初步数据表
3A DDR终端稳压器
概述
在AP2302线性调节器的设计，以满足
JEDEC规范SSTL - 2和SSTL -18 termi-
国家DDR- SDRAM内存。该稳压器可吸收或
提供高达3A的连续电流，提供了足够的
目前大多数DDR应用。输出电压
设计为不到2 ％跟踪参考电压
（ DDR I）和3 ％ （ DDR II ）公差负载调节
同时防止在输出阶段拍摄通过。
片上热限制提供保护，防止一
高电流和环境温度的组合
这将创建一个过高的结温。
在AP2302 ，配合使用串联端接
灰电阻器，提供了极好的电压源，用于
高速传输的有源终端方案
作为行中看到的高速内存总线和
分布式的背板设计。
在AP2302是采用SOIC - 8 ， TO- 252-5L和
TO- 263-5L封装。
AP2302
特点
·
·
·
·
·
同时支持DDR I （ 1.25V
TT
）和DDR II
(0.9V
TT
）要求
源和吸收电流高达3A
高精度输出电压在满负荷
可调式V
OUT
通过外部电阻
关机待机或挂起
操作与高阻抗输出
模式
应用
·
·
·
DDR -SDRAM终止
DDR -II终止
SSTL - 2终止
SOIC-8
TO-252-5L
TO-263-5L
AP2302图1.包装类型
2006年7月修订版1.2
1
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
3A DDR终端稳压器
引脚配置
男包
(SOIC-8)
V
IN
GND
REFEN
V
OUT
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CNTL
V
CNTL
V
CNTL
V
CNTL
AP2302
包
(TO-252-5L)
5
4
3
2
1
V
OUT
REFEN
V
CNTL
（ TAB ）
GND
V
IN
S5包装
(TO-263-5L)
5
4
3
2
1
V
OUT
REFEN
V
CNTL
（ TAB ）
GND
V
IN
图2. AP2302的引脚配置（顶视图）
引脚说明
引脚数
SOIC-8
1
2
3
4
5, 6, 7, 8
TO-252-5L
1
2
4
5
3
TO-263-5L
1
2
4
5
3
针
名字
V
IN
GND
REFEN
V
OUT
V
CNTL
电源输入
地
参考电压输入和芯片使能
输出电压
电源电压为内部电路（内部连接的SOIC-
8），（ TAB为TO- 252-5L和TO- 263-5L ）
功能
2006年7月修订版1.2
2
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
3A DDR终端稳压器
功能框图
V
CNTL
3 (5, 6, 7, 8)
AP2302
V
IN
1
当前
极限
带隙
A（B ）
一种5针
乙为8针
产量
控制
REFEN
4 (3)
5 (4)
V
OUT
启动
热
保护
2
GND
AP2302图3.功能框图
订购信息
AP2302
电路类型
包
M： SOIC - 8
D： TO- 252-5L
S5 ： TO- 263-5L
温度
范围
产品型号
铅锡
AP2302M
SOIC-8
0
125
o
C
AP2302MTR
TO-252-
5L
TO-263-
5L
AP2302D
0-125
o
C
-
E1 ：无铅
空白：铅锡
TR ：磁带和卷轴
空白：管
标记ID
包装类型
铅锡
2302M
2302M
AP2302D
AP2302D
AP2302S5
AP2302S5
无铅
2302M-E1
2302M-E1
AP2302D-E1
AP2302D-E1
AP2302S5-E1
AP2302S5-E1
管
TAPE
＆
REEL
管
TAPE
＆
REEL
管
TAPE
＆
REEL
包
无铅
AP2302M-E1
AP2302MTR-E1
AP2302D-E1
AP2302DTR-E1
AP2302S5-E1
AP2302S5TR-E1
AP2302DTR
AP2302S5
0-125
o
C
AP2302S5TR
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
2006年7月修订版1.2
3
BCD半导体制造有限公司
初步数据表
3A DDR终端稳压器
绝对最大额定值（注1 ）
参数
电源电压为内部电路
功耗
ESD（人体模型）
结温
存储温度范围
焊接温度（焊接， 10秒）
符号
V
CNTL
P
D
ESD
T
J
T
英镑
T
领导
SOIC-8
封装热阻（自由空气）
θ
JA
TO-252-5L
TO-263-5L
价值
7
内部限制
2
150
-65到150
260
160
130
90
o
C / W
AP2302
单位
V
W
KV
o
C
o
C
o
C
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压为内部电路
DDR I
电源输入
DDR II
结温
T
J
0
V
IN
1.6
1.8
125
o
C
符号
V
CNTL
（注2,3）
民
典型值
3.3
2.5
最大
6
V
CNTL
单位
V
V
注2 ：保持V
CNTL
≥
V
IN
在开机和关机顺序。
注3 ：对于安全运行，V
CNTL
必须连接到3.3V ，而不是5V 。
2006年7月修订版1.2
4
BCD半导体制造有限公司
QQ：2881677436 复制
