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AP2318GEN
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
小外形封装
▼
符合RoHS
S
SOT-23
G
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
720mΩ
1A
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT -23封装普遍用于所有的商业，工业
应用程序。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±16
1
0.8
2
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200811051-1/4
AP2318GEN
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.04
-
-
-
725
-
-
-
1.1
0.4
0.4
17
44
45
55
30
12
11
MAX 。单位
-
-
720
1200
1.3
-
-1
-25
±30
1.8
-
-
-
-
-
-
48
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
mS
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4V ，我
D
=500mA
V
GS
= 2.5V ，我
D
=200mA
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 4V ，我
D
=500mA
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
=±16V
I
D
=1A
V
DS
=25V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
-
MAX 。单位
1.3
V
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
2/4
AP2318GEN
2.5
2.5
2.0
T
A
= 25 C
o
5.0V
4.5V
4.0 V
I
D
，漏电流（ A）
T
A
=150 C
2.0
o
5.0V
4.5V
4.0 V
I
D
，漏电流（ A）
1.5
1.5
1.0
1.0
2.5V
0.5
2.5V
0.5
V
G
= 1 .5V
0.0
0.0
2.0
4.0
6.0
0.0
0.0
2.0
4.0
V
G
= 1 .5V
6.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
3300
2.0
I
D
=200mA
T
A
=25 C
1.6
2300
o
I
D
=500mA
V
G
=4V
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
1300
0.8
300
1
2
3
4
5
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
1.0
0.8
1.5
I
S
(A)
0.6
T
j
=150
o
C
0.4
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1.0
0.5
0.2
0.0
0
0.2
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0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP2318GEN
f=1.0MHz
12
100
I
D
=1A
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=25V
9
C（ pF）的
6
C
国际空间站
3
C
OSS
C
RSS
0
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
10
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
1
0.2
I
D
(A)
10ms
0.1
0.1
P
DM
t
0.05
100ms
0.1
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 270
℃
/W
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
100
0.01
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
2.0
V
DS
=5V
1.5
V
G
Q
G
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25 C
1.0
o
T
j
=150 C
o
Q
GS
Q
GD
0.5
收费
0.0
Q
0
2
4
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷电路
4/4
AP2318GEN
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
小外形封装
▼
符合RoHS
S
SOT-23
G
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
720mΩ
1A
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT -23封装普遍用于所有的商业，工业
应用程序。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±16
1
0.8
2
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200811051-1/4
AP2318GEN
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.04
-
-
-
725
-
-
-
1.1
0.4
0.4
17
44
45
55
30
12
11
MAX 。单位
-
-
720
1200
1.3
-
-1
-25
±30
1.8
-
-
-
-
-
-
48
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
mS
uA
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4V ，我
D
=500mA
V
GS
= 2.5V ，我
D
=200mA
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 4V ，我
D
=500mA
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
=±16V
I
D
=1A
V
DS
=25V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
-
MAX 。单位
1.3
V
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
2/4
AP2318GEN
2.5
2.5
2.0
T
A
= 25 C
o
5.0V
4.5V
4.0 V
I
D
，漏电流（ A）
T
A
=150 C
2.0
o
5.0V
4.5V
4.0 V
I
D
，漏电流（ A）
1.5
1.5
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1.0
2.5V
0.5
2.5V
0.5
V
G
= 1 .5V
0.0
0.0
2.0
4.0
6.0
0.0
0.0
2.0
4.0
V
G
= 1 .5V
6.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
3300
2.0
I
D
=200mA
T
A
=25 C
1.6
2300
o
I
D
=500mA
V
G
=4V
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
1300
0.8
300
1
2
3
4
5
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
1.0
0.8
1.5
I
S
(A)
0.6
T
j
=150
o
C
0.4
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1.0
0.5
0.2
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP2318GEN
f=1.0MHz
12
100
I
D
=1A
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=25V
9
C（ pF）的
6
C
国际空间站
3
C
OSS
C
RSS
0
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
10
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
1
0.2
I
D
(A)
10ms
0.1
0.1
P
DM
t
0.05
100ms
0.1
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 270
℃
/W
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
100
0.01
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
2.0
V
DS
=5V
1.5
V
G
Q
G
4.5V
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25 C
1.0
o
T
j
=150 C
o
Q
GS
Q
GD
0.5
收费
0.0
Q
0
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V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷电路
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AS251
AT25256W-10SJ-1.8
AT27C256R-17DM
A67P9318E-3.8
A1145EUA-T
AHK1117XNY-33-T1
ADL5902
AT28HC256-70JC
APX803-44SAG-7
AD526JN
ASI1001
AME8500AEFVAD19
ADM3312EACP-REEL7
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人：朱先生
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联系人：陈先生/李小姐/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商！
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电话：0755-82561519
联系人：李先生
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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