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AP2306AGN-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
导通电阻的降低
▼
表面贴装封装
▼
符合RoHS
S
SOT-23
G
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
D
30V
35mΩ
5A
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT -23封装，广泛用于所有的商业，工业
应用程序。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
30
+8
5
4
20
1.38
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻结到环境
3
价值
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200810141
AP2306AGN-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=2.6A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=1.0A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
= +8V
I
D
=5A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
-
0.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
9
-
-
-
8.5
1
3
5
9
20
5
400
90
70
MAX 。单位
-
35
50
80
1.2
-
1
25
+100
15
-
-
-
-
-
-
1050
-
-
V
m
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= 1.2A ，V
GS
=0V
分钟。
-
典型值。
-
MAX 。单位
1.2
V
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP2306AGN-HF
80
50
T
A
=25
o
C
I
D
，漏电流（ A）
60
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
4.0V
T
A
=150
o
C
40
5.0V
4.5V
30
40
V
G
=2.5V
4.0V
20
20
10
V
G
=2.5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
60
1.8
I
D
=2.6A
T
A
=25
o
C
1.6
I
D
=5A
V
G
=4.5V
归一化
DS （ ON）
50
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.4
40
1.2
30
1.0
20
0
2
4
6
8
0.8
25
50
75
100
125
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.2
10
1
1
T
j
=150
o
C
T
j
=25 C
o
V
GS （ TH）
(V)
I
S
(A)
0.8
0.1
0.6
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.4
25
50
75
100
125
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP2306AGN-HF
8
600
f=1.0MHz
V
GS
，门源电压（ V）
500
6
C（ pF）的
I
D
=5A
V
DS
=16V
4
400
C
国际空间站
300
200
2
100
C
OSS
C
RSS
0
0
0
4
8
12
16
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
I
D
(A)
1ms
1
0.05
P
DM
0.01
t
T
10ms
0.1
0.01
单脉冲
100ms
o
T
A
=25 C
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja = 270 ℃ / W
1s
DC
1
10
100
0.01
0.1
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SOT -23
D
D1
符号
民
MILLIMETERS
喃
最大
A
A1
E1
A2
E
D1
1.00
0.00
0.10
0.30
1.70
2.70
2.40
1.40
1.15
--
0.15
0.40
2.00
2.90
2.65
1.50
1.30
0.10
0.25
0.50
2.30
3.10
3.00
1.60
e
D
E
E1
e
1.所有尺寸以毫米为单位。
A
A2
A1
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装： SOT -23
N8YY
产品型号： N8
如果第二个字母有下划线：HF & RoHS产品
如果第二封信并没有强调： ROHS产品
日期代码： YY
YY:2004,2008,2012…
YY:2003,2007,2011…
YY:2002,2006,2010…
YY:2001,2005,2009…
5
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A-563Y-11
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AM27S191SA25JC-S
AC-1040
AC1040
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AD664KPZ
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