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AP2007
同步PWM控制器
特点
- 单4.5V至20V电源的应用
- 0.8V + 2.0 %基准电压源
- 虚拟频率控制
TM
- 快速瞬态响应
- 同步操作的高效率( 93 % )
- 短路保护
- 小尺寸外部元件最少
- 软启动和启用功能
- 欠压锁定功能
- SOP- 8L
无铅
概述
在AP2007是一种低成本,全功能,同步
电压模式控制器,设计用于单次使用
端电源应用效率
的首要问题。同步操作允许
为消除散热片在很多应用中。
在AP2007是理想的实现DC / DC
转换器
需要
to
动力
先进
在低成本系统或微处理器分布式
功率应用中的效率是重要的。
高侧驱动电路和预设拍摄得来速
控制,
允许
利用
of
便宜
1P + 1N沟道功率开关。
AP2007’s
特点
包括
温度
补偿的电压基准,
虚拟频率
控制
TM
方法,以减少外部元件数量,
内部200KHz的虚拟频率振荡器,
欠压
封锁
保护,
软启动,
关机功能和电流检测比较器
电路。
虚拟变频调速是一个商标
PWRTEK , LLC 。
应用
- 微处理器核心供电
- 低成本同步应用
- 稳压器模块( VRM )
- 网络电源
- 已排序的电源
- 通信电源。
引脚分配
( TOP VIEW )
VCC
DRVP
GND
越南民主共和国
1
2
3
4
8
引脚说明
名字
7
6
5
描述
芯片供电电压
参考电压
输入由之间的相位节点
MOSFET的
高侧驱动器输出(P MOSFET)
低侧驱动器输出(N MOSFET )
反馈输入
软启动,一个电容到地台
慢启动时间/关机
功能
AP2007
V
REF
FB
SS / SHDN
VCC
V
REF
DRVP
GND
越南民主共和国
FB
SS/
SHDN
SOP-8L
订购信息
AP2007 X X
S: SOP- 8L
填料
空白:管
答:大坪
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格,恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
1.0版2005年4月1日
1/7
AP2007
同步PWM控制器
框图
GND
+
-
0.4V
+
-
OCSET
VCC
电压
参考
V
REF
0.8V
+
-
电压
FB
SS / SHDN
错误
COMP
+
-
+
-
0.4V
VCC
12ua
VCC
R Q
S
当前
控制
DRVP
DRVP
虚拟FREQ
振荡器
2ua
+
越南民主共和国
Q
S
越南民主共和国
-
0.2V
QB
+
虚拟频率控制 - 专利
数6456050 。
0.9V
-
AP2007功能框图
绝对最大额定值
符号
V
IN
V
V
DRVP
V
越南民主共和国
θ
JC
θ
JA
T
OP
T
ST
T
领导
参数
VCC和GND
相对于GND
DRVP到GND
越南民主共和国到GND
热阻结到外壳
热阻结到环境
工作温度范围
存储温度范围
引线温度(焊接) 10秒。
范围内。
-1至22
-1至22
-1至22
-1至22
90
250
-40至+85
-65到+150
300
单位
V
V
V
V
o
C / W
o
C / W
o
C
o
C
o
C
易亨电子公司
www.anachip.com.tw
2/7
1.0版2005年4月1日
AP2007
同步PWM控制器
电气特性
除另有规定: V
CC
= 12V ; GND = 0V ; V
O
= 5V ;牛逼
J
= 25 C
o
符号
参数
电源
电源电压
V
CC
(推荐)
I
CC
电源电流
V
LINE
线路调整
误差比较
A
OL
增益(A
OL
)
I
B
输入偏置
振荡器
F
OSC
振荡器频率
DC
最大
振荡器的最大占空比
Mofset司机
I
DRVP
I
越南民主共和国
DRVP源/汇
DRVN源/汇
条件
分钟。
4.5
典型值。
-
9.5
0.5
70
0.2
200
85
1
1
-
-
150
0.4
-
0.8
-
10
2
4.0
3.8
200
马克斯。
20
-
-
1
-
-
-
-
1.2
-
-
-
0.816
+2
12
2.7
-
-
-
单位
V
mA
%
dB
uA
千赫
%
A
A
V
V
nS
V
V
V
%
uA
uA
V
V
mV
DRVP & DRVN浮动
V
O
= 2.5V
-
-
-
-
-
80
V
CC
– V
DRVP
=3V
V
DRVP
– V
GND
= 2V
V
CC
– V
越南民主共和国
= 3V
V
DRVL
– V
GND
= 2V
0.5
0.5
-
V
CC
-1.2
V
DRVL
DRVP / N低电平电压
V
DRVH
DRVP / N高电平电压
保护
T
DEAD
死区时间
Vocset过电流设定电压
DRVP / DRVN系统错误
V
DRVP / N
电压(注3 )
参考
参考电压
V
REF
准确性
软启动
I
SSC
充电电流
I
SSD
放电电流
欠压锁定( UVLO )
V
UT
上阈值电压(V
CC
)
V
LWT
较低的阈值电压(V
CC
)
V
HT
迟滞(V
CC
)
DRVP & DRVN浮动
V
SS
=低,V
CC
<3.8,
过电流发生
0 ℃70℃
V
SS
= 1.5V
V
SS
= 1.5V
o
o
-
V
CC
-1.2
0.784
-2
8.0
1.3
-
-
-
注: 1 。
