添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第604页 > AP15N03H
AP15N03H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
80mΩ
15A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP15N03J ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±
20
15
9
50
28
0.22
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.8
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200227032
AP15N03H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
`
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
MAX 。单位
-
-
80
100
3
-
1
25
±100
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=18A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=8A
V
DS
=24V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=8A
R
G
=3.4Ω,V
GS
=10V
R
D
=1.9Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
-
-
-
16
-
-
-
4.6
1.1
3
4.9
22.5
12.2
3.3
160
107
32
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
T
j
=25℃, I
S
= 15A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
15
50
1.3
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP15N03H/J
50
40
T
C
=25
o
C
V
G
=10V
40
30
T
C
=150
o
C
V
G
=10V
V
G
=8.0V
V
G
=8.0V
I
D
，漏电流（ A）
30
I
D
，漏电流（ A）
V
G
=6.0V
20
20
V
G
=6.0V
10
10
V
G
=4.0V
V
G
=4.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
90
1.8
I
D
=8A
I
D
=8A
80
T
C
=25 C
1.4
o
1.6
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
70
归一化
DS （ ON）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1.2
60
1.0
50
0.8
40
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP15N03H/J
20
40
15
30
I
D
，漏电流（ A）
10
5
P
D
(W)
20
10
0
25
50
75
100
125
150
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c ,
外壳温度（ C）
o
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
DUTY=0.5
10us
归热响应（R
thJC
)
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
10
100us
0.02
P
DM
1ms
t
0.01
单脉冲
T
T
c
=25 C
单脉冲
1
1
10
o
10ms
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP15N03H/J
f=1.0MHz
16
1000
14
I
D
=8A
V
DS
=16V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
西塞
V
GS
，门源电压（ V）
12
10
8
科斯
100
6
4
CRSS
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
1
6
11
16
21
26
31
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
10
2
T
j
=150 C
T
j
=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
-50
0
50
100
150
o
I
S
(A)
1
0.1
V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
AP15N03H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
80mΩ
15A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP15N03J ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
±
20
15
9
50
28
0.22
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.8
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200227032
AP15N03H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
`
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.037
MAX 。单位
-
-
80
100
3
-
1
25
±100
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=18A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=8A
V
DS
=24V
V
GS
=5V
V
DS
=15V
I
D
=8A
R
G
=3.4Ω,V
GS
=10V
R
D
=1.9Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
-
-
-
16
-
-
-
4.6
1.1
3
4.9
22.5
12.2
3.3
160
107
32
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
T
j
=25℃, I
S
= 15A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
15
50
1.3
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP15N03H/J
50
40
T
C
=25
o
C
V
G
=10V
40
30
T
C
=150
o
C
V
G
=10V
V
G
=8.0V
V
G
=8.0V
I
D
，漏电流（ A）
30
I
D
，漏电流（ A）
V
G
=6.0V
20
20
V
G
=6.0V
10
10
V
G
=4.0V
V
G
=4.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
90
1.8
I
D
=8A
I
D
=8A
80
T
C
=25 C
1.4
o
1.6
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
70
归一化
DS （ ON）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1.2
60
1.0
50
0.8
40
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP15N03H/J
20
40
15
30
I
D
，漏电流（ A）
10
5
P
D
(W)
20
10
0
25
50
75
100
125
150
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c ,
外壳温度（ C）
o
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
100
1
DUTY=0.5
10us
归热响应（R
thJC
)
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
10
100us
0.02
P
DM
1ms
t
0.01
单脉冲
T
T
c
=25 C
单脉冲
1
1
10
o
10ms
DC
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP15N03H/J
f=1.0MHz
16
1000
14
I
D
=8A
V
DS
=16V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
西塞
V
GS
，门源电压（ V）
12
10
8
科斯
100
6
4
CRSS
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
1
6
11
16
21
26
31
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
(V)
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
3
10
2
T
j
=150 C
T
j
=25
o
C
V
GS （ TH）
(V)
1
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
-50
0
50
100
150
o
I
S
(A)
1
0.1
V
SD
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
查看更多AP15N03HPDF信息
推荐型号
AD4016M92RBA-5
AUG13C
AS5C512K8F-15L/883C
AD404M96VTA-5
A2TPMI337OAC
AGQ200A03
AOT15S65
AM27S35APC
AZ1117T-1.8E1
AD7503SD/883B
APXA6R3ARA820MF55G
AM27C040-200DC
AM27C040200DC
AGC3/8
AGC-3/8
AP1301J-SPL
AO20A48N-S
AD404M162VBA-5
AN2635
ACT-F1288N-060P7Q
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP15N03H
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
AP15N03H
ANPEC
1926+
28562
SOT-252
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市成源运利电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ：3003494136 复制

电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
AP15N03H
APEC
23+
16500
TO252
全新原装现货 市场最低价！
深圳市信佳源电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：870509204 复制 点击这里给我发消息 QQ：1016611765 复制

电话：13691818754
联系人：陈小姐
地址：福田区深南中路3006号佳和大厦
AP15N03H
APEC/富鼎
0505+
1300
TO252
原装现货
深圳市集创讯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
AP15N03H
APEC/富鼎
24+
68500
SOT-252
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AP15N03H
AP
21+22+
12600
TO-252
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AP15N03H
AP
14+
23452
原装正品，支持实单
源辰芯科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ：173779730 复制
电话：0755-82170267
联系人：李经理
地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
AP15N03H
AP
22+
15695
QFN
有挂就有货 支持订货.备货
深圳市金芯阳科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1316406779 复制
电话：075584505750
联系人：刘生
地址：龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
AP15N03H
APEC/富鼎
22+
18260
TO-252
原装代理现货，价格最优
上海鑫丰电子技术有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ：1484215649 复制

电话：021-51875986/51872153
联系人：陈小姐 张先生
地址：上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
AP15N03H
ADVANCED
21+
29000
TO-252
全新原装，欢迎订购！
深圳市金亿泰电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：247773782 复制

电话：755-83252273
联系人：郑
地址：中航路新亚洲二期N3D039
AP15N03H
APEC/富鼎
18+
130
TO-252
房间现货原装低价
查询更多AP15N03H供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！