AP2182 / AP2192
1.5A双通道限流电源开关
描述
在AP2182和AP2192是集成高侧电源开关
通用串行总线（ USB ）等热交换优化
应用程序。该系列器件符合USB 2.0和
可提供使能输入的两极。他们提供的电流和
热限制和短路保护，以及控制的崛起
时间和欠压锁定功能。一个7毫秒抗尖峰脉冲能力
在漏极开路输出的标志防止错误的过流报告
并且不需要任何外部元件。
引脚分配
（顶视图）
GND
IN
IN
1
2
3
8
7
6
5
NC
OUT
OUT
FLG
EN
4
所有器件都采用SO- 8和MSOP - 8EP封装。
SO-8
特点
双USB端口电源开关
过流和热保护
准确的2.1A电流限制
反向电流隔离
115mΩ的导通电阻
输入电压范围： 2.7V - 5.5V
0.6ms典型上升时间
非常低停机电流： 1μA（最大值）
故障报告（ FLG ）与消隐时间（ 7毫秒典型值）
ESD保护： HBM 4.5KV ， 350V MM
高电平有效（ AP2192 ）或低电平有效（ AP2182 ）使
环境温度范围-40 ° C至+ 85°C
SO- 8和MSOP - 8EP （裸露焊盘） ：可在“绿色”
模塑料（无溴，锑）
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
GND
IN
IN
EN
1
2
3
4
（顶视图）
8
7
6
5
NC
OUT
OUT
FLG
MSOP-8EP
应用
消费类电子产品 - 液晶电视&监视器，游戏机
通信 - 将机上盒， GPS，智能手机
电脑 - 笔记本电脑，台式电脑，服务器，打印机，扩展坞，
HUB
UL认证，文件号E322375
IEC60950-1 CB体系认证
注意事项：
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.关于卤素 - 和无锑， "Green"的Diodes公司的定义的详细信息，请参阅http://www.diodes.com/quality/lead_free.html
和无铅。
3.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
典型应用电路
AP2192启用高电平有效
电源
2.7V至5.5V
10k
10k
10uF
0.1uF
FLG1
FLG2
ON
关闭
EN1
EN2
GND
OUT2
0.1uF
68uF
IN
OUT1
0.1uF
68uF
负载
负载
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可选项
产品型号
AP2182
AP2192
通道
2
2
使能引脚
（ EN ）
低电平有效
高电平有效
电流限制
（典型值）
2.1A
2.1A
推荐最大
连续负载电流
1.5A
1.5A
引脚说明
针
名字
GND
IN
EN1
EN2
FLG2
OUT2
OUT1
FLG1
露标签
引脚数
SO-8
MSOP-8EP
1
1
2
2
3
4
5
6
7
8
—
3
4
5
6
7
8
功能
地
电压输入引脚
开关1使能输入，低电平有效（ AP2182 ）或高电平有效（ AP2192 ）
开关2使能输入，低电平有效（ AP2182 ）或高电平有效（ AP2192 ）
开关2过流和过温故障报告;触发时为开漏标志为低电平有效
开关2的电压输出引脚
开关1的电压输出引脚
1开关过流和过温故障报告;触发时为开漏标志为低电平有效
裸露焊盘。
暴露的接头应连接至GND，以增强热阻抗热质量。
它不应该被用作电接地导电通路。
功能框图
AP2182 ， AP2192
牛逼 RM A L
S恩瑟
FLG 1
例如litc
EN1
RIV ê
U V LO
④此吨
S恩瑟
④此吨
L IM电影
GND
UT1
IN
④此吨
S恩瑟
UT2
UVLO
RIV ê
④此吨
L IM电影
例如litc
FLG 2
EN2
牛逼 RM A L
S恩瑟
GND
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绝对最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
ESD HBM
ESD MM
V
IN
V
OUT
V
EN ，
V
FLG
I
负载
T
J（下最大）
T
ST
注意事项：
参数
人体模型ESD保护
机器模型ESD保护
输入电压
输出电压
开启电压
最大连续负载电流
最高结温
存储温度范围（注4 ）
等级
3
300
6.5
V
IN
+0.3
6.5
内置有限公司
150
-65到+150
单位
kV
V
V
V
V
A
°C
°C
应力大于“绝对最大额定值”上述规定，可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;
该设备在这些或任何其他条件超出本技术规格显示功能操作不暗示。设备可靠性可能
受暴露在绝对最大额定值条件下长时间。
半导体器件的ESD敏感，并且可以通过暴露于ESD事件损坏。处理时合适的ESD应采取预防措施
和运输这些设备
4. UL认可的评级从-30 ° C到+ 70 ° C（合格二极管
T
ST