规格指的是典型应用电路。
注2 。
此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
注3 。
异常情况;例如:过流,欠压闭锁,软启动消失。
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1.0版2005年4月1日
AP2007
同步PWM控制器
典型应用电路
C1
470u/16V
R1
12
1 VCC
2 DRVP
3 GND
V
REF
8
PHASE 7
6 FB
C2
0.1u
+
VIN
-
C5
10n
Q1
AF9435
(4835)
Q2
AF9410
(4412)
R2
1K
C6
47n
R3
3K*
+
1Ω选项
1Ω选项
4 DRVN SS / SHDN 5
C3
330n
L1
10uH
AP2007
C4
330n
D1
选项
C9
C7
C8
0.1U 470u / 16V 470u / 16V
Vout=3.2V*
-
*输出电压= 0.8 ×(1 + R3 / R2)的
R2
1K ~ 10K
虚拟频率控制
虚拟频率Control结合
恒定频率和恒定的优势
关断时间控制在单个操作模式。这
允许固定频率,高精度开关电压
调节控制,具有快速瞬态响应和
最小的解决方案尺寸。开关的占空比可
从0%调节到100 %的脉冲由脉冲基础
在响应瞬态条件。两个0 %
和100%的占空比操作,可保持
的时间响应长时间加载或
线瞬变。图1示出了一个简化的
虚拟变频调速运行
方法:将VFC振荡器产生的脉冲
一个已知的持续时间( VFC_Pulse ) 。该稳压环路
通过返回一个互补的反馈
脉冲( FB_Pulse ) 。该FB_Pulse持续时间是一个结果
外部条件例如电感器的尺寸,则
电感两端和的持续时间电压
VFC_Pulse 。然后形成VFC控制回路
由此VFC_Pulse的持续时间被修改
作为FB_Pulse持续时间的结果。该VFC循环
到达平衡状态,其中该操作
频率保持恒定的本质。
V
IN
错误
COMP
VREF
+
-
VFC脉冲
控制
逻辑
糊涂人
COUT
VOUT
Rfb1
虚拟FREQ
振荡器
Rfb2
FB脉冲
图1 :虚拟变频调速LOOP-
同步单电源供电的应用。
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1.0版2005年4月1日
AP2007
同步PWM与VFC控制器
虚拟频率控制(续)
虚拟频率控制是一种技术,
提供了操作的稳定性,恒定频率
脉冲控制的体系结构,如恒
关断时间/导通时间。这是所有做在IC内部
同成分的和无最小数量
需要用于连接到外部终端,诸如
输入和/或输出。无需外部补偿
需要,从而提供了一个低成本,高
切换性能修复的频率解决方案
电压调节器。
虚拟变频调速是一个商标
PWRTEK , LLC 。
(初步)
功能说明
同步降压转换器
小五
CORE
功率由同步设置,
电压模式脉冲宽度调制(PWM)的
控制器。本节所需要的所有功能
建立一个高效率同步降压
变频器,包括软启动,关机和
逐周期电流限制。
参照功能方框图图1中,
同步转换器的输出电压被设定
并通过误差比较器的输出来控制。
外部电阻分压器的参考电压,是
从内部修整带隙电压而得
参考。错误的反相输入端
比较器接收其电压的FB引脚。
内部振荡器使用一个片上电容器并
修剪精密电流源来设置虚拟
振荡频率为200KHz的。虚拟
频率振荡器设置PWM锁存器。这拉
DRVN低,关闭低压侧N_MOSFET和
DRVP被拉低,导通高边
P-MOSFET (一次交叉电流控制允许
它)。三角斜坡电压的FB引脚则
相比较的基准电压
反转误差比较输入。当FB
电压高于基准电压时,所述
比较器输出高电平。这种拉DRVP高,
关闭高压侧的P- MOSFET ,并DRVN是
拉高,开启低边N-MOSFET
(一次交当前控制允许的话) 。虚拟
频率振荡器然后产生一个编程的
关闭时间,以允许FB电压返回到谷
电压三角斜坡。在关闭的端
时间PWM锁存器设置,重复循环
再次。
欠压锁定
在AP2007的欠压锁定电路
确保了高侧的P- MOSFET驱动器
输出保持在关断状态时的供给
电压下降到低于设定的参数。锁定时
如果V
CC
低于3.8V 。恢复正常工作
一旦V
CC
高于4.0V 。
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5/7
R
DS ( ON)
限流
电流限制门限( 0.4V )由设置
从V连接的内部电阻
CC
供应
到OCSET 。 Vocset进行比较的电压
PHASE节点。这比较是仅当制成
高侧驱动器是高,以避免错误的电流限制
触发由于从uncontributing测量
截止电压的MOSFET的。当在电压
相位小于在OCSET ,一个电压
过电流情况发生时,软启动周期
被启动。同步开关
接通和SS /
SHDN
开始下沉降至2uA 。当
SS/
SHDN
达到0.2V时,便开始源
为10uA和一个新的周期的开始。当软启动
电压低于0.9V的循环控制用
脉冲由脉冲电流限制。
软启动
首先, SS /
SHDN
引脚源电流为10uA ,以
充电的外部电容器。的反相输入端
误差比较器被钳位到电压
正比于SS上的电压/
SHDN
。这就限制
导通时间的高侧的P-MOSFET ,从而
导致受控的斜坡上升的输出
电压。
1.0版2005年4月1日
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