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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第557页 > AP15P10GS
AP15P10GS/P
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
导通电阻的降低
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-100V
210mΩ
-16A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP15P10GP ）可用于小尺寸应用。
G
D
GD
S
TO-263(S)
TO-220(P)
S
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-100
±20
-16
-9.8
64
96
0.77
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.3
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200728051-1/4
AP15P10GS/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-1mA
分钟。
-100
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
-
-
8
-
-
-
37
5
15
11
25
56
36
250
75
3.6
MAX 。单位
-
-
210
-3
-
-25
-100
±100
60
-
-
-
-
-
-
-
-
5
V
V/℃
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= -10V ，我
D
=-9A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-9A
V
DS
=-100V, V
GS
=0V
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=-9A
V
DS
=-80V
V
GS
=-10V
V
DS
=-50V
I
D
=-9A
R
G
=10Ω,V
GS
=-10V
R
D
=5.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1180 1900
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -9A ，V
GS
=0V
I
S
= -9A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
95
410
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
AP15P10GS/P
30
30
-10V
T
C
=25
o
C
-7.0V
-I
D
，漏电流（ A）
20
T
C
=150
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-7.0V
20
-5.0V
10
-5.0V
10
-4.5V
-4.5V
V
G
= - 3 .0V
0
V
G
= - 3 .0V
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
550
2.4
450
I
D
= -9 A
T
C
=25
℃
归一化
DS （ ON）
1.9
I
D
= -9 A
V
G
= - 10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
350
1.4
250
0.9
150
0.4
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
10
8
归-V
GS （ TH）
(V)
1.1
-I
S
(A)
6
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
4
0.7
2
0
0
0.4
0.8
1.2
0.3
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP15P10GS/P
f=1.0MHz
12
10000
10
-V
GS
，门源电压（ V）
8
I
D
= -9A
V
DS
= -80V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
6
C
OSS
100
4
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
-I
D
(A)
10ms
10
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
0.02
100ms
o
T
C
=25 C
单脉冲
1
0.1
1
10
100
1000
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
1s
DC
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
10
V
DS
=-5V
8
V
G
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
-I
D
，漏电流（ A）
Q
G
6
-10V
Q
GS
Q
GD
4
2
收费
0
0
2
4
6
8
Q
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
AP15P10GS/P
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
导通电阻的降低
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
-100V
210mΩ
-16A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP15P10GP ）可用于小尺寸应用。
G
D
GD
S
TO-263(S)
TO-220(P)
S
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-100
±20
-16
-9.8
64
96
0.77
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.3
62
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200728051-1/4
AP15P10GS/P
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-1mA
分钟。
-100
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.1
-
-
8
-
-
-
37
5
15
11
25
56
36
250
75
3.6
MAX 。单位
-
-
210
-3
-
-25
-100
±100
60
-
-
-
-
-
-
-
-
5
V
V/℃
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=-1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
静态漏源导通电阻
2
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= -10V ，我
D
=-9A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ，我
D
=-9A
V
DS
=-100V, V
GS
=0V
V
DS
=-80V, V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=-9A
V
DS
=-80V
V
GS
=-10V
V
DS
=-50V
I
D
=-9A
R
G
=10Ω,V
GS
=-10V
R
D
=5.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1180 1900
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= -9A ，V
GS
=0V
I
S
= -9A ，V
GS
=0V,
dI/dt=-100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
95
410
MAX 。单位
-1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
AP15P10GS/P
30
30
-10V
T
C
=25
o
C
-7.0V
-I
D
，漏电流（ A）
20
T
C
=150
o
C
-I
D
，漏电流（ A）
-10V
-7.0V
20
-5.0V
10
-5.0V
10
-4.5V
-4.5V
V
G
= - 3 .0V
0
V
G
= - 3 .0V
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
550
2.4
450
I
D
= -9 A
T
C
=25
℃
归一化
DS （ ON）
1.9
I
D
= -9 A
V
G
= - 10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
350
1.4
250
0.9
150
0.4
2
4
6
8
10
-50
0
50
100
150
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
10
8
归-V
GS （ TH）
(V)
1.1
-I
S
(A)
6
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
4
0.7
2
0
0
0.4
0.8
1.2
0.3
-50
0
50
100
150
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP15P10GS/P
f=1.0MHz
12
10000
10
-V
GS
，门源电压（ V）
8
I
D
= -9A
V
DS
= -80V
C（ pF）的
1000
C
国际空间站
6
C
OSS
100
4
C
RSS
2
0
0
10
20
30
40
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
-I
D
(A)
10ms
10
0.1
0.1
0.05
P
DM
t
0.02
100ms
o
T
C
=25 C
单脉冲
1
0.1
1
10
100
1000
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
1s
DC
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
10
V
DS
=-5V
8
V
G
T
j
=25 C
o
T
j
=150 C
o
-I
D
，漏电流（ A）
Q
G
6
-10V
Q
GS
Q
GD
4
2
收费
0
0
2
4
6
8
Q
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4
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AM28F010-150C3PC
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联系人：陈泽强
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联系人：朱先生
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联系人：李
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