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数据表
高速度,超低噪音LDO稳压器
概述
在AP2122系列是正电压稳压器IC
采用CMOS工艺制造。每个芯片CON组
sists的一个参考电压源,一个误差放大器,一个电阻
Tor网络来设置输出电压,电流限制
电路为电流保护和芯片使能电路。
在AP2122系列具有高纹波抑制比,低
低压差,低噪声,高输出电压准确
活泼,和低电流消耗,使他们
适合用于各种电池供电的设备中使用。
在AP2122系列有1.5V , 1.8V , 2.5V , 2.8V , 3.0V ,
3.2V和3.3V版本。
在AP2122采用标准SOT-23-5封装提供
年龄。
AP2122
特点
·
·
·
·
·
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·
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·
·
低压差的我
OUT
= 100毫安:为150mV
典型的(除1.5V版)
低待机电流: 0.1μA典型
低静态电流: 25μA典型
高纹波抑制率70分贝典型值( F = 10kHz时)
最大输出电流:电流超过150mA
( 300毫安限制)
极低的噪声: 30μVrms ( 10Hz至
100kHz)
卓越的电压调节: 4mV的典型
出色的负载调节: 12mV典型
高输出电压精度:
±2%
出色的线路和负载瞬态响应
兼容低ESR陶瓷电容(如
低至1μF )
应用
·
·
·
·
·
·
移动电话,无绳电话
MP3/4
便携式电子设备
照相机,录像机
分板电源为电信分析装备
换货
电池供电设备
SOT-23-5
AP2122图1.封装类型
2006年9月修订版1.1
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高速度,超低噪音LDO稳压器
引脚配置
AP2122
套餐
(SOT-23-5)
V
OUT
GND
V
IN
1
2
3
5
NC
4
CE
图2. AP2122的引脚配置(顶视图)
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
引脚名称
V
OUT
GND
V
IN
CE
NC
稳压输出电压
输入电压
高电平有效使能输入引脚。逻辑高=启用,逻辑低=关机
无连接
功能
2006年9月修订版1.1
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高速度,超低噪音LDO稳压器
功能框图
AP2122
V
IN
3
1
V
OUT
VREF
电流限制
CE
4
2
GND
AP2122图3.功能框图
2006年9月修订版1.1
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高速度,超低噪音LDO稳压器
订购信息
AP2122
AP2122
-
E1 :无铅
电路类型
TR :磁带和卷轴
答:高有效
(下拉电阻内置)
1.5:
1.8:
2.5:
2.8:
3.0:
3.2:
3.3:
固定输出1.5V
固定输出1.8V
固定输出2.5V
固定输出2.8V
固定输出3.0V
固定输出3.2V
固定输出3.3V
K: SOT- 23-5
温度范围
条件
产品型号
标记ID
E2Z
E2U
E2V
E2W
E2X
E3Y
E2Y
包装类型
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
磁带&卷轴
高电平(上拉下拉电阻内置) AP2122AK - 1.5TRE1
高电平(上拉下拉电阻内置) AP2122AK - 1.8TRE1
高电平(上拉下拉电阻内置) AP2122AK - 2.5TRE1
SOT-23-5
-40到85
o
C
高电平(上拉下拉电阻内置) AP2122AK - 2.8TRE1
高电平(上拉下拉电阻内置) AP2122AK - 3.0TRE1
高电平(上拉下拉电阻内置) AP2122AK - 3.2TRE1
高电平(上拉下拉电阻内置) AP2122AK - 3.3TRE1
BCD半导体的无铅产品,如标有"E1"后缀的型号,均符合RoHS标准。
2006年9月修订版1.1
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高速度,超低噪音LDO稳压器
绝对最大额定值(注1 )
参数
输入电压
使能输入电压
输出电流
结温
存储温度范围
焊接温度(焊接, 10秒)
热阻(注2 )
ESD(人体模型)
ESD(机器型号)
符号
V
IN
V
CE
I
OUT
T
J
T
英镑
T
领导
θ
JA
ESD
ESD
价值
6.5
-0.3到V
IN
+0.3
300
150
-65到150
260
250
2000
200
单位
V
V
mA
o
C
o
C
o
AP2122
C
o
C / W
V
V
注1 :应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只,设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 :绝对最大额定值指示超出这可能会损坏部件的限制。电气特性
其工作收视率之外运行设备时,系统蒸发散不适用。最大允许功耗是
的最高结温, T功能
J(下最大) ,
结点至环境热阻,
θ
JA ,
和环境温
perature ,T
A.
在任何环境温度下的最大允许功耗的计算公式:P
D(最大)
=(T
J(下最大)
-
T
A
)/θ
JA 。
超过最大允许功耗会导致芯片温度过高。
推荐工作条件
参数
输入电压
工作结温范围
符号
V
IN
T
J
2
-40
最大
6
85
单位
V
o
C
2006年9月修订版1.1
5
BCD半导体制造有限公司
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP2122AK-1.5TRE1
    -
    -
    -
    -
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SOT23-5
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联系人:销售部
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AP2122AK-1.5TRE1
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
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