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AP2324GN-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
能够2.5V栅极驱动
低栅极电荷
表面贴装封装
符合RoHS &无卤
SOT-23
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
S
G
20V
25mΩ
6A
D
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻,非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT -23封装,广泛用于所有的商业,工业
应用程序。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
+12
6
4.8
24
1.38
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
3
价值
90
单位
℃/W
1
201007292
数据和规格如有变更,恕不另行通知
AP2324GN-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 4.5V ,我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=2.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ,我
D
=5A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
GS
= +12V, V
DS
=0V
I
D
=5A
V
DS
=10V
V
GS
=4.5V
V
DS
=10V
I
D
=1A
R
G
=3.3
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
20
-
-
0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
15
-
-
9
1.2
3.5
8
11
20
6
600
125
115
1.7
MAX 。单位
-
25
39
1.2
-
1
+100
14.4
-
-
-
-
-
-
960
-
-
-
V
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.2A ,V
GS
=0V
I
S
= 5A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
22
10
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
2
AP2324GN-HF
30
20
T
A
=25 C
I
D
,漏电流( A)
o
20
I
D
,漏电流( A)
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
T
A
=150 C
16
o
5.0V
4.5V
3.5V
2.5V
V
G
=2.0V
12
V
G
=2.0V
8
10
4
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
35
1.8
I
D
=2.5A
T
A
=25
o
C
31
1.6
I
D
=5A
V
G
=4.5V
归一化
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.4
27
1.2
23
1.0
19
0.8
15
0
1
2
3
4
5
6
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
8
1.4
归V
GS ( TH)
(V)
6
1.2
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
4
T
j
=25
o
C
1
0.8
0.6
2
0.4
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP2324GN-HF
8
1000
f=1.0MHz
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=5A
800
6
4
C( pF)的
V
DS
=10V
V
DS
=12V
V
DS
=16V
600
C
国际空间站
400
2
200
C
OSS
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
1
5
9
13
17
21
25
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
10
操作在此
面积受限
R
DS ( ON)
归热响应(R
thJA
)
DUTY=0.5
0.2
100us
0.1
0.1
I
D
(A)
0.05
1
1ms
10ms
0.02
0.01
P
DM
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja = 270 ℃ / W
0.1
T
A
=25
o
C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
100ms
1s
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP2324GN-HF
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003921838 复制

电话:18322198211
联系人:马先生
地址:天津天津市南开区科研西路12号356室
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APEC
38506.17175
1612
SOT23
原装正品公司现货
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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SOT-23
全新原装正品/质量有保证
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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
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19+
3600
SOT23-3
全新原装15818663367
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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APEC/富鼎
2443+
23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
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现货57K原装支持样品
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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21+22+
62710
SOT23
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QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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