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AP2281
单压摆率受控负载开关
特点
宽输入电压范围： 1.5V - 6V
低R
DS （ ON）
： 80mΩ的典型@ 5V
导通控制的压摆率
AP2281-1 ： 1ms的导通上升时间
AP2281-3 ： 100us的导通上升时间与内部放电
非常低的导通静态电流： << 1uA的
快速负载放电选项
温度范围：-40 ° C至85°C
SOT26及DFN2018-6 ：可在“绿色”模塑
（无溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
描述
在AP2281压摆率控制的负荷开关是单P沟道
专为高端负载开关MOSFET功率开关
应用程序。该MOSFET的典型
DS （ ON）
80mΩ在5V ，
允许增加的负载电流处理能力的低
正向电压降。该装置的导通压摆率是
内部控制。
在AP2281负载开关被设计为从1.5V工作至6V ，
从而非常适用于1.8V ， 2.5V ， 3.3V ，和5V系统。典型的
静态电源电流仅为0.01uA 。
应用
智能手机
PDA
手机
GPS导航仪
PMP/MP4
笔记本电脑和掌上电脑
订购信息
AP2281 - X XX摹 - 7
开启上升时间
1 ： 1毫秒
3 ： 100us的
设备
AP2281-1WG-7
AP2281-3WG-7
AP2281-1FMG-7
AP2281-3FMG-7
注意事项：
包
W： SOT26
FM ： DFN2018-6
包装
（注2 ）
SOT26
SOT26
DFN2018-6
DFN2018-6
绿色
G：绿
填料
7 ：带卷&
包
CODE
W
W
FM
FM
7 “卷带
QUANTITY
型号后缀
3000 /磁带&卷轴
-7
3000 /磁带&卷轴
-7
3000 /磁带&卷轴
-7
3000 /磁带&卷轴
-7
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
2.焊盘布局上的二极管公司表示建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf
AP2281第4版
1 13
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2009年2月
Diodes公司
AP2281
单转换速率可编程负载开关
引脚分配
（ TOP VIEW ）
出1
GND 2
EN 3
SOT26
6年
5 GND
4 IN
（顶视图）
IN
IN
EN
1
2
3
6
5
4
OUT
OUT
GND
DFN2018-6
引脚说明
引脚数
SOT26
OUT
GND
EN
IN
1
2, 5
3
4, 6
DFN2018-6
5, 6
4
3
1, 2
电压输出引脚。这是引脚到P沟道MOSFET的漏极
连接。旁路到地通过一个0.1uF的电容。
地面上。
使能输入，高电平有效
电压输入管脚。这是引脚到P沟道MOSFET的源极。
旁路到地通过一个1μF的电容。
引脚名称
描述
选项
产品型号
AP2281-1
AP2281-3
转换速率（典型值）
1ms
100us
有源上拉下来
no
是的
启用
高电平有效
高电平有效
AP2281第4版
2 13
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2009年2月
Diodes公司
AP2281
单转换速率可编程负载开关
框图
典型应用电路
V
IN
IN
OUT
V
OUT
1uF
启用
EN
GND
AP2281第4版
3 13
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对于AP2281-3只
0.1uF
2009年2月
Diodes公司
AP2281
单转换速率可编程负载开关
绝对最大额定值
符号
ESD HBM
ESD MM
V
IN
V
OUT
V
EN
I
负载
T
J
T
ST
P
D
注意事项：
参数
人体模型ESD保护
机器模型ESD保护
SOT26
DFN2018-6
输入电压
输出电压
开启电压
最大连续负载电流
工作结温范围
存储温度范围
SOT26 （注3，4， 5）
功耗
DFN2018-6 （注3，4， 6）
评级
5
500
450
6.5
V
IN
+ 0.3
6.5
2
-40 ~ 125
-65 ~ 150
720
1410
单位
KV
V
V
V
V
V
A
°C
°C
mW
mW
3. T
J
，上限= 125°C 。
4.等级适用于环境温度在25℃ 。
推荐工作条件
符号
V
IN
I
OUT
T
A
参数
输入电压
输出电流
工作环境温度
民
1.5
0
-40
最大
6.0
2.0
85
单位
V
A
°
C
AP2281第4版
4 13
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2009年2月
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AP2281
单转换速率可编程负载开关
电气特性
(T
A
= 25
o
C，V
IN
= 5.0V ，除非另有说明）
符号
参数
测试条件
输入静态电流
V
EN
= V
IN
, I
OUT
= 0
I
Q
输入关断电流
V
EN
= 0V ，输出开路
I
SHDN
输入漏电流
V
EN
= 0V ，输出接地
I
泄漏
V
IN
= 5.0V
V
IN
= 3.3V
开关导通电阻
R
DS （ ON）
V
IN
= 1.8V
V
IN
= 1.5V
EN逻辑输入低电压
V
IN
= 1.5V至6V
V
IL
1.5V
≤
V
IN
≤
2.7V
EN输入逻辑高电压
2.7V < V
IN
＆ LT ; 5.25V
V
IH
V
IN
≥
5.25V
V
EN
= 5V
EN输入漏
I
SINK
输出导通延迟时间
T
D（上）
R
负载
=10
Ω
AP2281-1 ，R
负载
=10
Ω
输出导通上升时间
T
ON
AP2281-3 ，R
负载
=10
Ω
输出关断延迟时间
R
负载
=10
Ω
T
D（关闭）
放电FET导通电阻
对于AP2281-3只，V
EN
= GND
R
DISCH
SOT26 （注5）
热阻
θ
JA
结到环境
DFN2018-6 （注6）
民
典型值。
0.01
0.01
0.01
80
95
160
210
最大
1
1
1
100
120
210
280
0.4
单位
1.4
1.6
1.7
1
1000
100
0.5
65
153
78
29
19
1
1500
150
1
100
o
μ
A
μ
A
μ
A
m
m
m
m
V
V
V
V
μ
A
μ
S
μ
S
μ
S
μ
S
C / W
C / W
θ
JC
注意事项：
热阻
结到外壳
SOT26 （注5）
DFN2018-6 （注6）
o
为SOT26 5.试验条件：设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
安装在FR - 4 2层电路板， 2盎司覆铜设备，对上层最小建议焊盘和过孔3为：对DFN2018-6 6.测试条件
底层1.0"x1.4"接地平面。
AP2281第4版
5 13
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