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AP20N03H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
52mΩ
20A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP20N03J ）可用于小尺寸应用。
G
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±
20
20
13
53
31
0.25
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.0
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200227032
AP20N03H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
MAX 。单位
-
-
52
85
3
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
-
-
-
-
-
-
6.1
1.4
4
4.9
29
14.3
3.6
290
160
45
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=10A
V
DS
= 24V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=20A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
T
j
=25℃, I
S
= 20A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
20
53
1.3
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP20N03H/J
60
40
T
C
=25
o
C
50
V
G
=10V
V
G
=8.0V
T
C
=150
o
C
V
G
=10V
V
G
=8.0V
30
I
D
，漏电流（ A）
40
I
D
，漏电流（ A）
V
G
=6.0V
30
V
G
=6.0V
20
20
V
G
=4.0V
10
V
G
=4.0V
10
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
85
1.8
80
I
D
= 1 0A
T
C
=25
o
C
1.6
I
D
=10A
V
G
=10V
75
70
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
65
归一化
DS （ ON）
60
1.2
55
1
50
45
0.8
40
0.6
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-50
0
50
100
150
35
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP20N03H/J
30
40
25
30
I
D
，漏电流（ A）
20
15
P
D
(W)
25
50
75
100
125
150
20
10
10
5
0
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（ C）
o
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
DUTY=0.5
10us
归热响应（R
thJC
)
0.2
I
D
(A)
10
100us
1ms
10ms
T
c
=25
o
C
单脉冲
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
P
DM
t
T
100ms
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
1
1
10
100
0.1
1
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP20N03H/J
12
1000
f=1.0MHz
I
D
=10A
10
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=16V
8
西塞
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
科斯
100
6
CRSS
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
10
1
6
11
16
21
26
31
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
10
T
j
= 150
o
C
I
S
(A)
2
T
j
= 25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1
0
-50
1
0.1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
，结温（
o
C)
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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