添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1207页 > AP2532GY
AP2532GY
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
快速开关性能
表面贴装封装
SOT-26
S2
G1
D1
G2
D2
S1
N型和P沟道增强
MODE POWER MOSFET
N-CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
P- CH BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
30V
130mΩ
2.4A
-30V
250mΩ
-1.8A
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工
技术,以实现尽可能低的导通电阻,
效率和成本效益的设备。
采用SOT -26封装
广泛
用于商业表面
安装应用程序。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
30
±20
2.4
1.9
10
1.14
0.01
-55到150
-55到150
P沟道
-30
±20
-1.8
-1.4
-10
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大
热阻,结到环境
3
价值
110
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
201018074-1/7
AP2532GY
N-CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=1A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=0.5A
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
分钟。
30
-
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
1.6
-
-
-
2.7
0.9
1.2
4.3
10
12
2.5
180
70
50
1.7
MAX 。单位
-
130
250
3
-
1
25
±100
4.3
-
-
-
-
-
-
290
-
-
2.6
V
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=1A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=1.8A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=10V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 0.9A ,V
GS
=0V
I
S
= 1.8A ,V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
16
10
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
2/7
AP2532GY
P- CH电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-0.6A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-0.3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-1A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V ,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=-1.2A
V
DS
=-10V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-0.6A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=25Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-10V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
-30
-
-
-1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
1.7
-
-
-
2.5
1
1
6
9
18
4
175
63
45
10
马克斯。
-
250
400
-3
-
-1
-25
±100
4
-
-
-
-
-
-
280
-
-
15
单位
V
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -0.9A ,V
GS
=0V
I
S
= -1.2A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
14
6
马克斯。
-1.3
-
-
单位
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4板, t<5sec铜垫;安装在分当180 ℃ / W 。铜垫。
本产品对静电敏感的,请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
3/7
AP2532GY
N沟道
10
10
T
A
=25 C
8
o
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
10 V
7.0 V
5.0 V
4.5 V
T
A
= 150
o
C
8
10 V
7.0 V
5.0 V
4.5 V
6
6
4
4
2
2
V
G
= 3.0 V
V
G
= 3.0 V
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
190
1.8
I
D
= 0.5 A
170
T
A
=25 C
o
I
D
=1A
V
G
=10V
归一化
DS ( ON)
2
4
6
8
10
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
150
1.4
130
110
1.0
90
70
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
3
归V
GS ( TH)
(V)
2
1.2
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1
0.8
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
4/7
AP2532GY
N沟道
f=1.0MHz
15
1000
I
D
= 1.8 A
V
DS
= 10 V
V
GS
,门源电压( V)
12
9
C( pF)的
C
国际空间站
100
6
C
OSS
C
RSS
3
0
0
1
2
3
4
5
6
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
0.1
0.1
I
D
(A)
1
100us
1ms
0.05
0.02
0.01
P
DM
t
T
单脉冲
10ms
0.1
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 180℃/W
o
T
A
=25 C
单脉冲
100ms
1s
DC
10
100
0.01
0.1
1
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
5/7
查看更多AP2532GYPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP2532GY
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AP2532GY
APEC/富鼎
20+
16800
SOT-26
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
AP2532GY
APEC/富鼎
2019
79600
SOT-26
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
AP2532GY
APEC
17+
4550
SOT23-6
进口全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AP2532GY
APEC/富鼎
2443+
23000
SOT-26
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
AP2532GY
VB
25+23+
35500
SOT-26
绝对原装进口现货!渠道优势供应!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:280773285 复制 点击这里给我发消息 QQ:2748708193 复制
电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AP2532GY
APEC
24+
25000
SOT-26
全新进口原装现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
AP2532GY
APEC/富鼎
25+23+
12500
SOT-26
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
AP2532GY
APEC/富鼎
2022
345860
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885514887 复制

电话:0755-83987779
联系人:洪小姐
地址:福田区中航路都会电子城2C020A室(本公司可以开13%增票,3%增票和普票)
AP2532GY
APEC/富鼎
2023+PB
45000
SOT-26
★专业经营贴片二,三极管,桥堆★现货库存低价抛售★
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AP2532GY
APEC/富鼎
24+
21000
SOT-26
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
查询更多AP2532GY供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!