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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1164页 > AP10N60W
AP10N60W
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
100％的雪崩测试
▼
快速开关特性
▼
简单的驱动要求
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
0.75Ω
10A
S
描述
AP10N60系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 265VAC离线AC / DC转换应用程序。该
TO-3P型
提供高阻断电压，以克服电压浪涌
和凹陷的
最艰难的电力系统的最佳组合
快
开关，加固设计和成本效益。
在TO- 3P封装，广泛首选商业，工业
应用程序。
该装置适合于开关模式电源，
DC-AC转换器和
大电流高速开关电路。
G
D
S
TO-3P
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
2
等级
600
± 30
10
5.8
36
156
50
10
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
mJ
A
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
价值
0.8
40
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
1
200803181
AP10N60W
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
3
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=4A
V
DS
=480V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=8A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=4A
R
G
=10Ω,V
GS
=4.7V
R
D
=75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=15V
f=1.0MHz
分钟。
600
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3.8
-
-
-
45
11
15
16
9
48
11
475
4.3
MAX 。单位
-
0.75
4
-
25
250
±100
72
-
-
-
-
-
-
-
-
V
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
3
2380 3800
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
3
测试条件
T
j
=25℃, I
S
= 8A ，V
GS
=0V
I
S
=8A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
550
9.2
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
uC
t
rr
Q
rr
注意事项：
反向恢复时间
3
反向恢复电荷
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ，V
DD
= 50V ，L = 1.0mH ，R
G
=25Ω , I
AS
=10A.
3.Pulse测试
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2
AP10N60W
20
10
T
C
=25 C
16
o
10V
6.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
C
=150
o
C
8
10V
6.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
12
6
V
G
= 4. 5 V
8
4
5.0V
4
2
V
G
=4.5V
0
0
5
10
15
20
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.3
2.8
I
D
=4A
V
G
=10V
1.2
2.4
归BV
DSS
(V)
归一化
DS （ ON）
1.1
2
1.6
1
1.2
0.9
0.8
0.8
-50
0
50
100
150
25
50
75
100
125
150
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（ C）
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
10
1.4
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.2
T
j
= 150
o
C
T
j
= 25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1
I
S
(A)
1
0.8
0.6
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP10N60W
f=1.0MHz
16
10000
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
12
I
D
=8A
C（ pF）的
V
DS
=480V
8
C
OSS
100
4
C
RSS
0
0
20
40
60
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
0.2
100us
I
D
(A)
0.1
0.1
1ms
1
0.05
P
DM
0.02
T
c
=25 C
单脉冲
0.1
1
10
100
o
10ms
100ms
DC
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
1000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 3P
E
A
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
φ
A
4.50
0.90
1.80
1.30
0.40
1.40
19.70
14.70
15.30
4.45
17.50
3.00
4.80
1.00
2.50
--
0.60
--
20.00
15.00
--
5.45
--
3.20
5.10
1.30
3.20
2.30
0.90
2.20
20.30
15.30
16.10
6.45
20.50
3.40
c1
D
D1
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
b1
b2
e
L
φ
L
c
b
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
最热资讯&包装： TO- 3P
产品型号
包
10N60W
标志
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y
←最后
数字的年份
WW ：周
SSS
·序
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ATN3590-07
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ADM8611MABKS-RL
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AS002M1-12
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联系人：何小姐
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