AP2002
同步PWM控制器
特点
- 单或双电源应用
- 0.8V + 1.0 ％基准电压源。
- 快速的瞬态响应。
- 同步操作，高效率（95％）
- 片上电源良好， OVP保护。
- 小尺寸外部元件最少
- 软启动和启用功能
- 工业级温度范围
- 欠压锁定功能
- SOP- 14L封装
概述
在AP2002是一种低成本，功能齐全，并
同步电压模式控制器设计
在单端电源的应用程序中使用
其中，效率是首要关心的问题。
这
同步操作可消除
散热片在很多应用中。在AP2002是
理想的用于实现的DC / DC转换器，其是
所需的功率先进的微处理器中
低成本的系统中，或者在分布式电源
应用中的效率是重要的。国内
电平漂移，高边驱动器电路，和预先设定的
拍摄得来速控制，允许使用廉价的
N沟道功率开关。
AP2002的功能包括温度补偿
电压基准，一个内部200kHz的虚拟
频率振荡器，欠压锁定
保护，软启动功能和电流检测
比较器电路。
电源良好信号，
关机，过电压保护，也
通过AP2002提供。
应用
- 微处理器核心供电
- 低成本同步应用
- 稳压器模块（ VRM ）
- DDR终端电源
- 网络电源
- 已排序的电源
引脚分配
（ TOP VIEW ）
VCC
PWRGD
OVP
OCSET
相
DRVH
保护地
1
2
3
5
6
7
14
13
12
10
引脚说明
GND
SS / SHDN
COMP
SENSE
BSTH
BSTL
DRVL
名字
VCC
PWRGD
OVP
OCSET
相
DRVH
保护地
DRVL
BSTL
BSTH
SENSE
COMP
SS/
SHDN
GND
描述
芯片供电电压
逻辑高电平表示正确的输出
电压（漏极开路输出）
过电压保护
设置变频器过电流跳闸
点
输入由之间的相位节点
MOSFET的
高边驱动器输出
电源地
低端驱动器输出
引导，低侧驱动器
引导，高侧驱动器
电压检测输入
补偿引脚
软启动，一个电容到地台
慢启动时间
信号地
4
AP2002
11
9
8
SOP-14L
订购信息
AP2002 X
包
S： SOP- 14L
X
X
无铅
填料
空白：管
空白：正常
L：无铅套餐A ：大坪
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
修订版0.2 2004年4月14日
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AP2002
同步PWM控制器
电气特性
符号
电源
V
CC
I
CC
V
LINE
误差放大器器
A
OL
I
B
振荡器
F
OSC
DC
最大
I
DRVH
I
DRVL
保护
D
TH
I
OVP
D
PG
T
DEAD
I
OCSET
参考
V
REF
软启动
I
SSC
充电电流
V
SS
= 1.5V
V
SS
= 1.5V
8.0
1.3
10
2
4.2
I
O（ REF）
= 0.1毫安
T
A
= 25C
4.0
200
12
2.7
4.4
uA
uA
V
V
mV
I
SSD
放电电流
欠压锁定（ UVLO ）
上阈值电压
V
UT
(V
CC
)
低门限电压
V
LWT
(V
CC
)
V
HT
迟滞（V
CC
)
参考电压
准确性
0
o
C至70
o
C
0.792
-1
0.8
0.808
+1
V
%
OVP阈值
OVP源电流
电源正常阈值
死区时间
过电流设置ISINK
2.0V < V
OCSET
＆ LT ; 12V
V
OVP
= 3V
10
88
45
180
200
112
100
220
20
%
mA
%
nS
uA
振荡器频率
振荡器的最大占空比
DRVH源/汇
DRVL源/汇
V
BSTH
– V
DRVH
=4.5V
V
DRVH
– V
相
= 2V
V
BSTH
– V
DRVL
= 4.5V
V
DRVL
– V
保护地
= 2V
180
90
1
1
200
95
220
千赫
%
A
A
增益（A
OL
)
输入偏置
50
5
8
dB
uA
电源电压
电源电流
线路调整
VO = 2.5V
V
CC
4.2
6
0.5
12.6
10
V
mA
%
参数
除另有规定： V
CC
= 4.75V至12.6V ; GND地线= = 0V ; FB = V
O
; V
BSTL
= 12V; V
BSTH -PHASE
= 12V ;牛逼
J
= 25
o
C
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOSFET驱动器
注： 1 。
规格指的是典型应用电路。
注2 。
此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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AP2002
