【AP139300mA低压噪声CMOS LDO特点- 非常低的压差电压- 低电流消耗： Typ.45μ】,IC型号AP139-30WA,AP139-30WA PDF资料,AP139-30WA经销商,ic,电子元器件-51电子网

AP139

300mA低压噪声CMOS LDO

特点

- 非常低的压差电压

- 低电流消耗： Typ.45μA ，最大60μA

- 输出电压： 1.5V ， 1.8V ， 2.0V ， 2.5V ， 2.8V ， 3.0V

3.3V ， 3.5V和

- 保证300毫安输出

- 输入范围可达7.0V

- 热关断

- 限流

- 低ESR电容的稳定性

- 低温度系数

无铅

封装： SOT23-5L ， TSOT23-5L

一般说明

该AP139是正电压的线性调节器

利用CMOS技术。该功能

包括低静态电流（ 45μA典型值），低

低压差，高输出电压精度，

使其非常适用于电池供电的应用。 EN输入

连接到CMOS具有低偏置电流。该

节省空间的SOT23-5L和TSOT23-5L包

是“口袋”和“手持”诱人

应用程序。

这个坚固耐用的设备既具有热关断及

电流限制保护，以防止设备故障

在“最差”的操作条件。

在一个低噪声，稳压电源应用中，一个10nF的

电容器必须被放置在间

旁路和接地。

该AP139是稳定的，低ESR输出

电容1.0μF或更大。

应用

- 电池供电设备

- 个人通信设备

- 家用电器/电子产品

- 电脑外设

引脚分配

（ TOP VIEW ）

引脚说明

OUT

BYP

AP139

针

名字

GND

BYP

OUT

针

号

功能

电源

地

使能引脚

旁路信号引脚

产量

GND EN

SOT23-5/TSOT23-5

订购信息

AP139

输出电压

15: 1.5V

18: 1.8V

20: 2.0V

25: 2.5V

28: 2.8V

30: 3.0V

33: 3.3V

35: 3.5V

XX X X

包

W： SOT23-5L

TW ： TSOT23-5L

填料

空白：管

答：大坪

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此产品。在任何授权不得销售该产品。

Rev.1.1 2006年6月2日

1/8

AP139

300mA低压噪声CMOS LDO

框图

OUT

当前

极限

1uA

热

关闭

BYP

AMP

VREF

GND

绝对最大额定值

符号

OUT

参数

输入电压

输出电流

输出电压

ESD分类

环境温度范围

结温范围

等级

/ (V

-V

)

GND - 0.3 V

+ 0.3

-40至+85

-40到+125

单位

热信息

符号

θJC

领导

参数

热阻

内部功耗（ ΔT = 100 ℃）

最高结温

最大焊接温度（10秒）

SOT23-5L

最大

160

250

150

300

单位

摄氏度/ W

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2/8

Rev.1.1 2006年6月2日

AP139

300mA低压噪声CMOS LDO

电气特性

= + 25 ℃，除非另有说明。）

符号

参数

输入电压

静态电流

机顶盒

待机电流

OUT

温度

系数

测试条件

=0mA

=5.0V, V

OUT

=0V, V

＆ LT ; V

分钟。

注1

-2

典型值。

2.0

450

150

0.1

0.3

130

马克斯。

3.0

1.5

1.2

0.6

0.45

300

0.3

0.8

<0.1

单位

PPM /

输出电压精度我

= 1mA时， V

=5V

降

输入输出电压差

= 1mA至300毫安，

OUT

O（ NOM ）

-1.5%

=1.5V

=1.8V

=2V

=2.5V

≥2.8V

OUT

极限

输出电流

电流限制

OUT

> 1.05V

Vcc=5V,Vout<1.05V

OUT

= 5毫安，V

=5~7V

= 1毫安300mA的电流，V

=5V

f=1KHz

=100mA,

电源抑制

f=10KHz

= 2.2μF陶瓷

f=100KHz

f=1KHz

=100mA,

电源抑制

= 2.2μF陶瓷，

f=10KHz

BYP

=20nF

f=100KHz

输出ON

EN输入阈值

输出关闭

启用引脚电流

过温

关闭

过温

迟滞

300

1.7

短

短路电流

△V

LINE

线路调整

△V

负载

负载调整率

PSRR

OTS

OTH

注1 ： V

IN（分钟）

OUT

降

典型用途

AP139

BYP

1uF

10nF

GND

1uF

OUT

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AP139

300mA低压噪声CMOS LDO

典型性能特性

100

VCC VS静态电流

1.6

1.4

VOUT VS电压差

静态电流（ μA ）

3.5

4.5

5.5

TA=25℃

漏失电压（ V）

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

Io=300mA

Io=200mA

Io=100mA

1.5

1.8

2.5

Vout的（V）的

2.8

3.3

3.5

6.5

工作电压（V ）

-10

-20

-30

电源抑制比

Iout=100mA

-10

-20

-30

BP=10nF

电源抑制比

100mA

PSRR （分贝）

-40

-50

BP=1nF

-60

-70

-80

-90

1.0E+00

BP=20nF

1.0E+01

1.0E+02

1.0E+03

1.0E+04

1.0E+05 1.0E+06

BP=5nF

-40

10mA

-50

-60

1mA

-70

BP=10nF

-80

-90

1.0E+00

1.0E+05 1.0E+06

1.0E+01

1.0E+02

1.0E+03

1.0E+04

频率（Hz）

电源抑制比

BP=0

-10

-20

-30

100mA

VOUT VS限流

0.7

0.6

0.5

电流限制（ A）

PSRR （分贝）

-40

-50

-60

10mA

0.4

0.3

0.2

0.1

Vcc=5V

1mA

-70

-80

-90

1.0E+00

1.0E+01

1.0E+02

1.0E+03

1.0E+04

1.0E+05

1.0E+06

1.5

1.8

2.5

2.8

3.3

3.5

频率（Hz）

Vout的（V）的

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300mA低压噪声CMOS LDO

典型性能特性（续）

VCC VS短路电流

400

350

300

短路电流（毫安）

250

200

150

100

3.5

从上到下

Vout=1.5V

Vout=1.8V

Vout=2.5V

Vout=3.3V

4.5

5.5

6.5

工作电压（V ）

功能说明

CMOS稳压器的AP139包含一个PMOS

旁路晶体管，基准电压源，误差放大器，

过流保护，热关断。

P沟道通路晶体管从接收数据

误差放大器，过电流保护，并且

过热保护电路。在正常操作期间，

误差放大器的输出电压进行比较，以一

精密基准。过电流和热

关断电路被激活时，结

温度超过130

C或电流超过

300毫安。在热关断，输出

电压仍然很低。恢复正常工作

当结温下降到低于110

从电压模式的AP139切换到电流

当负载超过额定输出模式

电流。这可以防止过度紧张。

启用

使能引脚通常浮动高。当积极，

拉到低时，PMOS通路晶体管关断，并且

所有内部电路都断电。在这种状态下，

静态电流小于2μA 。该引脚

很像一个电子开关。

外部电容

该AP139是稳定的，低ESR输出

电容器1.0μF或更大的地面。它可以保持

稳定，即使有较高的ESR电容。第二个

电容建议的输入和间

地面稳定VIN 。输入电容应

是大于0.1μF具有有益的效果。所有

电容应放置在靠近

该引脚。 “安静”地终止是可取的。

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32570

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电话：13681678667

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