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AP2305AN
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
封装尺寸小
▼
表面安装器件
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-30V
80mΩ
- 3.2A
描述
SOT-23
G
D
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
，低导通电阻和成本效益。
采用SOT -23封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
- 30
± 12
-3.2
-2.6
-10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200731031
AP2305AN
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
分钟。
-30
-
-
-
-
-
-0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
MAX 。单位
-
-
60
80
150
250
-1.2
-
-1
-25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1325
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-3.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.0A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.0A
-
-
-
-
-
9
-
-
-
10
1.8
3.6
7
15
21
15
735
100
80
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.0A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 12V
I
D
=-3.2A
V
DS
=-24V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-3.2A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=-10V
R
D
=4.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
测试条件
I
S
= -1.2A ，V
GS
=0V
I
S
= -3.2A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
24
19
MAX 。单位
-1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
AP2305AN
40
36
T
A
=25
o
C
-5.0V
-I
D
，漏电流（ A）
30
32
T
A
=150
o
C
-5.0V
-4.0V
28
-I
D
，漏电流（ A）
-4.0V
24
65mΩ
-3.0V
20
20
-3.0V
16
12
10
V
G
= -2.0V
8
V
G
= -2.0V
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
300
1.8
I
D
= -1.0A
T
A
=25
o
C
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
200
1.6
I
D
= -3.0A
V
GS
= -4.5V
归一化
DS （ ON）
0
2
4
6
8
10
12
1.4
1.2
100
1
0.8
0
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
100
10
1
1
-V
GS （ TH）
(V)
0.5
0
-50
T
j
=150 C
-I
S
(A)
o
T
j
=25 C
o
0.1
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP2305AN
12
10000
f=1.0MHz
10
-V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= -3.2A
V
DS
= -24V
8
1000
65mΩ
西塞
6
C（ pF）的
4
100
科斯
CRSS
2
0
0
2
4
6
8
10
12
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
DUTY=0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
0.05
-I
D
(A)
1
1ms
P
DM
t
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
10ms
0.1
0.01
单脉冲
100ms
T
A
=25 C
单脉冲
o
Rthja = 270 ℃ / W
℃
1s
DC
10
100
0.01
0.1
1
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
-4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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