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AP25T03GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
35mΩ
20A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP25T03GJ ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±20
20
12
45
20.8
0.16
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
6
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200803053-1/4
AP25T03GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
13
-
-
-
6
2
4
6
200
10
3
440
105
75
MAX 。单位
-
-
35
55
3
-
1
25
±100
10
-
-
-
-
-
-
705
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=12A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=12A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=12A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1.25Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 12A ，V
GS
=0V
I
S
=12A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
18
6
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
AP25T03GH/J
50
50
T
C
=25 C
40
o
10V
7.0V
40
10V
T
C
= 150 C
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
o
I
D
，漏电流（ A）
30
30
5.0V
20
5.0V
20
4.5V
4.5V
10
10
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
V
G
=3.0V
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
105
1.6
I
D
=7A
85
1.4
归一化
DS （ ON）
o
T
C
=25 C
I
D
= 12 A
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
65
1.0
45
0.8
25
0.6
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
10
8
归V
GS （ TH）
(V)
1.4
6
I
S
(A)
T
j
=150 C
4
o
T
j
=25 C
o
1
0.6
2
0
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP25T03GH/J
f=1.0MHz
14
1000
12
I
D
=12A
C
国际空间站
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
100
V
GS
，门源电压（ V）
10
8
C
OSS
C
RSS
6
4
2
0
0
4
8
12
16
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
0.2
100us
I
D
(A)
1ms
10ms
100ms
DC
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
1
t
T
单脉冲
T
c
=25 C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
o
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=5V
25
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
I
D
，漏电流（ A）
20
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
15
10
5
收费
0
0
2
4
6
8
Q
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
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