AP09N20H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
200V
380mΩ
8.6A
描述
S
克
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
到大约50的工业应用在功率耗散水平
瓦。通孔版（ AP09N20J ）可用于低
配置文件的应用程序。
S
TO-252(H)
G
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
2
等级
200
±
30
8.6
5.5
36
69
0.55
40
8.6
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.8
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
201112031
AP09N20H/J
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
分钟。
200
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.24
-
-
3.7
-
-
-
23
4
13
12
74
36
44
500
90
40
MAX 。单位
-
-
380
4
-
10
100
±100
37
-
-
-
-
-
-
800
-
-
V
V/℃
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=160V
,
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
I
D
=8.6A
V
DS
=160V
V
GS
=10V
V
DD
=100V
I
D
=8.6A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=11.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
3
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
3
测试条件
I
S
= 8.6A ，V
GS
=0V
I
S
= 8.6A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
225
2260
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ，V
DD
= 50V ，L = 1MH ，R
G
=25Ω , I
AS
=8.6A.
3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
o
AP09N20H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
200V
380mΩ
8.6A
描述
S
克
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
到大约50的工业应用在功率耗散水平
瓦。通孔版（ AP09N20J ）可用于低
配置文件的应用程序。
S
TO-252(H)
G
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
2
等级
200
±
30
8.6
5.5
36
69
0.55
40
8.6
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
1.8
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
201112031
AP09N20H/J
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
分钟。
200
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.24
-
-
3.7
-
-
-
23
4
13
12
74
36
44
500
90
40
MAX 。单位
-
-
380
4
-
10
100
±100
37
-
-
-
-
-
-
800
-
-
V
V/℃
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
=200V, V
GS
=0V
V
DS
=160V
,
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
I
D
=8.6A
V
DS
=160V
V
GS
=10V
V
DD
=100V
I
D
=8.6A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=11.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
3
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
3
测试条件
I
S
= 8.6A ，V
GS
=0V
I
S
= 8.6A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
225
2260
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复时间
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ，V
DD
= 50V ，L = 1MH ，R
G
=25Ω , I
AS
=8.6A.
3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
o
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