从-65 ° C至+ 150 ° C）
注意：
推荐工作条件
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
符号
V
IN
I
OUT
V
IL
V
IH
T
A
输入电压
输出电流
EN逻辑输入低电压
EN输入逻辑高电压
工作环境温度
参数
民
2.7
0
0
2
-40
最大
5.5
1.5
0.8
V
IN
+85
单位
V
A
V
V
C
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电气特性
(@T
A
= + 25 ° C，V
IN
= + 5V ，除非另外指明）。
符号
V
UVLO
I
SHDN
I
Q
I
泄漏
I
转
R
DS （ ON）
I
短
I
极限
I
TRIG
V
IL
V
IH
I
SINK
T
D（上）
T
R
T
D（关闭）
T
F
R
FLG
T
空白
T
SHDN
T
HYS
θ
JA
注意事项：
参数
输入欠压锁定
输入关断电流
输入静态电流，双
输入漏电流
反向漏电流
开关导通电阻
短路电流限制
过载电流限制
限流触发阈值
EN逻辑输入低电压
EN输入逻辑高电压
EN输入漏
输出导通延迟时间
输出导通上升时间
输出关断延迟时间
输出关断下降时间
FLG输出FET导通电阻
FLG消隐时间
热关断阈值
热关断迟滞
热阻结到环境
SO- 8 （注5 ）
MSOP - 8EP （注6 ）
R
负载
= 1k
残疾人，我
OUT
= 0
启用后，我
OUT
= 0
测试条件
民
1.6
典型值
1.9
0.5
100
1
115
120
140
2.0
最大
2.5
1
160
1
150
160
180
2.6
0.8
单位
V
A
A
A
A
m
m
m
A
A
A
V
V
A
ms
ms
ms
ms
ms
C
C
o
o
残疾人，输出接地
残疾人，V
IN
= 0V, V
OUT
= 5V ，我
转
在V
IN
V
IN
= 5V,
I
OUT
= 0.5A,
MSOP - 8EP ， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
SO - 8 ， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
IN
= 3.3V ，我
OUT
= 0.5A ， -40°C
≤
T
A
≤
85°C
使成短路，C
L
= 68F
V
IN
= 5V, V
OUT
= 4.5V ，C
L
= 68μF ， -40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
IN
= V
EN
，输出电流变化率（ <100A / WS ） ，C
L
= 68F
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
IN
= 2.7V至5.5V
V
EN
= 5V
C
L
= 1μF ，R
负载
= 10
C
L
= 1μF ，R
负载
= 10
C
L
= 1μF ，R
负载
= 10
C
L
= 1μF ，R
负载
= 10
I
FLG
=10mA
C
IN
= 10μF ，C
L
= 68F
已启用，R
负载
= 1k
4
2
1.6
2.1
3.0
1
0.05
0.6
0.01
0.05
30
7
140
25
110
60
0.1
50
15
1.5
C / W
C / W
5.测试条件为SO- 8 ：设备安装在FR - 4 2层电路板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
安装在FR - 4 2层电路板， 2盎司覆铜设备，对上层最小建议焊盘和过孔3至底：为MSOP - 8EP 6.测试条件
层地平面。
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典型性能特性
V
EN
50%
50%
V
EN
T
D（关闭）
T
F
50%
50%
T
R
T
D（上）
V
OUT
10%
90%
T
R
T
D（上）
V
OUT
10%
90%
T
D（关闭）
T
F
90%
10%
CL=1uF
TA=25°C
RL=5
90%
10%
图1电压波形： AP2182 （左） ， AP2192 （右）
所有启用地块是AP2192高电平有效
通道1开启延迟和上升时间
通道1关闭延迟时间和下降时间
法师1
5V/div
法师1
5V/div
VOUT 1
2V/div
VOUT 1
2V/div
CL = 1μF
TA = + 25°C
RL = 5Ω
CL = 1μF
TA = + 25°C
RL = 5Ω
400s/div
400s/div
通道2开启延迟和上升时间
通道2关闭延迟时间和下降时间
法师2
5V/div
法师2
5V/div
CL=1F
VOUT 2
2V/div
VOUT 2
2V/div
CL=1F
TA = + 25°C
RL = 5Ω
TA=25°C
RL=5
400s/div
400s/div
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