AP2280
单通道压摆率受控负载开关
特点
宽输入电压范围： 1.5V - 6V
低R
DS （ ON）
： 80mΩ的典型@ 5V
导通控制的压摆率
AP2280-1 ： 100us的导通上升时间
AP2280-2 ： 1ms的导通上升时间
非常低的导通静态电流： << 1uA的
快速负载放电针
温度范围：-40 ° C至85°C
SOT25及DFN2018-6 ：可在“绿色”模塑
（无溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
描述
在AP2280压摆率控制的负荷开关是单P沟道
专为高端负载开关或MOSFET功率开关
电源分配应用程序。所述MOSFET具有典型
R
DS （ ON）
80mΩ在5V ，允许增加的负载电流处理
性能与低正向压降。导通的转换率
该装置是在内部控制以减小导通的浪涌电流。
在AP2280负载开关被设计为从1.5V工作至6.0V ，
从而非常适用于1.8V ， 2.5V ， 3.3V ，和5V系统。典型的
静态电源电流仅为0.004uA ，使其成为理想的
电池供电的配电系统，其中所述功率
消耗是一个问题。
应用
智能手机
个人数字助理（PDA ）
手机
GPS导航仪
蓝牙耳机
PMP/MP4
笔记本电脑和掌上电脑
订购信息
AP2280 - X XX摹 - 7
导通时的上升时间
1 ： 100us的
2 ： 1毫秒
包
W： SOT25
FM ： DFN2018-6
绿色
G：绿
填料
7 ：带卷&
设备
AP2280-1WG-7
AP2280-2WG-7
AP2280-1FMG-7
AP2280-2FMG-7
注意事项：
包
CODE
W
W
FM
FM
包装
（注2 ）
SOT25
SOT25
DFN2018-6
DFN2018-6
7 “卷带
QUANTITY
型号后缀
3000 /磁带&卷轴
-7
3000 /磁带&卷轴
-7
3000 /磁带&卷轴
-7
3000 /磁带&卷轴
-7
1.欧盟指令2002/ 95 / EC （ RoHS指令） 。所有适用的RoHS指令的豁免申请。请访问我们的网站：
http://www.diodes.com/products/lead_free.html 。
2.焊盘布局上的二极管公司表示建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以在我们的网站上找到：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
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引脚分配
（1） SOT25
（2） DFN2018-6
（顶视图）
DIS 1
GND 2
OUT 3
4
IN
5 EN
（顶视图）
OUT
GND
DIS
1
2
3
6
5
4
IN
IN
EN
引脚说明
引脚数
SOT25
1
2
3
4
5
DFN2018-6
3
2
1
5, 6
4
引脚名称
DIS
GND
OUT
IN
EN
描述
放电针。如果DIS引脚连接到OUT引脚的外部时，输出电压
将被放电至地禁用时。
地面上。
电压输出引脚。这是引脚到P沟道MOSFET的漏极。
旁路到地通过一个0.1uF的电容。
电压输入管脚。这是引脚到P沟道MOSFET的源极。
旁路到地通过一个1μF的电容。
使能输入，高电平有效
框图
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典型应用电路
V
IN
IN
UT
d为
1uF
启用
0.1uF
EN
摹ND
1uF
启用
EN
摹ND
V
OUT
V
IN
IN
OUT
d为
V
OUT
0.1uF
对于没有输出放电的应用
对于输出放电的应用
绝对最大额定值
符号
ESD HBM
ESD MM
V
IN
V
OUT
V
EN
I
负载
T
J（下最大）
T
ST
P
D
注意事项：
参数
人体模型ESD保护
机器模型ESD保护
输入电压
输出电压
开启电压
最大连续负载电流
最高结温
存储温度范围
功耗
SOT25 （注3,5）
DFN2018-6 （注3,6）
评级
4
400
6.5
V
IN
+ 0.3
6.5
2
125
-65 ~ 150
750
1260
单位
KV
V
V
V
V
A
°C
°C
mW
3.等级适用于环境温度在25℃下
推荐工作条件
符号
V
IN
I
OUT
T
A
注意事项：
参数
输入电压
输出电流（注4 ）
工作环境温度
民
1.5
0
-40
最大
6.0
2.0
85
单位
V
A
°C
4.最大输出电流取决于应用的条件。请参考应用笔记部分。
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电气特性
(T
A
= 25
o
C，V
IN
= V
EN
= 5.0V ，除非另有说明）
符号
参数
输入静态电流
I
Q
输入关断电流
I
SHDN
输入漏电流
I
泄漏
R
DS （ ON）
V
IL
V
IH
I
SINK
T
D（上）
T
ON
T
D（关闭）
R
DISCH
θ
JA
θ
JC
注意事项：
测试条件
V
EN
= V
IN
, I
OUT
= 0
V
EN
= 0V ，输出开路
V
EN
= 0V ，输出接地
V
IN
= 5.0V
V
IN
= 3.3V
开关导通电阻
V
IN
= 1.8V
V
IN
= 1.5V
EN逻辑输入低电压
V
IN
= 1.5V至6V
1.5V
≤
V
IN
≤
2.7V
EN输入逻辑高电压
2.7V < V
IN
＆ LT ; 5.25V
V
IN
≥
5.25V
EN输入漏
V
EN
= 5V
输出导通延迟时间
R
负载
=10Ω
AP2280-1 ，R
负载
=10Ω
输出导通上升时间
AP2280-2 ，R
负载
=10Ω
输出关断延迟时间
R
负载
=10Ω
放电FET导通电阻
V
EN
= GND
SOT25 （注5）
热阻结到环境
DFN2018-6 （注6）
SOT25 （注5）
热阻结到外壳
DFN2018-6 （注6）
民
典型值。
0.004
0.004
0.01
80
92
150
200
最大
1
1
1
105
120
200
250
0.4
1.4
1.6
1.7
1
1
100 150
1000 1500
0.4
1
20
40
160
93
38
41
单位
μA
μA
μA
m
m
m
m
V
V
V
V
μA
μS
μS
μS
μS
o
C / W
C / W
o
为SOT25 5.试验条件：设备安装在FR-4基板的PC板，以最小的推荐焊盘布局。
安装在FR - 4 2层电路板， 2盎司覆铜设备，对上层最小建议焊盘和过孔3为：对DFN2018-6 6.测试条件
底层1.0"x1.4"接地平面。
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