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数据表
300毫安高速,极低的噪声CMOS LDO稳压器
AP2125
概述
在AP2125系列是300毫安,正电压稳压
采用CMOS工艺制造荡器集成电路。
每个这些IC配备有一个基准电压源,
一个误差放大器,电阻器网络,用于设置输出
电压,芯片使能电路,一个电流限制电路和
OTSD (过温关闭)电路,以防止
IC免受过流和过温。
在AP2125系列具有高纹波特性rejec-
化,低压差,低噪声,高输出电压
年龄的高精度和低电流消耗,
使它们非常适用于各种电池供电的应用
设备。
在AP2125有1.8V , 2.5V , 2.8V , 3.0V , 3.3V , 4.15V
和4.2V的固定电压版本。
这些IC采用纤巧的SC- 70-5和SC- 82可
包以及行业标准的SOT- 23-3和
SOT- 23-5封装。
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
优良的纹波抑制: 70分贝典型( 1.8V
VERSION )
低压差电压: 65mV (我
OUT
=100mA,
3.3V版)
低待机电流: 0.01μA典型
低静态电流: 60μA典型
极低的噪声: 50μVrms典型
最大输出电流: 300mA(最小值)。
高输出电压精度:
±
2%
兼容低ESR陶瓷电容
卓越的线路/负载调整
应用
·
·
·
·
·
·
CDMA / GSM蜂窝手机
电池供电的装
笔记本电脑,掌上电脑,笔记本电脑
手持式仪表
PCMCIA卡
便携式信息设备
SOT-23-3
SOT-23-5
SC-70-5
SC-82
AP2125图1.包装类型
五月。 2010修订版1.4
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
300毫安高速,极低的噪声CMOS LDO稳压器
AP2125
引脚配置
N包装
(SOT-23-3)
V
IN
3
K / KS包
(SOT-23-5/SC-70-5)
KC包装
(SC-82)
V
IN
GND
1
GND
2
V
OUT
1
2
3
5
V
OUT
CE
1
4
V
IN
CE
4
NC
GND
2
3
V
OUT
图2. AP2125的引脚配置(顶视图)
引脚说明
引脚数
引脚名称
SOT-23-3
3
1
SOT-23-5/
SC-70-5
1
2
3
4
2
5
3
SC-82
4
2
1
V
IN
GND
CE
NC
V
OUT
输入电压
高电平有效使能输入引脚。逻辑高=启用,逻辑低=关机
无连接
稳压输出电压
功能
五月。 2010修订版1.4
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
300毫安高速,极低的噪声CMOS LDO稳压器
AP2125
功能框图
关闭
逻辑控制
V
REF
MOS驱动器
3
V
IN
CE
3 (1)
关闭
逻辑控制
1 (4)
V
IN
V
REF
MOS驱动器
2
电流限制
热保护
V
OUT
5 (3)
电流限制
保护
V
OUT
1
GND
2 (2)
GND
SOT-23-3
A(B )
采用SOT- 23-5 / SC- 70-5
B
SC-82
AP2125图3.功能框图
五月。 2010修订版1.4
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
300毫安高速,极低的噪声CMOS LDO稳压器
AP2125
订购信息
AP2125
电路类型
-
E1 :无铅
G1 :绿
TR :磁带和卷轴
N:
SOT-23-3
K:
SOT-23-5
KS : SC- 70-5
KC : SC- 82
1.8 :固定输出1.8V
2.5 :固定输出2.5V
2.8 :固定输出2.8V
3.0 :固定输出3.0V
3.3 :固定输出3.3V
4.15 :固定输出4.15V
4.2 :固定输出4.2V
产品型号
无铅
AP2125N-1.8TRE1
AP2125N-2.5TRE1
SOT-23-3
-40到85
o
C
AP2125N-2.8TRE1
AP2125N-3.0TRE1
AP2125N-3.3TRE1
AP2125N-4.2TRE1
AP2125K-1.8TRE1
AP2125K-2.5TRE1
AP2125K-2.8TRE1
SOT-23-5
-40到85
o
C
AP2125K-3.0TRE1
AP2125K-3.3TRE1
AP2125K-4.2TRE1
AP2125KS-1.8TRE1
AP2125KS-2.5TRE1
SC-70-5
-40到85
o
C
AP2125KS-2.8TRE1
AP2125KS-3.0TRE1
AP2125KS-3.3TRE1
AP2125KS-4.2TRE1
AP2125KC-1.8TRE1
AP2125KC-2.5TRE1
SC-82
-40到85
o
C
AP2125KC-2.8TRE1
AP2125KC-3.0TRE1
AP2125KC-3.3TRE1
AP2125KC-4.2TRE1
绿色
AP2125N-1.8TRG1
AP2125N-2.5TRG1
AP2125N-2.8TRG1
AP2125N-3.0TRG1
AP2125N-3.3TRG1
AP2125N-4.2TRG1
AP2125K-1.8TRG1
AP2125K-2.5TRG1
AP2125K-2.8TRG1
AP2125K-3.0TRG1
AP2125K-3.3TRG1
AP2125K-4.15TRG1
AP2125K-4.2TRG1
AP2125KS-1.8TRG1
AP2125KS-2.5TRG1
AP2125KS-2.8TRG1
AP2125KS-3.0TRG1
AP2125KS-3.3TRG1
AP2125KS-4.2TRG1
AP2125KC-1.8TRG1
AP2125KC-2.5TRG1
AP2125KC-2.8TRG1
AP2125KC-3.0TRG1
AP2125KC-3.3TRG1
AP2125KC-4.2TRG1
ECC
26
35
27
36
28
34
91
96
92
97
93
95
EJ2
EJ4
EJ5
EJ6
EJ7
EJ3
欧洲央行
ECD
ECE
ECF
心电图
标记ID
无铅
绿色
GJ2
GJ4
GJ5
GJ6
GJ7
GJ3
GCB
GCD
GCE
GCF
GCG
GCJ
GCC
B6
C5
B7
C6
B8
C4
T1
T6
T2
T7
T3
T5
包装类型
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
温度
范围
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。与产品
"G1"后缀是绿色封装。
五月。 2010修订版1.4
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
300毫安高速,极低的噪声CMOS LDO稳压器
AP2125
绝对最大额定值(注1 )
参数
输入电压
使能输入电压
输出电流
结温
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
符号
V
IN
V
CE
I
OUT
T
J
T
英镑
T
领导
SOT-23-3
θ
JA
SOT-23-5
SC-70-5
SC-82
ESD(人体模型)
ESD(机器型号)
ESD
ESD
6000
400
价值
6.5
-0.3到V
IN
+0.3
450
150
-65到150
260
200
200
300
300
V
V
o
C / W
单位
V
V
mA
o
C
o
C
o
C
热阻
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
输入电压
工作环境温度范围
符号
V
IN
T
A
V
OUT
+0.5V
-40
最大
6
85
单位
V
o
C
五月。 2010修订版1.4
5
BCD半导体制造有限公司
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP2125KS-3.0TRG1
    -
    -
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AP2125KS-3.0TRG1
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