先进的电源
电子股份有限公司
2A SINK / SOURCE总线终端稳压器
描述
该
AP1250CMP
是一个简单的,具有成本效益和
高速线性调节器设计成产生
在双倍数据速率终止电压( DDR )
存储器系统以符合JEDEC SSTL_2
和SSTL_18或其他特定的接口,如
HSTL ,
SCSI-2
和
SCSI-3
等等
器件
要求。该稳压器能够积极
接收或输出高达2A时调节的
产量
电压
to
内
40mV.
该
产量
终止电压驾驶室被紧紧地规管来跟踪
1/2V
DDQ
由两个外部分压器电阻器或
期望的输出电压可以是亲编程由
从外部迫使REFEN引脚电压。
该
AP1250CMP
还采用了高速
差动放大器,以提供在超快响应
线路/负载瞬态。其他功能还包括极
低初始失调电压,优良的负载调整率,
限流的双方向和芯片上的热
关机保护。
该
AP1250CMP
在可用
ESOP-8
(裸露焊盘)表面贴装封装。
AP1250CMP
特点
理想的DDR -I , DDR- II和DDR - III V
TT
应用
漏极和源极2A的连续电流
集成的功率MOSFET
生成终止电压为SSTL_2 , SSTL
_18 , HSTL , SCSI - 2和SCSI - 3接口。
高精度输出电压在满负荷
通过两个外部电阻调节输出
低外部元件数量
关闭挂起到内存( STR )功能
与高阻抗输出
限流保护
芯片上的热保护
可在
ESOP-8
(裸露焊盘)封装
V
IN
和V
CNTL
无电源时序问题
符合RoHS标准, 100 %无铅(Pb ) - 免费
应用
台式电脑,笔记本电脑和工作站
显卡的显存终止
机顶盒,数字电视,打印机
嵌入式系统
主动终止巴士
DDR -I , DDR- II和DDR - III内存系统
引脚配置
ESOP - 8 ( MP )
( TOP VIEW )
VIN
GND
REFEN
VOUT
框图
NC
NC
VCNTL
NC
1
8
2
7
GND
3
6
4
5
引脚说明
引脚名称
V
IN
GND
V
CNTL
REFEN
V
OUT
电源输入
地
栅极驱动电压
参考电压输入和芯片使能
输出电压
引脚功能
1
200901074
AP1250CMP
绝对最大额定值
(1)
参数
输入电压
控制电压
功耗
存储温度范围
引线温度(焊接, 5秒)
封装热阻
符号
V
IN
V
CNTL
P
D
T
S
T
领导
Θ
JC
价值
6
6
先进的电源
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单位
V
V
--
°C
°C
摄氏度/ W
内部限制
-65到150
260
28
操作评级
(2)
参数
输入电压
控制电压
环境温度
结温
符号
V
IN
V
CNTL
T
A
T
J
价值
2.5 1.5
±3%
5.5或3.3
±5%
-40至+85
-40到+125
单位
V
V
℃
℃
电气特性
V
IN
=2.5V/1.8V/1.5V, V
CNTL
=3.3V, V
REFEN
= 1.25V / 0.9V / 0.75V ,C
OUT
= 10μF (陶瓷) ) ,T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
输入
V
CNTL
工作电流
待机电流
输出( DDR / DDR II / DDR III )
输出失调电压
(3)
负载调整率
(4)
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
CNTL
I
STBY
V
OS
ΔV
负载
I
OUT
=0A
V
REFEN
< 0.2V (关机) ,R
负载
= 180
--
--
-20
-20
1
50
--
--
2.5
90
+20
+20
mA
A
mV
I
OUT
= 0A
I
OUT
= +2A
I
OUT
= -2A
保护
电流限制
热关断温度
热关断迟滞
REFEN关闭
关断阈值
I
LIM
T
SD
ΔT
SD
V
IH
V
IL
3.3V
≤
V
CNTL
≤
5V
3.3V
≤
V
CNTL
≤
5V
2.2
125
--
0.6
--
--
170
35
--
--
--
--
--
--
0.2
A
℃
启用
关闭
V
注1 :
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
注2 :
V
OS
是电压测量定义为V偏移
OUT
从V减去
REFEN
注3 :
V
OS
是电压测量定义为V偏移
OUT
从V减去
REFEN
.
