708室

AP2602GY

APEC

21+

18750

SOT23-6

只做原装正品,提供一站式BOM配单服务

深圳市品惠科技有限公司

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电话：0755-23996734

联系人：李先生

地址：深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C

AP2602GY

APEC

20+

12000

SOT-26(Y)

授权代理，进口现货

深圳市源丰诚电子科技有限公司

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电话：0755-23919407

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518

AP2602GY

APEC

17+

4550

SOT-26

进口全新原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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QQ：2881793588 复制

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