同步PWM控制器
典型应用电路
(1)
+5V
R1
1k
R2
10k
C1
0.1
C2
0.1
+12V
R4
10
1 VCC
GND 14
C3
0.1
C5
0.1
C6
C7
680/ 680/
16V 16V
C8
680/
16V
+
-
V
IN
5V/12V
PWRGD
OVP
R3
1k
2 PWRGD SS / SHDN 13
3 OVP
4 OCSET
5相
6 DRVH
7 PGND
SHDN
R9
270*
R8
120
R5
1.2O
R6
1.2O
L1
Q1
PFD3000器3.3uH
Q2
PFD3000 D1
选项
Vout=2.5V
+
C10
0.1
C11
680/
16V
C12
680/
16V
C13 C14
680/ 680/
16V 16V
C9
COMP 12 R7
47K 18nF
SENSE 11
BSTH 10
BSTL 9
DRVL 8
0.1u
C4
-
R10
4.7O
注意：
* Vout的= VREF ×（ 1 + R9 / R8 ）
5V & 12V双输入电路
(2)
+5V
R1
1k
R2
10k
C1
0.1
C2
0.1
R4
10
D2
1 VCC
GND 14
2 PWRGD SS / SHDN 13
3 OVP
4 OCSET
5相
6 DRVH
7 PGND
COMP 12
SENSE 11
BSTH 10
BSTL
DRVL
9
8
C4 0.1U
R5
1.2
R6
1.2
R10
4.7
C9
Q1
L1
0.1
PFD3000器3.3uH
Q2
PFD3000
D1
选项
C3
0.1
R7
47K 18nF
SHDN
C9
C5
0.1
C6
C7
680/ 680/
16V 16V
C8
680/
16V
+
-
V
IN
5V或12V
PWRGD
OVP
R3
1k
R9
270*
R8
120
+
C10
0.1
C11 C12
680/ 680/
16V 16V
C13
680/
16V
C14输出电压= 2.5V *
680/
16V
-
注意：
* Vout的= VREF ×（ 1 + R9 / R8 ）
5V或12V输入，自举BSTH
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同步PWM控制器
特点
- 单或双电源应用
- 0.8V + 1.0 ％基准电压源。
- 快速的瞬态响应。
- 同步操作，高效率（95％）
- 片上电源良好， OVP保护。
- 小尺寸外部元件最少
- 软启动和启用功能
- 工业级温度范围
- 欠压锁定功能
- SOP- 14L封装
概述
在AP2002是一种低成本，功能齐全，并
同步电压模式控制器设计
在单端电源的应用程序中使用
其中，效率是首要关心的问题。
这
同步操作可消除
散热片在很多应用中。在AP2002是
理想的用于实现的DC / DC转换器，其是
所需的功率先进的微处理器中
低成本的系统中，或者在分布式电源
应用中的效率是重要的。国内
电平漂移，高边驱动器电路，和预先设定的
拍摄得来速控制，允许使用廉价的
N沟道功率开关。
AP2002的功能包括温度补偿
电压基准，一个内部200kHz的虚拟
频率振荡器，欠压锁定
保护，软启动功能和电流检测
比较器电路。
电源良好信号，
关机，过电压保护，也
通过AP2002提供。
应用
- 微处理器核心供电
- 低成本同步应用
- 稳压器模块（ VRM ）
- DDR终端电源
- 网络电源
- 已排序的电源
引脚分配
（ TOP VIEW ）
VCC
PWRGD
OVP
OCSET
相
DRVH
保护地
1
2
3
5
6
7
14
13
12
10
引脚说明
GND
SS / SHDN
COMP
SENSE
BSTH
BSTL
DRVL
名字
VCC
PWRGD
OVP
OCSET
相
DRVH
保护地
DRVL
BSTL
BSTH
SENSE
COMP
SS/
SHDN
GND
描述
芯片供电电压
逻辑高电平表示正确的输出
电压（漏极开路输出）
过电压保护
设置变频器过电流跳闸
点
输入由之间的相位节点
MOSFET的
高边驱动器输出
电源地
低端驱动器输出
引导，低侧驱动器
引导，高侧驱动器
电压检测输入
补偿引脚
软启动，一个电容到地台
慢启动时间
信号地
4
AP2002
11
9
8
SOP-14L
订购信息
AP2002 X
包
S： SOP- 14L
X
X
无铅
填料
空白：管
空白：正常
L：无铅套餐A ：大坪
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格，恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
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同步PWM控制器
