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AP2304AN

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

封装尺寸小

▼

表面安装器件

S

SOT-23

G

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

30V

117mΩ

2.5A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -23封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流

3

, V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

3

等级

30

±20

2.5

2

10

1.38

0.01

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

90

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200318041

AP2304AN

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

30

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.1

-

-

-

2

-

-

-

3

0.8

1.8

5

9

11

2

120

62

24

1.67

MAX 。单位

-

-

117

190

3

-

1

10

±100

5

-

-

-

-

-

-

190

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

V

GS

= 10V ，我

D

=2.5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=2A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=2.5A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V ,V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=2.5A

V

DS

=24V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

测试条件

I

S

= 1.2A ，V

GS

=0V

I

S

= 2A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

24

23

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。

AP2304AN

12

12

T

A

=25

o

C

10

10

T

A

=150 C

10V

6.0V

5.0V

10V

6.0V

5.0V

o

I

D

，漏电流（ A）

8

I

D

，漏电流（ A）

8

6

6

4.0V

4

4.0V

4

2

V

G

=3.0V

2

V

G

=3.0V

0

0

0

1

2

3

4

5

6

7

0

1

2

3

4

5

6

7

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

140

1.8

130

I

D

=2 A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

1.6

V

G

=10V

I

D

=2.5A

120

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

110

1.2

100

1.0

90

0.8

80

70

3

5

7

9

11

0.6

-50

0

50

100

150

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

10.00

2.05

1.85

1.00

V

GS （ TH）

(V)

I

S

(A)

T

j

=150 C

o

T

j

=25 C

o

1.65

0.10

1.45

0.01

0.1

0.5

0.9

1.3

1.25

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP2304AN

f=1.0MHz

12

1000

I

D

=2.5A

10

V

GS

，门源电压（ V）

8

C（ pF）的

V

DS

=24V

V

DS

=20V

V

DS

=15V

6

100

C

国际空间站

C

OSS

4

C

RSS

2

0

0

1

2

3

4

5

6

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

0.1

0.1

I

D

(A)

1ms

1

0.05

P

DM

t

0.01

10ms

100ms

0.1

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 270

℃

/W

0.01

单脉冲

T

A

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

o

1s

DC

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

AP2304AN

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

封装尺寸小

▼

表面安装器件

S

SOT-23

G

D

N沟道增强模式

功率MOSFET

BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

30V

117mΩ

2.5A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

采用SOT -23封装普遍用于所有的商业，工业

应用程序。

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流

3

, V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

3

等级

30

±20

2.5

2

10

1.38

0.01

-55到150

-55到150

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

90

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200318041

AP2304AN

电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

30

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

0.1

-

-

-

2

-

-

-

3

0.8

1.8

5

9

11

2

120

62

24

1.67

MAX 。单位

-

-

117

190

3

-

1

10

±100

5

-

-

-

-

-

-

190

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

g

V

GS

= 10V ，我

D

=2.5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=2A

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=2.5A

V

DS

=30V, V

GS

=0V

V

DS

=24V ,V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=2.5A

V

DS

=24V

V

GS

=4.5V

V

DS

=15V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=15Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

f=1.0MHz

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

测试条件

I

S

= 1.2A ，V

GS

=0V

I

S

= 2A ，V

GS

=0V,

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

24

23

MAX 。单位

1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫;安装在分当270 ℃ / W 。铜垫。

AP2304AN

12

12

T

A

=25

o

C

10

10

T

A

=150 C

10V

6.0V

5.0V

10V

6.0V

5.0V

o

I

D

，漏电流（ A）

8

I

D

，漏电流（ A）

8

6

6

4.0V

4

4.0V

4

2

V

G

=3.0V

2

V

G

=3.0V

0

0

0

1

2

3

4

5

6

7

0

1

2

3

4

5

6

7

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

140

1.8

130

I

D

=2 A

T

A

=25

℃

归一化

DS （ ON）

1.6

V

G

=10V

I

D

=2.5A

120

1.4

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

110

1.2

100

1.0

90

0.8

80

70

3

5

7

9

11

0.6

-50

0

50

100

150

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（ C）

o

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

10.00

2.05

1.85

1.00

V

GS （ TH）

(V)

I

S

(A)

T

j

=150 C

o

T

j

=25 C

o

1.65

0.10

1.45

0.01

0.1

0.5

0.9

1.3

1.25

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP2304AN

f=1.0MHz

12

1000

I

D

=2.5A

10

V

GS

，门源电压（ V）

8

C（ pF）的

V

DS

=24V

V

DS

=20V

V

DS

=15V

6

100

C

国际空间站

C

OSS

4

C

RSS

2

0

0

1

2

3

4

5

6

10

1

5

9

13

17

21

25

29

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJA

)

0.2

10

0.1

0.1

I

D

(A)

1ms

1

0.05

P

DM

t

0.01

10ms

100ms

0.1

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

= 270

℃

/W

0.01

单脉冲

T

A

=25 C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

o

1s

DC

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

AP2304AN

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-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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终端采购配单精选

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地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

AP2304AN

VBSEMI

2443+

23000

SOT-23

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

AP2304AN

VBsemi

24+

27200

SOT23-3

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

AP2304AN

VB

25+23+

35500

SOT-23

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

深圳市华胜英科技有限公司

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联系人：郭

地址：深圳市福田区华强北华强广场B座

AP2304AN

VBsemi

21+

10000

SOT23-3

原装正品力挺实单

深圳市芯福林电子科技有限公司

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联系人：张女士

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VBsemi

21+22+

27000

SOT23-3

原装正品

深圳市芯福林电子科技有限公司

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联系人：张女士

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B

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VBsemi

21+

10065

原装正品，支持实单

深圳市恒达亿科技有限公司

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