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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第262页 > AP2304GN
AP2304GN
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
封装尺寸小
▼
表面贴装封装
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
117mΩ
2.7A
描述
SOT-23
G
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
低导通电阻和成本效益。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±20
2.7
2.2
10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200420043
AP2304GN
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
MAX 。单位
-
-
117
190
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 4.5V ，我
D
=2.5A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=25V ,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=2.5A
V
DS
=15V
V
GS
=10V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=6Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
-
3.4
-
-
-
5.9
0.8
2.1
4.5
11.5
12
3
110
85
39
3
-
1
10
±100
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
I
S
= 1.25A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
1
10
1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
AP2304GN
10
10
V
GS
=10V - 5V
8
T
A
=25 C
8
o
T
A
=150
o
C
V
GS
=10V - 5V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
6
6
V
GS
=4V
4
V
GS
=4V
4
2
2
V
GS
=3V
0
0
V
GS
=3V
10
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
700
1.8
600
I
D
=2A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
1.6
V
GS
=10V
I
D
=2.5A
500
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.4
400
1.2
300
1.0
200
0.8
100
0
0
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.25
10
2.05
1
V
GS （ TH）
(V)
1.3
I
F
(A)
1.85
T
j
=150 C
o
T
j
=25 C
o
1.65
0
0.1
0.5
0.9
1.45
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP2304GN
f=1.0MHz
10
1000
V
GS
，门源电压（ V）
8
V
DS
=15V
I
D
=2.5A
6
C（ pF）的
100
C
国际空间站
C
OSS
4
2
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
6
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1ms
1
P
DM
0.01
t
T
10ms
0
0.01
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
100ms
1s
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 270℃/W
℃
0
0.001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
AP2304GN
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
封装尺寸小
▼
表面贴装封装
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
117mΩ
2.7A
描述
SOT-23
G
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
低导通电阻和成本效益。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±20
2.7
2.2
10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
90
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200420043
AP2304GN
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
MAX 。单位
-
-
117
190
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 4.5V ，我
D
=2.5A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=25V ,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=2.5A
V
DS
=15V
V
GS
=10V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=6Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
-
3.4
-
-
-
5.9
0.8
2.1
4.5
11.5
12
3
110
85
39
3
-
1
10
±100
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
I
S
= 1.25A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
1
10
1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
AP2304GN
10
10
V
GS
=10V - 5V
8
T
A
=25 C
8
o
T
A
=150
o
C
V
GS
=10V - 5V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
6
6
V
GS
=4V
4
V
GS
=4V
4
2
2
V
GS
=3V
0
0
V
GS
=3V
10
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
700
1.8
600
I
D
=2A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
1.6
V
GS
=10V
I
D
=2.5A
500
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.4
400
1.2
300
1.0
200
0.8
100
0
0
2
4
6
8
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.25
10
2.05
1
V
GS （ TH）
(V)
1.3
I
F
(A)
1.85
T
j
=150 C
o
T
j
=25 C
o
1.65
0
0.1
0.5
0.9
1.45
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP2304GN
f=1.0MHz
10
1000
V
GS
，门源电压（ V）
8
V
DS
=15V
I
D
=2.5A
6
C（ pF）的
100
C
国际空间站
C
OSS
4
2
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
6
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1ms
1
P
DM
0.01
t
T
10ms
0
0.01
单脉冲
T
A
=25
o
C
单脉冲
100ms
1s
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 270℃/W
℃
0
0.001
0.1
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
产品speci fi cation
AP2304GN
▼
简单的驱动要求
▼
封装尺寸小
▼
表面贴装封装
S
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
117mΩ
2.7A
描述
SOT-23
G
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
低导通电阻和成本效益。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
±20
2.7
2.2
10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
90
单位
℃/W
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
产品speci fi cation
AP2304GN
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
MAX 。单位
-
-
117
190
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=55
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 4.5V ，我
D
=2.5A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=25V ,V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=2.5A
V
DS
=15V
V
GS
=10V
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D
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G
=6Ω,V
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=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
-
3.4
-
-
-
5.9
0.8
2.1
4.5
11.5
12
3
110
85
39
3
-
1
10
±100
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
I
S
= 1.25A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
1
10
1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。
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