注4 :
调节是通过使用一个5ms的电流脉冲,测定在恒定的结温。器件的测试负载
调节负载范围从0A至2A 。
2
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应用信息
输入电容器和布局的思考
将输入旁路电容尽可能靠近
可以将
AP1250CMP.
低ESR电容
比470uF的大推荐用于输入
电容。使用短而宽的走线,尽量减少
寄生电阻和电感。
布局不当可能会导致较大的寄生
电感
转换器。
和
原因
不需要
振荡
间
AP1250CMP
与前述电源
考虑热
AP1250CMP
AP1250CMP
监管机构内部热限制
电路设计过程中保护器件
超载conditions.For继续操作,不
超过最高工作结温
125 ℃ 。在设备的功耗的定义是:
P
D
= (V
IN
- V
OUT
) ×1
OUT
+ V
IN
X我
Q
最大功耗依赖于
IC封装的热电阻,PCB布局,
的周围的气流和温度速率
结之间的区别到环境。该
最大功耗可以由下式计算
下式:
P
D(最大)
= ( T
J(下最大)
-T
A
) /Θ
JA
其中T
J(下最大)
是最大的操作结
温度125 ℃ ,T
A
是在环境温度下
和
Θ
JA
是结到环境的热
性。
该
连接点
to
环境
热
电阻( θ
JA
为布局依赖)
ESOP-8
包(裸露焊盘)是标准的75 ℃ / W
JEDEC 51-7 ( 4层, 2S2P )热测试板。
在T最大功率耗散
A
= 25 ℃即可
计算由下列公式计算:
P
D(最大)
= (125℃ - 25℃) / 75℃/W = 1.33W
热resistanceΘ
JA
of
ESOP-8
(暴露
垫)被封装设计和所确定的
PCB设计。然而,封装设计有
被决定。如果可能的话,它是有用的,以增加
在PCB设计散热性能。该
热敏电阻可以降低通过添加
下的暴露铜垫
ESOP-8
封装。
我们要考虑的铜不能伸展
无限和避免锡溢出。
考虑而设计的电阻
分压器
必须确保步骤灌电流能力
下拉NMOS如果低电阻为
选择,以使上的电压V
REFEN
低于0.2V 。
此外,电容器和分压器形式
的低通滤波器。有两个原因这样做
设计;一个是输出电压软启动,而
另一种是抗噪声能力。
3
AP1250CMP
先进的电源
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应用框图
R
1
= R
2
= 100kΩ的,R
TT
= 50/33/25
C
OUT ,分
= 10μF (陶瓷) + 1000μF最坏情况下的测试条件下,
C
SS
= 1μF ,C
IN
= 470μF (低ESR ) ,C
CNTL
= 47F
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先进的电力电子股份有限公司。
封装外形: ESOP - 8
注:散热垫Dimemsions 2.25 ± 0.1
MILLIMETERS
符号
民
喃
最大
A
8
7
6
5
A
5.80
4.80
3.80
0°
0.40
0.19
0.00
0.35
1.35
6.00
4.90
3.90
4°
0.65
0.22
0.08
0.42
1.55
0.375 REF 。
45°
1.27 TYP 。
6.20
5.00
4.00
8°
0.90
0.25
0.15
0.49
1.75
B
C
C
D
E
F
1
2
3
4
M
H
L
G
H
B
J
K
G
A2
L
I
J
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
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产品型号
封装代码
1250CMP
YWWSSS
日期代码( YWWSSS )
Y:最后一位的年
WW :周
SSS :序
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