电气特性
符号
电源
V
CC
I
CC
V
LINE
误差放大器器
A
OL
I
B
振荡器
F
OSC
DC
最大
I
DRVH
I
DRVL
保护
D
TH
I
OVP
D
PG
T
DEAD
I
OCSET
参考
V
REF
软启动
I
SSC
充电电流
V
SS
= 1.5V
V
SS
= 1.5V
8.0
1.3
10
2
4.2
I
O（ REF）
= 0.1毫安
T
A
= 25C
4.0
200
12
2.7
4.4
uA
uA
V
V
mV
I
SSD
放电电流
欠压锁定（ UVLO ）
上阈值电压
V
UT
(V
CC
)
低门限电压
V
LWT
(V
CC
)
V
HT
迟滞（V
CC
)
参考电压
准确性
0
o
C至70
o
C
0.792
-1
0.8
0.808
+1
V
%
OVP阈值
OVP源电流
电源正常阈值
死区时间
过电流设置ISINK
2.0V < V
OCSET
＆ LT ; 12V
V
OVP
= 3V
10
88
45
180
200
112
100
220
20
%
mA
%
nS
uA
振荡器频率
振荡器的最大占空比
DRVH源/汇
DRVL源/汇
V
BSTH
– V
DRVH
=4.5V
V
DRVH
– V
相
= 2V
V
BSTH
– V
DRVL
= 4.5V
V
DRVL
– V
保护地
= 2V
180
90
1
1
200
95
220
千赫
%
A
A
增益（A
OL
)
输入偏置
50
5
8
dB
uA
电源电压
电源电流
线路调整
VO = 2.5V
V
CC
4.2
6
0.5
12.6
10
V
mA
%
参数
除另有规定： V
CC
= 4.75V至12.6V ; GND地线= = 0V ; FB = V
O
; V
BSTL
= 12V; V
BSTH -PHASE
= 12V ;牛逼
J
= 25
o
C
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
MOSFET驱动器
注： 1 。
规格指的是典型应用电路。
注2 。
此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
易亨电子股份有限公司
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AP2002
同步PWM控制器
典型应用电路
(1)
+5V
R1
1k
R2
10k
C1
0.1
C2
0.1
+12V
R4
10
1 VCC
GND 14
C3
0.1
C5
0.1
C6
C7
680/ 680/
16V 16V
C8
680/
16V
+
-
V
IN
5V/12V
PWRGD
OVP
R3
1k
2 PWRGD SS / SHDN 13
3 OVP
4 OCSET
5相
6 DRVH
7 PGND
SHDN
R9
270*
R8
120
R5
1.2O
R6
1.2O
L1
Q1
PFD3000器3.3uH
Q2
PFD3000 D1
选项
Vout=2.5V
+
C10
0.1
C11
680/
16V
C12
680/
16V
C13 C14
680/ 680/
16V 16V
C9
COMP 12 R7
47K 18nF
SENSE 11
BSTH 10
BSTL 9
DRVL 8
0.1u
C4
-
R10
4.7O
注意：
* Vout的= VREF ×（ 1 + R9 / R8 ）
5V & 12V双输入电路
(2)
+5V
R1
1k
R2
10k
C1
0.1
C2
0.1
R4
10
D2
1 VCC
GND 14
2 PWRGD SS / SHDN 13
3 OVP
4 OCSET
5相
6 DRVH
7 PGND
COMP 12
SENSE 11
BSTH 10
BSTL
DRVL
9
8
C4 0.1U
R5
1.2
R6
1.2
R10
4.7
C9
Q1
L1
0.1
PFD3000器3.3uH
Q2
PFD3000
D1
选项
C3
0.1
R7
47K 18nF
SHDN
C9
C5
0.1
C6
C7
680/ 680/
16V 16V
C8
680/
16V
+
-
V
IN
5V或12V
PWRGD
OVP
R3
1k
R9
270*
R8
120
+
C10
0.1
C11 C12
680/ 680/
16V 16V
C13
680/
16V
C14输出电压= 2.5V *
680/
16V
-
注意：
* Vout的= VREF ×（ 1 + R9 / R8 ）
5V或12V输入，自举BSTH
易亨电子股份有限公司
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修订版0.2 2004年4月14日
QQ：2881677436 复制
