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> AP2012P3C
PHOTOTRANSISTOR
AP2012P3C
特点
机械和光谱匹配
的AP2012系列红外发光LED灯。
水质清澈镜头。
包装： 2000PCS / REEL 。
符合RoHS 。
描述
制作与NPN硅光电晶体管的芯片。
包装尺寸
注意事项：
1.所有尺寸为毫米（英寸） 。
2.宽容
±0.1(0.004")
除非另有说明。
3.规格如有变更，恕不另行通知。
规范编号： DSAF1594
批准： J·卢
REV NO： V.2
检查：艾伦刘
日期： MAR /二千○五分之二十九
得出： B.H.LI
页次：1 4
ERP ： 1203000140
在T电气/光学特性
A
=25°C
符号
V
BR CEO
参数
集电极 - 发射极击穿电压
分钟。
30
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
测试条件
I
C
=100uA
Ee=0mW/cm
2
I
E
=100uA
Ee=0mW/cm
2
I
C
=2mA
Ee=20mW/cm
2
V
CE
=10V
Ee=0mW/cm
2
V
BR ECO
发射极 - 集电极击穿电压
5
-
-
V
V
CE （SAT）
I
首席执行官
集电极 - 发射极饱和电压
集电极暗电流
-
-
-
-
0.8
100
V
nA
T
R
上升时间（ 10％ 90％）
-
3
-
us
T
F
下降时间（90％至10％）
-
3
-
us
V
CE
= 5V
I
C
=1mA
R
L
=1000
V
CE
= 5V,
Ee=1mW/cm
2
,
λ=940nm
-
I
（上）
关于国家集电极电流
视角
0.1
-
0.3
120
-
-
mA
度
2θ1/2
在T绝对最大额定值
A
=25°C
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
在（或低于） 25℃自由空气温度功耗
工作温度范围
存储温度范围
Max.ratings
30V
5V
100mW
-40°C ~ +85°C
-40°C ~ +85°C
规范编号： DSAF1594
批准： J·卢
REV NO： V.2
检查：艾伦刘
日期： MAR /二千○五分之二十九
得出： B.H.LI
第2页4
ERP ： 1203000140
AP2012P3C
推荐焊接模式
（单位：毫米）
带规格
（单位：毫米）
规范编号： DSAF1594
批准： J·卢
REV NO： V.2
检查：艾伦刘
日期： MAR /二千○五分之二十九
得出： B.H.LI
第3页4
ERP ： 1203000140
AP2012P3C
规范编号： DSAF1594
批准： J·卢
REV NO： V.2
检查：艾伦刘
日期： MAR /二千○五分之二十九
得出： B.H.LI
第4页： 4
ERP ： 1203000140
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AP2012P3C
PDF信息
推荐型号
AD9875
AS1751S
AFC5
AA8600AP
AFL12015SW-HB
ARF370S45
AK4168192D
APL5102-13AI
ASI10697
AD7548JP
AME8501BEFTCA22
AT88SC0204CA-TH
AIDL75
A447-0050-02
AON6400
AD408M162VSB-5
AT91SC512384-128M
APT25GR120BSCD10
AD2S44SMY4B
AM5TW-2403S-RZ
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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QQ：2880707522
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QQ：2369405325
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AP2012P3C
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-
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-
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